公开(公告)号：WO2013035476A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/070154

申请日：2012-08-08

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  毛利 勇

Inventor： 梅崎　智典 ,  毛利　勇

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 　本発明のドライエッチング方法は、基板上に形成されている、シリコン層と絶縁層が積層している層状構造を有する積層膜において、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングする際、エッチングガスとして、ＣｌＦ 3 、ＢｒＦ 5 、ＢｒＦ 3 、ＩＦ 7 、ＩＦ 5 から選ばれる少なくとも１種類のガスとＦ 2 とを含有するガスを用いることを特徴とする。これにより、シリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制することができる。

Abstract translation: 该干蚀刻方法的特征在于，当内层出现硅层时，使用含有F 2和选自ClF 3，BrF 5，BrF 3，IF 7和IF 5中的至少一种气体作为蚀刻气体的气体 使用具有层叠结构的多层膜中的蚀刻气体蚀刻在垂直方向上形成在基板表面中的孔或槽的表面，其中形成硅层和绝缘层，所述多层膜形成 在基板上。 因此，可以抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀性。

公开(公告)号：WO2012014565A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/JP2011/062652

申请日：2011-06-02

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  武田 雄太

Inventor： 梅崎　智典 ,  武田　雄太

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 開示されているのは、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内にあるプラズマを発生させる平行平板電極表面に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、または金属含有物を、Ｆ 2 またはＣＦ 3 ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いてプラズマを発生させることにより除去する方法において、該クリーニングガスの存在下で印加電力密度が０．０５Ｗ／ｃｍ 2 以上０．５Ｗ／ｃｍ 2 以下の範囲内のプラズマを発生させて該堆積物を除去することを特徴とする、平行平板電極のプラズマクリーニング方法である。この方法では、平行平板電極の損傷を抑制できる。

Abstract translation: 所公开的平行板电极的等离子体清洁方法使用含有F2或CF3OF的气体作为清洁气体，并产生等离子体，以便除去积聚在等离子体发生平行表面上的含Si材料，含Ge材料或含金属材料 位于平行板式等离子体CVD装置的反应室中的板状电极，其中通过在存在所述清洁气体的情况下通过产生具有0.05W / cm 2至0.5W / cm 2的功率密度的等离子体来除去所述积聚物。 使用这种方法可以防止平行板电极损坏。

公开(公告)号：WO2010055768A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/JP2009/068372

申请日：2009-10-27

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  毛利 勇 ,  中原 啓太

Inventor： 梅崎　智典 ,  毛利　勇 ,  中原　啓太

IPC: C01G17/04

CPC classification number: C01G17/04

Abstract: 　本発明では、金属ゲルマニウムと希釈ガスが充填されている反応器にフッ素ガスを供給する工程と、反応器より放出される気体を冷却捕集器に通過させて反応生成物である四フッ化ゲルマニウムを捕集する工程と、冷却捕集器を通過するガスを再び反応器へ戻し循環させる工程と、を含む四フッ化ゲルマニウムの製造方法が提供される。このように閉鎖系でガスを循環させることにより、安全に且つ高効率に四フッ化ゲルマニウムを製造することができる。

Abstract translation: 一种生产四氟化锗的方法，包括将氟气供应到填充有锗金属和稀释气体的反应器中的步骤; 通过将从反应器排出的气体通过冷却收集单元来收集作为反应产物的四氟化锗的步骤，以及将通过冷却收集单元的气体循环回到反应器的步骤。 通过如上所述在封闭系统中循环气体，可以安全有效地生产四氟化锗。

公开(公告)号：WO2012117758A1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：PCT/JP2012/051025

申请日：2012-01-19

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  武田 雄太

Inventor： 梅崎　智典 ,  武田　雄太

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B9/027 ,  C23C16/4405

Abstract: 開示されているのは、組成式ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ（０≦ｘ≦１）で表される組成物を成膜する装置の成膜チャンバー内あるいは排気配管内に堆積する組成式ＭｇａＺｎｂＯＨｃ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、且つ、０．５≦ａ＋ｂ≦１）で表される組成物を、クリーニングガスを用いて除去するドライクリーニング方法である。この方法は、β―ジケトンを含むクリーニングガスを用い、１００℃以上４００℃以下の温度で堆積する該組成物と該クリーニングガスを反応させることにより、該組成物を除去することを特徴とする。この方法によって、低温にて該装置を開放することなく該組成物を除去できる。

Abstract translation: 公开了一种干洗方法，其中使用清洁气体除去组成式MgaZnbOHc（其中，0 = a = 1,0 = b = 1,0 = c = 1和0.5 = a + b = 1），其积聚在用于形成由组成式Mg x Zn 1-x O（其中，0 = x = 1）表示的组合物的沉积室或排气管中的膜中。 该方法的特征在于通过使用含有β-二酮的清洁气体除去组合物，并使积聚的组合物与清洁气体在100℃至400℃的温度下反应。 该方法使组合物在低温下被除去而不打开装置。

公开(公告)号：WO2010067713A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/JP2009/069916

申请日：2009-11-26

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  宮崎 達夫 ,  毛利 勇 ,  梅崎 智典 ,  中原 啓太 ,  武田 雄太

Inventor： 宮崎　達夫 ,  毛利　勇 ,  梅崎　智典 ,  中原　啓太 ,  武田　雄太

IPC: C01B21/083 ,  C01B7/24

CPC classification number: C01B21/0835 ,  C01B7/24

Abstract: 　本発明の三フッ化窒素又は塩化フッ素化合物の製造方法、原料ガスとして、一般式［ＮＦ x Ｃｌ 3-x （Ｘ＝１又は２）］で表されるフッ化塩化窒素を含むガスと、ＨＦ又はＦ 2 を含むガスとを混合して反応器に導入することで、ＮＦ 3 、ＣｌＦ及びＣｌＦ 3 を含む反応生成ガスを得る工程を有し、原料ガス中のフッ化塩化窒素の濃度を１～１５体積％とすることを特徴とする。この方法により、三フッ化窒素又は塩化フッ素化合物の生産性の向上、及び生産時の安全性の向上を図ることができる。

Abstract translation: 制备三氟化氮或氟化氟化合物的方法的特征在于具有以下方法：通过将通式[NF x Cl 3-x（X = 1或...）表示的含有氟化氢的气体混合，从而获得含有NF 3，ClF和ClF 3的反应产物气体 2）]和含有HF或F2的气体，并将其引入作为原料气体的反应器中，并且通过原料气体中的氟化氯浓度为1-15体积％。 该方法可以提高三氟化氮和氟氟化合物的生产率，并提高生产过程中的安全性。

公开(公告)号：WO2013027653A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/JP2012/070847

申请日：2012-08-16

Applicant: 大日本スクリーン製造株式会社 ,  セントラル硝子株式会社 ,  基村 雅洋 ,  梅崎 智典 ,  菊池 亜紀応

Inventor： 基村　雅洋 ,  梅崎　智典 ,  菊池　亜紀応

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6719 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 　絶縁膜と導電性膜とを積層した積層膜に形成した孔の内周面から導電性膜を選択的に精度良く後退させたパターンを基板上に形成することができるパターン形成方法。パターン形成方法は、基板上に、絶縁膜およびポリシリコン膜を交互に積層して、前記絶縁膜および前記ポリシリコン膜をそれぞれ少なくとも２層含む積層膜を形成する工程と、少なくとも２層の前記絶縁膜および少なくとも２層の前記ポリシリコン膜を貫通する孔を前記積層膜に形成する工程と、フッ素系ハロゲンガスを不活性ガスで希釈したエッチングガスを前記孔内に導入して行う等方的エッチングによって、前記孔の側壁から前記ポリシリコン膜を選択的にエッチングする選択エッチング工程とを含む。

Abstract translation: 一种图案形成方法，通过在由绝缘膜和与其叠置的导电膜构成的多层膜中形成孔而在基板上形成图案，并且选择性地且精确地将导电膜从面向孔的内周面凹陷。 图案形成方法包括：将绝缘膜和多晶硅膜交替地重叠在基板上以形成包括至少两层绝缘膜和至少两层多晶硅膜的多层膜的步骤; 在所述多层膜中形成有贯穿所述至少两个绝缘膜层和所述至少两个多晶硅膜层的孔的工序; 以及选择性蚀刻步骤，其中通过各向同性蚀刻从孔的侧壁选择性地蚀刻多晶硅膜层，其中通过用惰性气体稀释氟基卤素气体获得的蚀刻气体被引入孔中。

公开(公告)号：WO2013015033A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/065074

申请日：2012-06-13

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  菊池 亜紀応 ,  梅崎 智典 ,  日比野 泰雄 ,  毛利 勇 ,  岡本 覚

Inventor： 菊池　亜紀応 ,  梅崎　智典 ,  日比野　泰雄 ,  毛利　勇 ,  岡本　覚

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。 【解決手段】（Ａ）式：Ｃ a Ｆ b Ｈ c （式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ 2 、Ｏ 3 、ＣＯ、ＣＯ 2 、ＣＯＣｌ 2 、ＣＯＦ 2 、Ｆ 2 、ＮＦ 3 、Ｃｌ 2 、Ｂｒ 2 、Ｉ 2 及びＹＦ n （但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１～５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ 2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。

Abstract translation: [问题]提供对全球环境影响不大但具有所需性能的干蚀刻剂。 [溶液]本发明提供一种干蚀刻剂，其特征在于，以（体积％）表示（A）由式CaFbHc表示的含氟不饱和烃（其中a，b和c分别为正整数，满足2 a 5，c> 1,2a + 2> b + c，ba + c，不包括a = 3，b = 4或c = 2的情况），（B）选自由O2组成的组中的至少一种气体 ，O3，CO，CO2，COCl2，COF2，F2，NF3，Cl2，Br2，I2和YFn（其中Y是Cl，Br或I，n是1和5之间的整数），和（C）至少一个 选自由N 2，He，Ar，Ne，Xe和Kr组成的组的气体。

公开(公告)号：WO2011093263A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/JP2011/051304

申请日：2011-01-25

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  日比野 泰雄 ,  梅崎 智典 ,  菊池 亜紀応 ,  毛利 勇 ,  岡本 覚

Inventor： 日比野　泰雄 ,  梅崎　智典 ,  菊池　亜紀応 ,  毛利　勇 ,  岡本　覚

IPC: H01L21/3065 ,  C07C21/22 ,  C09K13/00

CPC classification number: H01L21/31055 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

Abstract: 　本発明のドライエッチング剤は、化学式ＣＦ 3 Ｃ≡ＣＸ（但し、ＸはＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨ 3 、ＣＦＨ 2 又はＣＦ 2 Ｈを表す。）で表されるフッ素化プロピンと、（Ｂ）Ｏ 2 、Ｏ 3 、ＣＯ、ＣＯ 2 、ＣＯＣｌ 2 、及びＣＯＦ 2 からなる群より選ばれる少なくとも１種のガス、（Ｃ）Ｆ 2 、ＮＦ 3 、Ｃｌ 2 、Ｂｒ 2 、Ｉ 2 、及びＹＦ n （式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは整数を表し、１≦ｎ≦５である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガス、及び（Ｄ）ＣＦ 4 、ＣＨＦ 3 、Ｃ 2 Ｆ 6 、Ｃ 2 Ｆ 5 Ｈ、Ｃ 2 Ｆ 4 Ｈ 2 、Ｃ 3 Ｆ 8 、Ｃ 3 Ｆ 4 Ｈ 2 、Ｃ 3 ＣｌＦ 3 Ｈ、及びＣ 4 Ｆ 8 からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスのいずれか、を含むことを特徴とし、環境への負荷が軽いという効果を奏するとともに、プロセスウインドウが広く、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。

Abstract translation: 本发明提供含有氟化丙炔的化学式CF 3 C = CX（其中X为H，F，Cl，Br，I，CH 3，CFH 2或CF 2 H）的干蚀刻剂，（B）至少一种选自 由O 2，O 3，CO，CO 2，COCl 2和COF 2组成的组，（C）选自由F2，NF3，Cl2，Br2，I2和YFn组成的组中的至少一种气体（其中Y为Cl，Br， 或I，n为1 = n = 5的整数）和（D）选自CF 4，CHF 3，C 2 F 6，C 2 F 5 H，C 2 F 4 H 2，C 3 F 8，C 3 F 4 H 2，C 3 ClF 3 H和C 4 F 8的至少一种气体。 在环境中几乎没有压力，处理窗口大，并且该代理适合于需要高纵横比的处理，而无需特殊的基板激励处理等。

公开(公告)号：WO2011070849A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/JP2010/067911

申请日：2010-10-13

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  徳永 敦之

Inventor： 梅崎　智典 ,  徳永　敦之

IPC: C22C21/00 ,  C01B3/08 ,  C22C1/02 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06

CPC classification number: C01B3/08 ,  C22C1/02 ,  C22C12/00 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  Y02E60/36

Abstract: 本発明の水素発生用合金は、アルミニウムを含む第１の金属と、亜鉛、マグネシウム、ケイ素から選ばれる少なくとも１種類の金属を含む第２の金属と、融点が２３０℃以下である低融点金属を含む第３の金属と、を、アルミニウムの融点以上の温度に加熱して、第１～第３の金属を含む溶融合金を得る第１のステップと、前記溶融合金を、固体材料に接触させて冷却して固化する第２のステップと、によって製造される。該水素発生用合金は、取り扱いが容易で、水に接触させるだけで水素を発生し、長時間に渡って安定して水素ガスを発生し続け、水素発生効率の向上を図ることができる。

Abstract translation: 公开了一种用于产氢的合金，其通过第一步骤制备，其中含有铝的第一金属，含有至少一种选自锌，镁和硅的金属的第二金属和含有低熔点金属的第三金属具有 将不高于230℃的熔点加热到不低于铝的熔点的温度，从而获得含有第一至第三金属的熔融合金，以及第二步骤，其中使熔融合金 与固体材料接触，从而被冷却和固化。 用于产生氢气的合金易于处理，并且通过仅与水接触并且持续长时间地稳定地产生氢气而产生氢，从而实现提高的氢产生效率。

公开(公告)号：WO2012114611A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/JP2011/078855

申请日：2011-12-14

Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  梅崎 智典 ,  大森 啓之

Inventor： 梅崎　智典 ,  大森　啓之

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/50 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 　本発明のクリーニングガスは、一般式ＣＦ x Ｏ y ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１～３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１～４の整数を表す。］で表される化合物とＮ 2 が含有されている混合ガスであり、ＣＶＤ装置の反応チャンバー内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するために用いられる。該クリーニングガスは、ＮＦ 3 を用いた従来のクリーニングガスと比べ、地球温暖化係数が低く、高いエッチング速度が得られる。

Abstract translation: 提供了一种清洁气体，其是包含由下式表示的化合物CF x O y（其中x为2或4，y =当x = 2或y = 1至4的整数时为1至3的整数的混合气体） 当x = 4）和N2时。 清洁气体用于通过远程等离子体清洗方法除去沉积在CVD装置的反应室中的Si含量，Ge含量或金属含量。 与使用NF3的常规清洁气体相比，清洁气体实现了更低的全球变暖系数和更快的蚀刻速度。