公开(公告)号：WO2016160720A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/US2016/024552

申请日：2016-03-28

Applicant: OHIO STATE INNOVATION FOUNDATION

Inventor： RAJAN, Siddharth ,  KRISHNAMOORTHY, Sriram ,  ZHANG, Yuewei

IPC: H01L33/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/08 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/46

Abstract: An example ultraviolet (UV) light emitting diode (LED) is described herein. The UV LED can include an n-doped contact region, an active region configured to emit UV light that is arranged between an n-doped region and a p-doped region, and a tunnel junction. The tunnel junction is arranged between the n-doped contact region and the p-doped region. In addition, the tunnel junction can include a heavily p-doped region, a degenerately n-doped region, and a semiconductor region arranged between the heavily p-doped region and the degenerately n-doped region. Each of the heavily p-doped region and the degenerately n-doped region has a gradually varied material energy bandgap to reduce respective depletion barriers within the heavily p-doped region and the degenerately n-doped region.

Abstract translation: 本文描述了示例性紫外（UV）发光二极管（LED）。 UV LED可以包括n掺杂接触区域，被配置为发射布置在n掺杂区域和p掺杂区域之间的UV光的有源区域和隧道结。 隧道结布置在n掺杂接触区域和p掺杂区域之间。 此外，隧道结可以包括重p掺杂区域，简并n掺杂区域和布置在重p掺杂区域和简并n掺杂区域之间的半导体区域。 每个重掺杂区域和简并n掺杂区域都具有逐渐变化的材料能带隙，以减少重p掺杂区域和简并n掺杂区域内的各自的耗尽势垒。

公开(公告)号：WO2016072277A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/JP2015/079807

申请日：2015-10-22

Applicant: スタンレー電気株式会社 ,  国立大学法人東京大学

Inventor： 十川　博行 ,  杉山　正和 ,  マニッシュ　マシュー

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 　第１の導電型を有する第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された発光層を含む発光機能層と、発光機能層上に形成され、第１の半導体層とは反対の導電型を有する第２の半導体層とを有する半導体発光素子であって、発光層は、第１の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に形成された複数のベースセグメントを有するベース層と、ベース層を埋め込んで形成された少なくとも１つの量子井戸層及び少なくとも１つの障壁層からなる量子井戸構造層と、を有し、ベース層は、互いに異なるＡｌ組成を有するＡｌＧａＮからなる複数の副ベース層を有する。

Abstract translation: 一种半导体发光器件包括：具有第一导电类型的第一半导体层; 包括形成在第一半导体层上的发光层的发光功能层; 以及形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型的第二半导体层。 发光层包括：具有这样的组成的基层，其经历来自第一半导体层的应力应变并且具有形成为无规网格的多个基部段; 以及由至少一个量子阱层构成的量子阱结构层，其以嵌入该基极层的方式形成，以及至少一个阻挡层。 基底层具有由具有相互不同的Al成分的AlGaN组成的多个辅助基底层。

公开(公告)号：WO2016002684A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/JP2015/068609

申请日：2015-06-29

Applicant: ウシオ電機株式会社

Inventor： 三好　晃平 ,  月原　政志

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 　活性層に隣接するｎ型半導体層の格子不整合に起因した課題を生じさせることなく、活性層内の水平方向の電流広がりを確保して、発光効率を向上させたＬＥＤ素子を実現する。　本発明のＬＥＤ素子は、ｎ型窒化物半導体で構成された第一半導体層と、第一半導体層の上層に形成され、Ａｌ ｘ１ Ｇａ ｙ１ Ｉｎ ｚ１ Ｎ（０＜ｘ１＜１，０＜ｙ１＜１，０＜ｚ１＜１，ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）の四元混晶で構成された第二半導体層と、第二半導体層の上層に形成され、膜厚が１０ｎｍ以上のＩｎ ｘ２ Ｇａ １－ｘ２ Ｎ（０＜ｘ２＜１）で構成される第三半導体層と、Ａｌ ｘ３ Ｇａ ｙ３ Ｉｎ ｚ３ Ｎ（０＜ｘ３＜１，０＜ｙ３＜１，０≦ｚ３＜１，ｘ３＋ｙ３＋ｚ３＝１）で構成された第四半導体層との積層構造で構成されたヘテロ構造体と、ヘテロ構造体の上層に形成され、ｐ型窒化物半導体で構成された第五半導体層とを備える。

Abstract translation: 实现了通过确保在有源层内在水平方向上的电流扩展而不会由于与有源层相邻布置的n型半导体层中的晶格失配而引起问题而提高发光效率的LED元件。 根据本发明的LED元件设置有：由n型氮化物半导体构成的第一半导体层; 第二半导体层，其形成在第一半导体层的顶部，并且由Al x GeGn 1 Inz 1 N（其中0

公开(公告)号：WO2014194613A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：PCT/CN2013/088106

申请日：2013-11-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 马磊

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133603 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0029 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30

Abstract: 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以实现一种结构简单的阵列基板、液晶显示面板和显示装置。所述阵列基板包括：基板（1）；位于所述基板上呈矩阵排列的多个亚像素单元（2），还包括：光致发光器件（3），所述光致发光器件（3）位于所述亚像素单元（2）中，且所述光致发光器件（3）发射与所述亚像素单元（2）的颜色对应的光。

公开(公告)号：WO2014184995A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/001812

申请日：2014-03-28

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 黒田　正行 ,  柳原　学 ,  沖　伸一

IPC: H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0033 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本開示の窒化物半導体装置は、基板の上方に配置された第１の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上方に配置された第２の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層の上方に配置された第１の電極、第２の電極、ｐｎ発光体と、を備える。第２の窒化物半導体層のバンドギャップが第１の窒化物半導体層のバンドギャップよりも大きく、ｐｎ発光体は、ｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層とを有し、ｐｎ発光体が発する発光エネルギー値が、第１の窒化物半導体層に存在する電子捕獲順位より大きく、且つ第２の窒化物半導体層に存在する電子捕獲順位より大きい。

Abstract translation: 所公开的氮化物半导体器件设置有：布置在衬底上方的第一氮化物半导体层; 布置在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层; 以及布置在第二氮化物半导体层上方的第一电极，第二电极和p-n发光体。 第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。 p-n发光体具有p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层。 p-n发光体的发射能量高于第一氮化物半导体层的电子俘获电平，并且还高于第二氮化物半导体层的电子俘获电平。

公开(公告)号：WO2014154690A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/EP2014/055964

申请日：2014-03-25

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ROBIN, Ivan-Christophe ,  BONO, Hubert

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: Diode électroluminescente (100) comportant : - une première couche (102) de semi-conducteur dopé n apte à former une cathode, et une deuxième couche (104) de semi-conducteur dopé p apte à former une anode, et formant ensemble une jonction p-n de la diode; - une zone active (105) disposée entre la première couche et la deuxième couche, comprenant au moins deux couches émissives (106) comportant du semi-conducteur et aptes à former des puits quantiques, et une pluralité de couches barrières (108) de semi-conducteur telles que chaque couche émissive soit disposée entre deux couches barrières; - une couche tampon (110) de semi-conducteur dopé n disposée entre la première couche et la zone active, ledit semi-conducteur dopé n de la couche tampon comportant une énergie de bande interdite inférieure ou égale à environ 97 % de l'énergie de bande interdite du semi-conducteur dopé p de la deuxième couche.

Abstract translation: 发光二极管（100）包括：能够形成阴极的n掺杂半导体的第一层（102）和能够形成阳极的p掺杂半导体的第二层（104），并且一起形成pn结 的二极管; 布置在所述第一层和所述第二层之间的活性区（105），包括至少两个包含所述半导体并且能够形成量子阱的发光层（106），以及多个半导体势垒层（108），使得每个 发光层位于两个阻挡层之间; 以及放置在第一层和有源区之间的n掺杂半导体缓冲层（110），所述缓冲层的n掺杂半导体的带隙能量低于或等于p位带能隙的约97％ 第二层的掺杂半导体。

公开(公告)号：WO2014134871A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/CN2013/075684

申请日：2013-05-16

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 林鸿亮 ,  吴超瑜 ,  黃苡叡 ,  吴俊毅 ,  陶青山

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/12 ,  A01G7/045 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/30 ,  Y02P60/149

Abstract: 提供一种用于植物照明的LED，具有基板（11），设置在基板（11）上的PN结型的发光部，发光部具有组成式为Ga X In (1-X) As Y P (1-Y) 的应变发光层，其中X和Y是分别满足0 X In (1-X) As Y P (1-Y) ，发光效率可提升50~100% 。

公开(公告)号：WO2014125092A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/EP2014/052957

申请日：2014-02-14

Applicant: TARKOTTA, Gunter

Inventor： LUTGEN, Stephan ,  MURAD, Saad ,  CHITNIS, Ashay

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/267 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025

Abstract: The invention relates to an epitaxial group-ill-nitride buffer-layer structure (100) on a heterosubstrate, wherein the buffer-layer structure (100) comprises at least one stress- management layer sequence S including an interlayer structure (530) arranged between and adjacent to a first and a second group-ill-nitride layer (120, 140), wherein the inter¬layer structure (530) comprises a group-ill-nitride interlayer material having a larger band gap than the materials of the first and second group-ill-nitride layers (120, 140), and wherein a p-type-dopant-concentration profile drops, starting from at least 1 x10 18 cm -3 , by at least a factor of two in transition from the interlayer structure (530) to the first and second group-ill-nitride layers (120, 140).

Abstract translation: 本发明涉及一种异质衬底上的外延基 - 氮化物缓冲层结构（100），其中缓冲层结构（100）包括至少一个应力管理层序列S，其包括层间结构（530） 并且与第一和第二组氮化物层（120,140）相邻，其中所述层间结构（530）包括具有比所述第一和第二氮化物层的材料更大的带隙的组氮化物中间层材料 第二组氮化物层（120,140），并且其中p型掺杂剂浓度分布从至少1×10 18 cm -3开始至少两倍从层间结构转变（ 530）连接到第一和第二组氮化物层（120,140）。

公开(公告)号：WO2014101798A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/CN2013/090572

申请日：2013-12-26

Applicant: 映瑞光电科技(上海)有限公司

Inventor： 武乐可

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/64 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2933/0083

Abstract: 提供一种倒装光子晶体LED芯片的制造方法，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括外延生长面和出光面（S021）；在所述初始衬底的外延生长面进行纳米压印工艺，形成纳米级图形化衬底（S022）；在所述纳米级图形化衬底的外延生长面上形成倒装LED结构（S023）；在所述纳米级图形化衬底的出光面进行纳米压印工艺，形成倒装光子晶体LED芯片（S024）。由于在出光面形成了光子晶体结构，使得光出射率提高，提高LED的发光效率。

公开(公告)号：WO2014101649A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/CN2013/088915

申请日：2013-12-10

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 叶孟欣 ,  吴志强 ,  李水清

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种具有局部掺杂p型限制结构的氮化物发光二极管，包括有氮化物半导体形成的n型层（102）、活性层（103）和p型层（105），在p型层与活性层之间还设置有p型限制结构（104），其特征在于：p型限制结构为多层结构，其与活性层接触的端部为氮化铝铟镓材料层（104a），氮化铝铟镓材料层为局部掺杂，且与活性层的接触面未掺杂。可提高发光效率并且提供更低的电压与较佳的老化特性。