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    AN APPARATUS AND METHOD FOR DICING AN IC SUBSTRATE
    72.
    发明申请
    AN APPARATUS AND METHOD FOR DICING AN IC SUBSTRATE 审中-公开
    一种用于定位IC基板的装置和方法

    公开(公告)号：WO2009035419A3

    公开(公告)日：2010-10-14

    申请号：PCT/SG2008000346

    申请日：2008-09-12

    Applicant: ROKKO VENTURES PTE LTD ,  YANG HAE CHOON ,  SHIN YUN SUK

    Inventor： YANG HAE CHOON ,  SHIN YUN SUK

    IPC: B28D5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

    CPC classification number: B28D5/0082

    Abstract: An apparatus (5) for dicing an integrated circuit substrate having a loader (30) for loading the substrate to the apparatus, said substrate loaded in a first direction corresponding to a loading axis, an inlet rail (35) said inlet rail including a first block (75) movable along said inlet rail (35) to which is loaded the substrate from said loader, wherein said inlet rail is arranged to deliver the first block (75) and substrate towards a chuck table (60) in a second direction orthogonal to the loading axis.

    Abstract translation: 一种用于对集成电路基板进行切割的设备（5），所述集成电路基板具有用于将所述基板装载到所述装置的装载器（30），所述基板沿对应于加载轴线的第一方向装载，所述入口轨道（35）包括第一 沿着所述入口轨道（35）移动的块（75），从所述入口轨道（35）向所述入口轨道（35）移动，所述入口轨道布置成沿第二方向正交地将第一块（75）和衬底朝着卡盘台 到加载轴。

    METHOD AND DEVICE FOR FACILITATING SEPARATION OF SLICED WAFERS
    73.
    发明申请
    METHOD AND DEVICE FOR FACILITATING SEPARATION OF SLICED WAFERS 审中-公开
    用于促进单片晶圆分离的方法和装置

    公开(公告)号：WO2010058389A1

    公开(公告)日：2010-05-27

    申请号：PCT/IL2009/001041

    申请日：2009-11-05

    Applicant: CORE FLOW LTD. ,  NISHRI, Boaz ,  HILDESHEIM, Ariel ,  BRODETSKI, Svetlana

    Inventor： NISHRI, Boaz ,  HILDESHEIM, Ariel ,  BRODETSKI, Svetlana

    IPC: B28D5/00 ,  H01L21/00

    CPC classification number: B28D5/0094 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

    Abstract: An apparatus for separating a front wafer from a stack of wafers with internal gaps between the wafers is disclosed. The apparatus includes a chuck for gripping the front wafer, coupled to a mechanical arm and a drive for moving the arm to bring the chuck to the front wafer and to separate the wafer from the stack of wafers. Further included is a heater for heating the front wafer so as to raise the temperature within the internal gap between the front wafer and the adjacent wafer of the stack of wafers above the temperature of more distant internal gaps within the stack.

    Abstract translation: 公开了一种用于将前晶片与晶片堆叠分离的装置，其中晶片之间具有内部间隙。 该装置包括用于夹持前晶片的卡盘，其联接到机械臂和用于移动臂以将卡盘带到前晶片并将晶片与晶片堆分离的驱动器。 还包括用于加热前晶片的加热器，以将晶片堆叠的前晶片和相邻晶片之间的内部温度升高到堆叠内更远的内部间隙的温度之上。

    基板加工システム
    75.
    发明申请
    基板加工システム 审中-公开
    基板加工系统

    公开(公告)号：WO2009154022A1

    公开(公告)日：2009-12-23

    申请号：PCT/JP2009/052946

    申请日：2009-02-20

    Applicant: 三星ダイヤモンド工業株式会社 ,  ▲高▼松 生芳 ,  前川 和哉

    Inventor： ▲高▼松 生芳 ,  前川 和哉

    IPC: G02F1/13 ,  B28D5/00 ,  C03B33/03 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

    CPC classification number: B28D1/226 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/03 ,  C03B33/033 ,  C03B33/07 ,  C03B33/105

    Abstract: 　マザー基板に所定のレイアウトで配置された単位表示パネルを、端子領域が損傷することがないように取り出すことができる基板加工システムを提供する。 　端子領域が含まれる特定境界をスクライブ加工する際に、特定境界に形成される３つのスクライブ溝の深さを調整して、端子領域に対向する位置の端材領域が特定位置に残るように制御するスクライブ装置制御部と、マザー基板から単位表示パネルを取り出すときに、端材領域が特定位置に残るように所定の優先順で取り出すパネル搬出装置制御部と、特定位置に付着した端材領域を特定方向に曲げモーメントを加えて分断する補助ブレイク装置とを備えることで、狭い端子幅であっても確実に分離できるようにする。

    Abstract translation: 提供一种基板处理系统，其中可以取出以规定布局布置在母板上的单元显示面板，而不损坏端子区域。 基板处理系统设置有划线装置控制部分，其调节在特定边界处形成的三个划线槽的深度，并且在划线时将面向终端区域的端部区域的端部区域控制在指定位置 - 处理包括终端区域的指定边界; 面板执行装置控制部，从母板以规定的优先顺序取出单元显示面板，使得在从母体取出单元显示面板的情况下将终端材料区域留在指定位置 板; 以及辅助断裂装置，通过沿指定方向施加弯矩来切割附着在指定位置处的端部材料区域。 因此，即使端子具有小的宽度也能够确保分离。

    脆性材料基板の面取り方法
    76.
    发明申请
    脆性材料基板の面取り方法 审中-公开
    用于切割脆性材料的方法

    公开(公告)号：WO2009145026A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：PCT/JP2009/058253

    申请日：2009-04-27

    Applicant: 三星ダイヤモンド工業株式会社 ,  前川 和哉 ,  阪口 良太 ,  中垣 智貴

    Inventor： 前川　和哉 ,  阪口　良太 ,  中垣　智貴

    IPC: B28D5/00 ,  B24B9/00 ,  B24B9/10 ,  C03B33/023 ,  C03B33/09

    CPC classification number: B28D1/225 ,  B24B9/10 ,  C03B33/023 ,  C03B33/033 ,  C03B33/09 ,  C03B33/091 ,  C03B33/105 ,  C03B33/107 ,  Y10T83/0259

    Abstract: 【課題】研磨部材を用いることなく、また面取り工程に伴う洗浄工程を必要とせず、狭い空間でも作業可能な面取り方法を提供する。 【解決手段】脆性材料基板表面の、縁端から、脆性材料基板の厚さの５０％以下の距離の領域内に、前記縁端に沿ってスクライブを行い、基板表面から側端面に向かう傾斜したクラックを形成した後、スクライブを行ったライン近傍を加熱及び／又は冷却し、前記脆性材料基板の縁端の角部を分断して、前記脆性材料基板の面取りを行う。前記脆性材料基板のスクライブは、刃先となる円周稜線に、カッタホイールの軸芯方向に対して所定角度傾斜した複数の傾斜溝が形成されたカッタホイールを用いて行うのが好ましい。

    Abstract translation: 问题是提供一种倒角方法，即使在狭窄的空间内也可以使用，而不需要使用研磨件，而不需要在倒角过程中进行洗涤。 在脆性材料基板的厚度的50％以下的区域内沿着边缘刻划脆性材料基板表面。 在从基板表面朝向侧端面倾斜形成开裂后，对划线的附近进行加热和/或冷却，使脆性材料基板的边缘处的角部断裂，将所述脆性材料基板倒角 。 优选使用切割轮来切割所述脆性材料基板，在所述切割轮上，在作为切削刃的圆周棱线上形成有相对于切割轮的轴向芯方向以规定角度倾斜的多个倾斜槽。

    APPARATUS AND METHOD FOR MULTIPLE SUBSTRATE PROCESSING
    77.
    发明申请
    APPARATUS AND METHOD FOR MULTIPLE SUBSTRATE PROCESSING 审中-公开
    多基板加工的装置和方法

    公开(公告)号：WO2009134212A1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：PCT/SG2009/000158

    申请日：2009-05-04

    Applicant: ROKKO VENTURES PTE LTD ,  JUNG, Jong Jae ,  JANG, Deok Chun ,  HA, Chang Hwan ,  LIM, Chong Chen ,  BEAK, Seung Ho

    Inventor： JUNG, Jong Jae ,  JANG, Deok Chun ,  HA, Chang Hwan ,  LIM, Chong Chen ,  BEAK, Seung Ho

    IPC: B28D5/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

    CPC classification number: B28D5/0058 ,  H01L21/78

    Abstract: A system for cutting a plurality of substrates of integrated circuit units comprising a plurality of tables (40, 55), each table including a plurality of trays (37A, 37B, 57A, 57B), each tray arranged to receive one of said substrates; each of said tables selectively movable between a respective loading station (20) for receiving said substrates and a cutting station for cutting the substrates, and a substrate placement device (35) for placing the substrates on the respective trays of said tables; wherein the substrate placement device is arranged to sequentially place substrates on said tables with said tables arranged to sequentially move to the cutting station after receiving the substrates and then return to their respective loading stations for placement of additional substrates.

    Abstract translation: 一种用于切割包括多个台（40,55）的集成电路单元的多个基板的系统，每个台包括多个托盘（37A，37B，57A，57B），每个托盘布置成容纳所述基板之一; 每个所述台可以选择性地在相应的用于接收所述基板的装载站（20）和用于切割基板的切割站之间移动;以及基板放置装置（35），用于将所述基板放置在所述台的各个托盘上; 其中所述基板放置装置被布置成将基板顺序地放置在所述台上，其中所述台布置成在接收到所述基板之后依次移动到所述切割站，然后返回到其各自的装载站以放置附加的基板。

    脆性材料基板の加工方法
    78.
    发明申请
    脆性材料基板の加工方法 审中-公开
    加工脆性材料基材的方法

    公开(公告)号：WO2009128314A1

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：PCT/JP2009/055059

    申请日：2009-03-16

    Applicant: 三星ダイヤモンド工業株式会社 ,  井村 淳史 ,  福原 健司 ,  山本 幸司

    Inventor： 井村 淳史 ,  福原 健司 ,  山本 幸司

    IPC: C03B33/09 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B28D5/00

    CPC classification number: B28D1/225 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B28D1/221 ,  C03B33/07 ,  C03B33/091 ,  C03B33/107

    Abstract: 　安定したレーザブレイク処理ができる脆性材料基板の加工方法を提供することを目的とする。 　（ａ）第一基板端近傍のスクライブ予定ライン上に初期亀裂を形成する初期亀裂形成工程と、（ｂ）第一回目のレーザ照射のビームスポットを第一基板端側からスクライブ予定ラインに沿って第二基板端まで相対移動させて加熱するとともに、ビームスポットの通過直後の部位を冷却し、スクライブ予定ラインに生じる深さ方向の応力勾配を利用してスクライブ予定ラインに沿って有限深さのスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、（ｃ）第二回目レーザ照射のビームスポットをスクライブラインに沿って第二基板端から第一基板端まで逆方向に相対移動させてスクライブラインをさらに深く浸透させるか、または、完全に分断させるレーザブレイク工程とにより加工する。

    Abstract translation: 提供一种可以进行稳定的激光断裂处理的脆性材料基板的加工方法。 一种用于处理脆弱材料基板的方法包括：（a）初始裂纹形成步骤，在与第一基板的边缘相邻的划线预定线上形成初始裂纹;（b）激光划片步骤， 从第一基板的边缘到沿第二基板的边缘的第一次激光照射沿着刻划线，加热基板，立即冷却光束点已经通过的部分，并形成具有有限深度的划线 通过使用在划线方向上产生的深度方向的应力梯度来划线预定线，以及（c）将第二激光照射的束斑相对移动到第二基底的边缘的激光断裂步骤 沿着划线的相反方向的第一基板，使得划线进一步深入或完全切断划线。

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