公开(公告)号：WO2012062059A1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/CN2011/070996

申请日：2011-02-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/28017

公开(公告)号：WO2012068854A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/CN2011/075002

申请日：2011-05-31

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  李永亮 ,  庞志涛

Inventor： 李永亮 ,  庞志涛

IPC: H04L29/12

CPC classification number: H04L61/103 ,  H04L61/2069 ,  H04L61/6022

Abstract: 本发明公开了一种MAC地址更新方法及装置，均可根据收到的报文获得IPv4版本的组播组IP地址或IPv6版本的组播组IP地址；当获得IPv4版本的组播组IP地址时，将获得的IPv4版本的组播组IP地址映射为组播MAC地址；当获得IPv6版本的组播组IP地址时，将获得的IPv6版本的组播组IP地址映射为组播MAC地址；根据所述组播MAC地址更新公共MAC地址表。本发明方法及装置，均可实现对MAC地址的统一更新及维护。

公开(公告)号：WO2011130890A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/CN2010/001459

申请日：2010-09-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  李永亮 ,  徐秋霞

Inventor： 李永亮 ,  徐秋霞

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

公开(公告)号：WO2008113257A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/CN2008/000519

申请日：2008-03-17

Applicant: 中山大学 ,  住友商事株式会社 ,  沈培康 ,  吴梅 ,  梁剑莹 ,  李永亮 ,  上村正昭 ,  藤田康弘

Inventor： 沈培康 ,  吴梅 ,  梁剑莹 ,  李永亮 ,  上村正昭 ,  藤田康弘

IPC: C01B3/04 ,  C25B7/00 ,  H01M8/06

CPC classification number: C25B1/02 ,  C25B1/22 ,  H01M8/04216 ,  H01M8/065 ,  Y02E60/364

Abstract: A method for preparing hydrogen through decomposing sodium borohydride by catalyst, comprises: disposing two electrodes in a vessel containing a solution of NaBH 4 , wherein one of the electrodes is positive electrode and the other is negative electrode; applying a direct current stabilized voltage supply to produce a direct current electric field between the two electrodes; removing sodium metaborate colloid produced from the decomposition of NaBH 4 , through moving the colloid to the positive electrode by electrophoresis under the effect of the electric field. The method can be applied in convenience, and ensure the decomposing reaction to be carried out in a relatively stable speed.

公开(公告)号：WO2012113247A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/CN2011/082538

申请日：2011-11-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：WO2012071906A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/CN2011/078730

申请日：2011-08-22

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  李永亮 ,  沈洋 ,  赵艳杰

Inventor： 李永亮 ,  沈洋 ,  赵艳杰

IPC: H04L12/56

CPC classification number: H04L45/16 ,  H04L45/24

公开(公告)号：WO2011153843A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/CN2011/071055

申请日：2011-02-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：WO2011124003A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/CN2010/001456

申请日：2010-09-21

Applicant: 中国科学院微电子研究院 ,  徐秋霞 ,  李永亮

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：WO2013016917A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/CN2011/082585

申请日：2011-11-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  徐秋霞 ,  李永亮 ,  许高博

Inventor： 徐秋霞 ,  李永亮 ,  许高博

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO 2 -1，接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO 2 -2和第二种高K栅介质/金属栅叠层，并生长硬掩膜-2，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-2，腐蚀未被图形-2覆盖的第二种金属栅和高K栅介质，露出第一金属栅上的硬掩膜-1。腐蚀去净硬掩膜-1和硬掩膜-2，淀积多晶硅和硬掩膜-3后进行栅图形光刻和刻蚀，形成叠层栅结构，淀积介质膜并刻蚀形成侧墙-1。然后按常规工艺形成源漏及其延伸区，硅化后完成接触和金属化。