Abstract:
In the case of a projection exposure method for exposing a radiation-sensitive substrate, arranged in the region of an image surface of a pro-jection objective, with at least one image of a pattern of a mask arranged in the region of an object surface of the projection objective, a mask is arranged in the region of the object surface of the projection objective, the mask having a first pattern area with a first subpattern, and at least one second pattern area, arranged laterally offset from the first pattern area, with a second subpattern. The mask is scanned by relative move-ment between the mask and the illumination field of the illumination sys-tem in such a way that initially the first subpattern and thereafter the second subpattern is irradiated with the illumination radiation of the illu-mination field. The first subpattern is irradiated during a first illumination time interval with a first angular distribution, adapted to the first subpat-tern, of the illumination radiation. Thereafter, the second subpattern is irradiated during the second illumination time interval with a second an-gular distribution, adapted to the second subpattern, of the illumination radiation, said second angular distribution differing from the first angular distribution.
Abstract:
An illumination system is provided with a light produced by a light source (1) , with an optical axis and with optical elements (3, 7), in particular for a projection exposure machine in semiconductor lithography, having at least one optical element (3, 7) for producing a pupil distribution of the light beam, and having a homogenizing element (10, 24) for .homogenizing the intensity of the light. For an asymmetric pupil distribution at least the optical elements (3, 7) that produce non-rotationally symmetrical light distributions, and/or the homogenizing element (10, 24) ) are supported rotatably about the optical axis that forms a z-axis of an x-/y-coordinate system, it being possible to set at least one rotational angle a in such a way that the pupil distribution is located on an axis or symmetrically in relation to an axis of an x' -/y' -coordinate system newly formed by the rotational angle a by means of rotating the x-/y- coordinate system by the angle a.
Abstract:
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Facettenspiegels 24 mit mehreren Spiegelfacetten 12 und 12', insbesondere für eine Beleuchtungseinrichtung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und hier insbesondere für die Verwendung mit einer Beleuchtung im Bereich des extremen Ultravioletts wird in einem ersten Verfahrensschritt die Spiegelfacette 12,12' gefertigt. Danach wird in einem zweiten Verfahrensschritt die Winkelabweichung der optischen Achse der Spiegelfläche jeder der Spiegelfacetten gegenüber der Normalen 20 der Spiegelfacette 12,12' ermittelt. Anschliessend wird in einem dritten Verfahrensschritt in Kenntnis der im zweiten Verfahrensschritt ermittelten Messwerte für die jeweilige Spiegelfacette 12,12' eine Aufnahmebohrung 22 in eine Trägerplatte 16 eingebracht. Die Aufnahmebohrung 22 ist hinsichtlich der zu erzielenden Winkelstellung bereits um den im zweiten Verfahrensschritt gemessenen Messwert korrigiert. Dann werden die Spiegelfacetten 12,12' in die für die jeweilige Spiegelfacette 12,12' vorgesehene Aufnahmebohrung 22 eingesetzt, wonach eine erneute Messung der Ausrichtung der Spiegeloberfläche 15 jeder Spiegelfacette 12,12' erfolgt. Abschliessend erfolgt eine Nachbearbeitung der Spiegeloberfläche 15 der Spiegelfacette 12,12' zum Erzielen der endgültigen geforderten Winkelgenauigkeit.
Abstract:
Ein Facettenspiegel (10) mit mehreren Spiegelfacetten ( ) wird in Beleuchtungseinrichtungen (3) für Projektionsbelichtungsanlagen (1) in der Mikrolithographie, insbesondere in der EUV-Lithographie, eingesetzt. Jede der Spiegelfacetten (11) weist einen Kugelkörper (17) auf. Eine Spiegeloberfläche (12) ist in einer Ausnehmung (18) des Kugelkörpers (17) angeordnet. Die der Spiegeloberfläche (12) abgewandte Seite des Kugelkörpers (17) ist in einer Lagereinrichtung (15) gelagert. Bei einer Vorrichtung zur Justage eines derartigen Facettenspiegels (10) ist an jeder der Spiegelfacetten (11) auf der der Spiegeloberfläche (12) abgewandten Seite des Kugelkörpers (17) ein Hebelelement (23) angeordnet. An dem Hebelelement (23) greifen in einem dem Kugelkörper (17) abgewandten Bereich Stellmittel (27) an, durch welche eine Bewegung des Kugelkörpers (17) um seinem Mittelpunkt erzielbar ist.
Abstract:
An exposure method and an exposure system capable of maintaining a high uniformity of an exposure amount distribution despite short-term variations in transmittance in an optical system. An exposure light from a fly eye lens 9 is used to illuminate an illumination area 35 on a reticle via a first lens system 12, a second lens system 13, a density filter plate 51 rotatable by driving, and a fixed blind 14A to transfer a pattern image on a reticle onto a wafer via a projection optical system by a scanning exposure method. A one-dimensional transmittance distribution linearly symmetric with respect to a line passing an optical axis is formed on the density filter plate 51, and an rotation angle of the density filter 51 is so controlled as to make uniform the illumination distribution of the illumination area 35 in a non-scanning direction X direction when a center-symmetric, short-term illumination unevenness occurs to lower the illuminance in the vicinity of the optical axis in the illumination area 35 due to short-term variations in transmittance in the projection optical system.
Abstract:
Particular types of distortion within a lithographic system may be characterized by linewidth control parameters. Linewidth control parameters of any given line or feature within a printed pattern vary as a result of optical capabilities of the lithography apparatus used, particular characteristics of the reticle, focus setting, light dose fluctuations, etc. The instant invention uses focus offset coefficients to change the focus at points within a slot to compensate for the linewidth control parameter variations introduced by the factors contributing to such variations. Additionally, different focuses can be set dynamically along the scan for a particular slot point. A set, or sets, of focus offset coefficients is generated for a particular lithography apparatus, depending on the number of line width control parameters for which correction is desired.
Abstract:
Optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, einem mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Modul (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, und einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang (214) zu erfassen, um das erste Modul (202) und das zweite Modul (204) basierend auf von der Sensoreinrichtung (228) erfassten Messwerten zueinander auszurichten, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) einen Spiegel (212, 222) aufweist.
Abstract:
A spectral feature of a pulsed light beam produced by an optical source is controlled by a method. The method includes producing a pulsed light beam at a pulse repetition rate; directing the pulsed light beam toward a substrate received in a lithography exposure apparatus to expose the substrate to the pulsed light beam; modifying a pulse repetition rate of the pulsed light beam as it is exposing the substrate. The method includes determining an amount of adjustment to a spectral feature of the pulsed light beam, the adjustment amount compensating for a variation in the spectral feature of the pulsed light beam that correlates to the modification of the pulse repetition rate of the pulsed light beam. The method includes changing the spectral feature of the poised light beam by the determined adjustment amount as the substrate is exposed to thereby compensate for the variation in the spectral feature.
Abstract:
Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie hat einen Feldfacettenspiegel und einen Pupillenfacettenspiegel. Über jeweils einen Ausleuchtungskanal ist ein jeweiliges Nutz-Beleuchtungslicht-Teilbündel (16i) zwischen einer Lichtquelle und einem Objektfeld über genau eine Feldfacette und genau eine Pupillenfacette (29) geführt. Zumindest einige Pupillenfacetten (29), die als Korrektur-Pupillenfacetten einsetzbar sind, sind so im Strahlengang des sie beaufschlagenden Beleuchtungslicht-Teilbündels (16 i ) angeordnet, dass ein Bild der Lichtquelle an einem Bildort entsteht, der längs des Ausleuchtungskanals (16 i ) beabstandet zur Pupillenfacette (29) liegt. Eine Korrektur-Steuerungseinrichtung (32) zur gesteuerten Verlagerung zumindest einiger als Korrektur-Feldfacetten einsetzbarer Feldfacetten, die mit der Verlagerungs-Aktoren (31) in Signalverbindung stehen, ist so ausgeführt, dass ein Korrektur-Verlagerungsweg für die Korrektur-Feldfacetten so groß ist, dass ein jeweiliger Korrektur-Ausleuchtungskanal (16 i ) randseitig von der Korrektur-Pupillenfacette (29) so beschnitten ist, dass das Beleuchtungslicht-Teilbündel (16 i ) nicht vollständig von der Korrektur-Pupillenfacette (29) in das Objektfeld überführt wird. Mit der Beleuchtungsoptik ist ein Verfahren zum Vorgeben einer minimalen Beleuchtungsintensität von Beleuchtungslicht (16) über eine Querfeldkoordinate (x) eines Objektfeldes der Beleuchtungsoptik (4) durchführbar.