公开(公告)号：WO2012095597A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/FR2012/050047

申请日：2012-01-09

Applicant: NEXCIS ,  BROUSSILLOU, Cédric ,  MORIN, Eric ,  BODNAR, Sylvie ,  NEMER, Maroun ,  CLODIC, Denis

Inventor： BROUSSILLOU, Cédric ,  MORIN, Eric ,  BODNAR, Sylvie ,  NEMER, Maroun ,  CLODIC, Denis

IPC: H01L31/032 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/5866 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de traitement thermique avec enrichissement en élément VI d'un matériau (1 ) en couche mince, le procédé comprenant une ou plusieurs étapes d'enrichissement pendant lesquelles le matériau (1 ) est mis en contact avec un gaz réactif (5a) comprenant de l'élément VI à une pression partielle contrôlée, le procédé étant caractérisé en ce que, pour chaque étape d'enrichissement, le matériau (1 ) est placé dans un réacteur (3, 4, 5, 6, 7) où est injecté le gaz réactif de l'étape d'enrichissement, le gaz réactif étant obtenu en faisant barboter un gaz vecteur (16b) dans une charge (16a) comprenant de l'élément VI placée dans un conteneur (16) et en maintenant dans le conteneur des conditions de température et de pression choisies pour que le gaz réactif (5a) comprenne de l'élément VI dans une fraction massique prédéterminée (Xs) pour l'étape d'enrichissement.

Abstract translation: 本发明涉及一种热处理方法，其包括用VI族元素富集薄膜材料（1），所述方法包括一种或多种富集步骤，在该步骤中材料（1）与反应性气体接触 5a）包括在受控分压下的VI族元素，所述方法的特征在于，对于每个富集步骤，将材料（1）置于反应器（3,4,5,6,7）中，反应器 进料富集步骤的气体，所述反应性气体是通过使包含VI族元素的原料（16a）中的载气（16b）鼓泡并将其置于容器（16）中并通过保持温度和压力而获得的 选择的容器中的条件使得反应气体（5a）包括用于富集步骤的预定质量分数（Xs）的VI族元素。

公开(公告)号：WO2008115266A2

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2007080214

申请日：2007-10-02

Applicant: ATMEL CORP ,  COPPARD ROMAIN ,  BODNAR SYLVIE

Inventor： COPPARD ROMAIN ,  BODNAR SYLVIE

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/28273 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/891

Abstract: A technique to form metallic nanodots in a two-step process involving: (1) reacting a silicon-containing gas precursor (101) (e.g., silane) to form silicon nuclei (117) over a dielectric film layer (103B); and (2) using a metal precursor to form metal nanodots where the metal nanodots use the silicon nuclei (117) from step (1) as nucleation points. Thus, the original silicon nuclei (117) are a core material for a later metallic encapsulation step. Metallic nanodots have applications in devices such as flash memory transistors.

Abstract translation: 一种在两步法中形成金属纳米点的技术，包括：（1）使含硅气体前体（101）（例如硅烷）与电介质膜层（103B）之间的硅核（117）反应; 和（2）使用金属前体形成金属纳米点，其中金属纳米点使用来自步骤（1）的硅核（117）作为成核点。 因此，原来的硅核（117）是用于稍后的金属封装步骤的芯材料。 金属纳米点在诸如闪存晶体管的器件中具有应用。

公开(公告)号：WO2009118353A3

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/EP2009053539

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ JOEL ,  VANDROUX LAURENT ,  MUR PIERRE ,  BODNAR SYLVIE

Inventor： DUFOURCQ JOEL ,  VANDROUX LAURENT ,  MUR PIERRE ,  BODNAR SYLVIE

IPC: C30B25/00 ,  C23C16/56 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/56 ,  H01L29/42332

Abstract: A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported by a substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals. The nanocrystals can be out Ni, Pt, Ag, or W with a shell of SiO2.

Abstract translation: 形成器件的方法包括：形成围绕由衬底支撑的金属纳米晶体的保护壳。 具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。 纳米晶体可以出现具有SiO 2壳的Ni，Pt，Ag或W。

公开(公告)号：WO2009118353A2

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/EP2009/053539

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

Inventor： DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/56 ,  H01L29/42332

Abstract: A method of forming a device includes forming protective shells about metallic nanocrystals supported bya substrate. The metallic nanocrystals having protective shells are encapsulated with a layer formed with process parameters that are not compatible with the integrity of unprotected metallic nanocrystals.

Abstract translation: 一种形成器件的方法包括：在由衬底支撑的金属纳米晶体上形成保护壳。 具有保护壳的金属纳米晶体被封装有与不受保护的金属纳米晶体的完整性不相容的工艺参数形成的层。

公开(公告)号：WO2008115266A3

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2007/080214

申请日：2007-10-02

Applicant: ATMEL CORPORATION ,  COPPARD, Romain ,  BODNAR, Sylvie

Inventor： COPPARD, Romain ,  BODNAR, Sylvie

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20

Abstract: A technique to form metallic nanodots in a two-step process involving: (1) reacting a silicon-containing gas precursor (101) (e.g., silane) to form silicon nuclei (117) over a dielectric film layer (103B); and (2) using a metal precursor to form metal nanodots where the metal nanodots use the silicon nuclei (117) from step (1) as nucleation points. Thus, the original silicon nuclei (117) are a core material for a later metallic encapsulation step. Metallic nanodots have applications in devices such as flash memory transistors.

公开(公告)号：WO2009118354A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/EP2009/053540

申请日：2009-03-25

Applicant: ATMEL ROUSSET SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

Inventor： DUFOURCQ, Joel ,  VANDROUX, Laurent ,  MUR, Pierre ,  BODNAR, Sylvie

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881 ,  Y10T428/256

Abstract: A device and method include forming a mask on a substrate supporting a plurality of metallic nanocrystals such that a portion of the metallic nanocrystals is exposed. Protective shells are formed about the exposed metallic nanocrystals. Unprotected metallic nanocrystals are removed.

Abstract translation: 一种器件和方法包括在支撑多个金属纳米晶体的衬底上形成掩模，使得一部分金属纳米晶体暴露。 围绕暴露的金属纳米晶体形成保护壳。 去除未保护的金属纳米晶体。