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    半導体発光素子及びその製造方法
    81.
    发明申请
    半導体発光素子及びその製造方法 审中-公开
    半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016158111A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/JP2016/055617

    申请日：2016-02-25

    Applicant: ウシオ電機株式会社

    Inventor： 片岡　研

    IPC: H01L33/24 ,  H01L21/205 ,  H01L33/38

    CPC classification number: H01L21/205 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

    Abstract: 　歩留まりの高い半導体発光素子を実現する。　半導体発光素子は、基板と、基板の上層に形成された、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層と、第一電極とを有する。活性層又は第一半導体層の少なくとも一方は、基板の面に平行な方向に関して、第一領域に凹凸面を含み、第一領域とは異なる第二領域が平坦面で構成される。第一電極は、第二領域内において、第一半導体層に接触すると共に、活性層及び第二半導体層に対して絶縁性を有した状態で形成される。第二領域内において、第一電極と接触している領域に位置する第一半導体層の上層には活性層及び第二半導体層が形成されていない。

    Abstract translation: 实现了高产率的半导体发光元件。 该半导体发光元件具有：基板; 第一半导体层，有源层和第二半导体层，其形成在所述基板的上层上; 和第一电极。 有源层和/或第一半导体层在平行于基板的表面的方向上包括第一区域中的不平坦表面，并且与第一区域不同的第二区域由平坦表面构成。 在第二区域中，第一电极形成为与第一半导体层接触，并且在与有源层和第二半导体层绝缘的状态下形成。 在第二区域中，有源层和第二半导体层不形成在第一半导体层的上层上，所述上层位于与第一电极接触的区域中。

    半導体発光素子及びその製造方法
    82.
    发明申请
    半導体発光素子及びその製造方法 审中-公开
    半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016158090A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/JP2016/055168

    申请日：2016-02-23

    Applicant: ウシオ電機株式会社

    Inventor： 杉山　徹 ,  月原　政志

    IPC: H01L33/06 ,  H01L21/205 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

    Abstract: 　リーク電流の発生を抑止して発光効率を高めた半導体発光素子を実現する。　ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に、発光層及び障壁層が交互に積層されてなる活性層を有する半導体発光素子であって、障壁層のうちｐ型半導体層に最も近接する側に形成された最終障壁層の上面に、最終障壁層とは異なる層であって、ｐ型半導体層よりはｐ型不純物濃度が低い保護層を有し、保護層の上面にｐ型半導体層が形成されている。

    Abstract translation: 通过抑制漏电流的产生来实现具有提高的发光效率的半导体发光元件。 在n型半导体层和p型半导体层之间包含发光层和阻挡层交替层叠的有源层的半导体发光元件。 具有p型杂质浓度低于p型半导体层的保护层位于最靠近阻挡层中的p型半导体层的最终阻挡层的上表面上，所述保护层 层与最终阻挡层不同; 并且p型半导体层形成在保护层的上表面上。

    半導体発光素子
    84.
    发明申请
    半導体発光素子 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号：WO2016072275A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：PCT/JP2015/079803

    申请日：2015-10-22

    Applicant: スタンレー電気株式会社 ,  国立大学法人東京大学

    Inventor： 藤原　崇子 ,  杉山　正和 ,  マニッシュ　マシュー

    IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L51/0082 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0081

    Abstract: 　第１及び第２の発光層を有する半導体発光素子であって、第１の発光層は、第１の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数のベースセグメントを有するベース層と、複数のベースセグメントのセグメント形状を残存しつつベース層上に形成された少なくとも１つの量子井戸層及び少なくとも１つの障壁層からなる第１の量子井戸構造層と、を有し、第２の発光層は、第１の量子井戸構造層の少なくとも１つの障壁層とは異なる組成を有する複数の障壁層と少なくとも１つの量子井戸層とからなる第２の量子井戸構造層を有し、複数の障壁層のうち、最も第１の発光層側に位置する端部障壁層の表面には、セグメント形状を残存する溝を有する。

    Abstract translation: 一种具有第一和第二发光层的半导体发光元件。 第一发光层具有：基底层，具有多个基部段，其具有从第一半导体层接收应力应变的组成，所述基部段以无规网格图案划分; 以及第一量子阱结构层，其保留所述多个基极段的所述段形状并且包括形成在所述基极层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。 第二发光层具有：第二量子阱结构层，其包含至少一个量子阱层和与第一量子阱结构层中的至少一个阻挡层具有不同组成的多个势垒层; 以及在所述多个阻挡层中位于最靠近的端部阻挡层的表面上保持所述段状的槽到所述第一发光层侧。

    발광 소자 패키지
    85.
    发明申请
    발광 소자 패키지 审中-公开
    发光装置包装

    公开(公告)号：WO2015194779A1

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：PCT/KR2015/005690

    申请日：2015-06-08

    Applicant: 엘지이노텍(주)

    Inventor： 김병목 ,  코다이라히로시 ,  김백준 ,  김하나 ,  이정우 ,  황상웅

    IPC: H01L33/24

    CPC classification number: H01L33/387 ,  F21V7/05 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0076 ,  H01L2933/0033 ,  H05K1/0212

    Abstract: 실시 예의 발광 소자 패키지는 패키지 몸체와, 패키지 몸체 위에 적어도 하나의 발광 소자와, 적어도 하나의 발광 소자와 패키지 몸체 사이에 접착층 및 패키지 몸체에 배치되어 접착층을 수용하도록 형성된 접착층 수용부를 포함하고, 접착제 수용부의 측면은 패키지 몸체의 두께 방향으로 연장되는 가상의 수직면에 대해 소정 각도로 경사지게 형성된다.

    Abstract translation: 实施例的发光器件封装包括：封装体; 在封装主体上的至少一个发光器件; 所述至少一个发光器件和所述封装主体之间的粘合剂层; 以及粘合层容纳单元，其设置在所述封装主体中，用于容纳所述粘合剂层，其中所述粘合剂层容纳单元的侧表面相对于在厚度方向上延伸的虚拟垂直表面以预定角度倾斜 的包装体。

    半導体発光素子及びその製造方法
    86.
    发明申请
    半導体発光素子及びその製造方法 审中-公开
    半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2015098208A1

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：PCT/JP2014/074795

    申请日：2014-09-19

    Applicant: ウシオ電機株式会社

    Inventor： 月原　政志 ,  中村　薫

    IPC: H01L33/24 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007

    Abstract: 　リーク電流の発生を抑止して発光効率を高めた半導体発光素子を実現する。　本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層を形成する工程（ａ）と、ｎ型半導体層上に発光層及び障壁層を交互に積層して活性層を形成する工程（ｂ）と、ｐ型のドーパントを供給して活性層上にｐ型半導体層を形成する工程（ｃ）とを有し、工程（ｂ）において、障壁層のうちｐ型半導体層に最も近く位置する最終障壁層を、当該最終障壁層内に形成される凹部の直径よりも厚膜で形成する。

    Abstract translation: 实现了在发生漏电流的同时抑制了发光效率的半导体发光元件。 根据本发明的制造半导体发光元件的方法包括：用于在衬底上形成n型半导体层的步骤（a）; 通过在n型半导体层上交替层叠发光层和阻挡层，在n型半导体层上形成有源层的工序（b） 以及用于通过提供p型掺杂剂在有源层上形成p型半导体层的步骤（c）。 在步骤（b）中，阻挡层中最靠近p型半导体层的最终阻挡层形成为具有大于形成在最终阻挡层内的凹部的直径的厚度。

    DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE A DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
    87.
    发明申请
    DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE A DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES 审中-公开
    包含发光二极管的光电装置

    公开(公告)号：WO2015044619A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：PCT/FR2014/052471

    申请日：2014-09-30

    Applicant: ALEDIA

    Inventor： BOUVIER, Christophe ,  DORNEL, Erwan ,  HUGON, Xavier ,  CAGLI, Carlo

    IPC: H01L33/08 ,  H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L27/06 ,  H01L33/14 ,  H05B33/00 ,  H05B33/08

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/0884 ,  H01L2924/00

    Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un substrat (10) semiconducteur non dopé ou dopé d'un premier type de conductivité, une première région semiconductrice (14) reliée électriquement au substrat, dopée du premier type de conductivité ou d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type, et plus fortement dopée que le substrat, un premier ensemble (A) de premières diodes électroluminescentes (DEL) reposant sur la première région semiconductrice, les premières diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques et une portion conductrice (36) au contact de la première région semiconductrice.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括半导体衬底（10）的光电器件（5），该半导体衬底（10）可选地掺杂有第一类导电性; 第一半导体区域（14），其电连接到所述衬底，掺杂有所述第一类型的导电性或第二相反类型的导电性并且比所述衬底更强地掺杂; 位于第一半导体区域上的第一发光二极管（DEL）的第一组（A），所述第一发光二极管包括线状，锥形或截头圆锥半导体元件; 和与第一半导体区域接触的导电部分（36）。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
    88.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
    半导体结构和制造半导体结构的方法

    公开(公告)号：WO2014114606A3

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：PCT/EP2014051067

    申请日：2014-01-21

    Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： VAUFREY DAVID

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/24

    CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a semiconductor structure (1) suitable for emitting electromagnetic radiation. The structure (1) comprises a first and a second area (10, 20) respectively having a first and a second mutually opposite type of conductivity, said first and second areas (10, 20) being connected to one another such as to form a semiconductor junction. The first area (10) comprises at least a first and a second portion (11, 12), the first and the second portion (11, 12) being separated from one another by an intermediate layer (13), referred to as a dispersion layer, and extending substantially parallel to the junction plane along a major portion of the junction. The dispersion layer (13) is suitable for causing a dispersion of the carriers along the plane of the dispersion layer (13).

    Abstract translation: 本发明涉及适用于发射电磁辐射的半导体结构（1）。 结构（1）包括分别具有第一和第二相互相反类型的导电性的第一和第二区域（10,20），所述第一和第二区域（10,20）彼此连接以形成 半导体结。 第一区域（10）至少包括第一部分和第二部分（11,12），第一部分和第二部分（11,12）通过中间层（13）彼此分开，称为分散体 层，并且沿着结的主要部分基本上平行于结平面延伸。 分散层（13）适于使载流子沿着分散层（13）的平面分散。

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