公开(公告)号：WO2005017975A3

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：PCT/US2004009773

申请日：2004-03-31

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  LUTZ MARKUS ,  PARTRIDGE AARON ,  KRONMUELLER SILVIA

Inventor： LUTZ MARKUS ,  PARTRIDGE AARON ,  KRONMUELLER SILVIA

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/00 ,  H01L20060101 ,  H01L21/00 ,  H01L27/01 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00126

Abstract: The present invention is directed to a MEMS device (12) and technique of fabricating or manufacturing the MEMS device (12) having mechanical structures (20a, 20b, 20c) and anchors (30a, 30b, 30c) to secure the mechanical structures (20a, 20b, 20c) to the substrate (14). The anchors (30a, 30b, 30c) of the present invention are comprised of a material that is relatively unaffected by the release processes of the mechanical structures (20a, 20b, 20c). In this regard, the etch release process is selective or preferential to the material(s) securing the mechanical structures (20a, 20b, 20c) in relation to the material comprising the anchors (30a, 30b, 30c). Moreover, the anchors (30a, 30b, 30c) of the present invention are secured to the substrate (14) in such a manner that removal of the insulation layer has little to no affect on the anchoring of the mechanical structures (20a, 20b, 20c) to the substrate (14).

Abstract translation: 本发明涉及一种MEMS器件（12）以及制造或制造具有机械结构（20a，20b，20c）和锚（30a，30b，30c）以固定机械结构（20a）的MEMS装置（12）的技术 ，20b，20c）连接到基板（14）。 本发明的锚固件（30a，30b，30c）由相对不受机械结构（20a，20b，20c）的释放过程影响的材料构成。 在这方面，蚀刻释放过程是选择性的或优先于相对于包括锚固件（30a，30b，30c）的材料固定机械结构（20a，20b，20c）的材料。 此外，本发明的锚固件（30a，30b，30c）以这样的方式被固定到基底（14），使得绝缘层的移除对机械结构（20a，20b， 20c）连接到基板（14）。

公开(公告)号：WO2005017975A2

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：PCT/US2004/009773

申请日：2004-03-31

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  LUTZ, Markus ,  PARTRIDGE, Aaron ,  KRONMUELLER, Silvia

Inventor： LUTZ, Markus ,  PARTRIDGE, Aaron ,  KRONMUELLER, Silvia

IPC: H01L

CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00126

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device having mechanical structures and anchors to secure the mechanical structures to the substrate. The anchors of the present invention are comprised of a material that is relatively unaffected by the release processes of the mechanical structures. In this regard, the etch release process are selective or preferential to the material(s) securing the mechanical structures in relation to the material comprising the anchors. Moreover, the anchors of the present invention are secured to the substrate in such a manner that removal of the insulation layer has little to no affect on the anchoring of the mechanical structures to the substrate.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 一方面，本发明涉及一种MEMS器件，以及制造或制造具有机械结构和锚固件以将机械结构固定到基底的MEMS器件的技术。 本发明的锚固件由相对不受机械结构的释放过程影响的材料构成。 在这方面，蚀刻释放过程是选择性的或优先于相对于包括锚固件的材料固定机械结构的材料。 此外，本发明的锚固件以这样一种方式被固定到基底上，使得绝缘层的去除对机械结构锚固到基底上几乎没有影响。

公开(公告)号：WO2011067023A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/EP2010/065209

申请日：2010-10-11

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  NEUL, Reinhard ,  BISCHOPINK, Georg ,  LAERMER, Franz ,  SCHUMANN, Bernd ,  KRONMUELLER, Silvia

Inventor： NEUL, Reinhard ,  BISCHOPINK, Georg ,  LAERMER, Franz ,  SCHUMANN, Bernd ,  KRONMUELLER, Silvia

IPC: H01M2/34 ,  H01M6/50 ,  H01M10/48 ,  F24D1/04 ,  H01H39/00 ,  H02J7/00

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01H39/006 ,  H01H2039/008 ,  H01M10/48 ,  H01M2200/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (1), insbesondere für eine Batterieanordnung (1), umfassend mindestens eine Leiterbahn (3) auf einem Substrat (2), wobei die Leiterbahn (3) mittels einer auf oder in dem Substrat (2) angeordneten pyrotechnischen Ladung (8) und einer mit dieser pyrotechnischen Ladung (8) funktionell verbundenen Auslöseeinrichtung elektrisch trennbar ist. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Batterieanordnung (10) umfassend ein erfindungsgemäßes Bauelement (1), sowie ein Verfahren zum verbesserten Betrieb einer Batterieanordnung.

Abstract translation: 本发明涉及一种组件（1），特别是用于电池组件（1），包括至少一个导体轨道（3）的基板（2），其中，所述导体带（3）通过的一个上或在所述衬底的装置（2）布置烟火装药上 （8）和与该烟火装药（8）跳闸装置可操作地连接电分离。 本发明还涉及包含本发明（1），和用于电池组件的改进的操作的过程的一个组成部分的电池组件（10）。

公开(公告)号：WO2008049688A1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：PCT/EP2007/059448

申请日：2007-09-10

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FUCHS, Tino

Inventor： LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FUCHS, Tino

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/031

Abstract: Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat und einem Funktionselement vorgeschlagen, wobei das Funktionselement eine Funktionsoberfläche mit einer wenigstens bereichsweise aufgebrachten Antihaftschicht zur Reduzierung von Oberflächenhaftkräften aufweist, wobei ferner die Antihaftschicht gegenüber einer Temperatur von über 800 °C stabil ist.

Abstract translation: 它与基板和功能元件，其中，所述功能元件具有与至少局部地施加抗粘附层用于降低表面的粘附力的功能表面提出了一个微机械部件，进一步地，其中所述非粘性层，以高于800℃的温度下是稳定的。

公开(公告)号：WO2007147670A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：PCT/EP2007/054172

申请日：2007-04-27

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FARBER, Paul ,  ARMBRUSTER, Simon ,  LAMMEL, Gerhard ,  REICHENBACH, Ralf ,  SCHELLING, Christoph ,  FEYH, Ando

Inventor： BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  LAERMER, Franz ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FARBER, Paul ,  ARMBRUSTER, Simon ,  LAMMEL, Gerhard ,  REICHENBACH, Ralf ,  SCHELLING, Christoph ,  FEYH, Ando

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L33/346

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats (1), umfassend die Schritte Bereitstellen eines Siliziumsubstrats mit einer im Wesentlichen ebenen Siliziumoberfläche, Herstellen einer porösen Siliziumoberfläche mit einer Vielzahl von Poren (2), insbesondere mit Makroporen und/oder Mesoporen und/oder Nanoporen, Aufbringen eines in das Silizium einzubringenden Füllmaterials, welches einen Durchmesser aufweist, der kleiner als ein Durchmesser der Poren (2) ist, Einbringen des Füllmaterials (3) in die Poren (2), gegebenenfalls Entfernen von überflüssigem Füllmaterial (3) von der Siliziumoberfläche, und Tempern des mit dem in die Poren (2) eingefüllten Füllmaterials (3) versehenen Siliziumsubstrats (1) bei einer Temperatur zwischen ca. 1000°C bis ca. 1400°C, um die erzeugten Poren (2) wieder zu schließen und das Füllmaterial (3) einzuschließen.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造的硅衬底（1），包括：提供具有基本上是平面的硅表面的硅衬底的步骤，准备具有多个孔（2）的多孔硅表面，特别是与大孔和/或孔，和/或 纳米孔，施加到被引入到硅填料，其直径比直径的孔（2）的小，填充材料引入（3）进入所述孔（2），任选地除去从过量的填料（3）的 硅表面，以及退火填充到孔中（2）（1）提供（3）硅衬底在温度为约1000℃至约1400℃的填充材料以关闭所创建的孔（2）再次，和 括填充材料（3）。

公开(公告)号：WO2009077234A3

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：PCT/EP2008064126

申请日：2008-10-20

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  REICHENBACH FRANK ,  LAERMER FRANZ ,  KRONMUELLER SILVIA ,  SCHEURLE ANDREAS

Inventor： REICHENBACH FRANK ,  LAERMER FRANZ ,  KRONMUELLER SILVIA ,  SCHEURLE ANDREAS

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/095 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a method for producing a capping wafer (100), in particular a seal glass capping wafer (100), for a sensor, particularly a motor vehicle sensor, with at least one cap, the method comprising the following steps: producing a via (110) through the capping wafer (100) and, subsequently, filling the via (110) with an electrically conductive material (51). The invention also relates to a method for producing a sensor stack with a capping wafer (100) produced according to the invention. The invention further relates to a capping wafer (100) with an electrical via according to the invention, a sensor with a cap according to the invention and an arrangement of a substrate comprising a sensor according to the invention.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备帽晶片（100），特别是密封玻璃帽晶片（100），用于传感器，特别是机动车辆传感器，其具有至少一个盖，其包括以下步骤：通过所述帽晶片制备的接触通孔（110）（100 ），然后用导电材料（51）填充接触通路（110）。 此外，本发明涉及一种用于根据本发明制造具有盖晶片（100）的传感器叠层的方法。 此外，本发明涉及具有根据本发明的电馈通的盖晶片（100），具有根据本发明的盖的传感器以及具有根据本发明的传感器的基板的布置。

公开(公告)号：WO2008046682A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：PCT/EP2007/058684

申请日：2007-08-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRONMUELLER, Silvia ,  FEYH, Ando ,  FUCHS, Tino ,  LEINENBACH, Christina ,  LAMMER, Marco

Inventor： KRONMUELLER, Silvia ,  FEYH, Ando ,  FUCHS, Tino ,  LEINENBACH, Christina ,  LAMMER, Marco

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: Es wird eine Verkappungstechnologie bereitgestellt, bei der trotz Freilegung der mit einer Silizium-Germanium-Füllschicht (4, 3) umgebenen Strukturen (2) mittels ClF 3 -Ätzen durch Mikroporen in der Silizium-Verkappung (7) hindurch dabei ein Ätzangriff auf die Silizium-Kappe (7, 11) verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000:1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Germanium-reichen-Schicht (5, 10) im Gegensatz zum oxidierten porösen Silizium (11) nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, zum Schutz der Silizium-Kappe (7, 11) zu nutzen.

Abstract translation: 本发明提供一种Verkappungstechnologie，尽管硅锗填充层的曝光的（4,3）周围的结构（2）由表示的ClF _{3 贯通微孔中的硅蚀刻封盖（7） 从而通过在硅帽蚀刻攻击（7，11）被阻止，或者通过特别有选择性（约10,000：1或更高）设置在蚀刻工艺本身，或通过识别一个富锗层的氧化物（ 5，10）是在对比的是氧化多孔硅（11）是不稳定的，但很容易拆卸，（保护硅帽7，利用11）。}

公开(公告)号：WO2006013137A3

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/EP2005053121

申请日：2005-07-01

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  LAERMER FRANZ ,  KRONMUELLER SILVIA ,  FUCHS TINO ,  LEINENBACH CHRISTINA

Inventor： LAERMER FRANZ ,  KRONMUELLER SILVIA ,  FUCHS TINO ,  LEINENBACH CHRISTINA

IPC: H01L21/3065 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32137 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00595 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655

Abstract: The invention relates to a method for etching a layer to be removed on a substrate (Sub), during which an Si

Abstract translation: 公开应被基板（子），其特征在于，作为要除去的层，Si <子上除去用于蚀刻层的方法

公开(公告)号：WO2004109769A3

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：PCT/US2004009492

申请日：2004-03-30

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  PARTRIDGE AARON ,  LUTZ MARKUS ,  KRONMUELLER SILVIA

Inventor： PARTRIDGE AARON ,  LUTZ MARKUS ,  KRONMUELLER SILVIA

IPC: H01L20060101 ,  H01L21/44 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14 ,  H01L29/40 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures (20a-d) encapsulated in a chamber (26) prior to final packaging. The material (28a) that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilities integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 一方面，本发明涉及一种MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室（26）中的机械结构（20a-d）。 当沉积时，封装机械结构的材料（28a）包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖度，当经受后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响性能 室内的机械结构的特征（如果在沉积期间涂覆材料）和/或与高性能集成电路的设备集成。 在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。

公开(公告)号：WO2004109769A2

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/US2004/009492

申请日：2004-03-30

Applicant: ROBERT BOSCH GmbH ,  PARTRIDGE, Aaron ,  LUTZ, Markus ,  KRONMUELLER, Silvia

Inventor： PARTRIDGE, Aaron ,  LUTZ, Markus ,  KRONMUELLER, Silvia

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

Abstract translation: 这里描述和说明了许多发明。 在一个方面，本发明涉及MEMS器件，以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在腔室中的机械结构。 当沉积时，封装机械结构的材料包括以下属性中的一个或多个：低拉伸应力，良好的阶梯覆盖，在经受后续加工时保持其完整性，不会显着和/或不利地影响 室中的机械结构（如果在沉积期间涂覆材料）和/或促进与高性能集成电路的集成。 在一个实施例中，封装机械结构的材料是例如硅（多晶，无定形或多孔，无论掺杂或未掺杂），碳化硅，硅 - 锗，锗或砷化镓。