PROCEDE DE DEPOT DE COUCHE MINCE
    2.
    发明申请
    PROCEDE DE DEPOT DE COUCHE MINCE 审中-公开
    薄膜沉积法

    公开(公告)号:WO2011039488A1

    公开(公告)日:2011-04-07

    申请号:PCT/FR2010/052073

    申请日:2010-09-30

    Abstract: L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un substrat revêtu sur au moins une partie de sa surface d' au moins une couche d'oxyde d'un métal M dont l'épaisseur physique est inférieure ou égale à 30 nm, ladite couche d'oxyde n'étant pas comprise dans un empilement de couches comprenant au moins une couche d'argent, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : on dépose par pulvérisation cathodique au moins une couche intermédiaire d'un matériau choisi parmi le métal M, un nitrure du métal M, un carbure du métal M ou un oxyde sous-stœchiométrique en oxygène du métal M, ladite couche intermédiaire n'étant pas déposée au-dessus ou en-dessous d'une couche à base d'oxyde de titane, l'épaisseur physique de ladite couche intermédiaire étant inférieure ou égale à 30 nm, on oxyde au moins une partie de la surface de ladite couche intermédiaire à l'aide d'un traitement thermique, pendant lequel ladite couche intermédiaire est en contact direct avec une atmosphère oxydante, notamment avec de l'air, la température dudit substrat pendant ledit traitement thermique ne dépassant pas 1500C.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过至少一层物理厚度小于或等于30nm的金属M的氧化物获得涂覆在其表面的至少一部分上的基材的方法,所述氧化物层不包括在内 在包括至少一层银层的一叠层中。 所述方法包括以下步骤:从金属M,金属M的氮化物,金属M的碳化物或金属M的氧中亚化学计量的氧化物中选择的材料的至少一个中间层通过 阴极溅射,所述中间层不被沉积在基于氧化钛的层之上或之下,所述中间层的物理厚度小于或等于30nm; 并且所述中间层的表面的至少一部分通过热处理而被氧化,在此期间所述中间层与氧化气氛,特别是空气直接接触,所述衬底的温度在热量期间不超过150℃ 治疗。

    PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE
    4.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE MINCE 审中-公开
    薄膜沉积法

    公开(公告)号:WO2010103237A1

    公开(公告)日:2010-09-16

    申请号:PCT/FR2010/050409

    申请日:2010-03-10

    Abstract: L'invention a pour objet un procédé de traitement thermique par flammage d'au moins une couche mince déposée sur un substrat en verre (1 ) en défilement au regard d'au moins un dispositif de flammage comprenant au moins un brûleur (2), ledit traitement étant apte à augmenter le taux de cristallisation de ladite au moins une couche mince et/ou à augmenter la taille des cristallites dans ladite au moins une couche mince, ledit procédé étant caractérisé en ce que le bombage transitoire maximal « b » est inférieur à 150 mm et respecte la condition suivante : b ≤ 0,9 xd où le bombage « b » correspond à la distance, exprimée en mm, entre le plan du substrat en l'absence de chauffage (P1) et le point du substrat le plus proche du plan (P2) passant par le nez (6) du brûleur (2) et parallèle au plan du substrat en l'absence de chauffage (P1), « d » correspond à la distance entre le plan du substrat en l'absence de chauffage (P1) et le nez (6) du brûleur (2), exprimée en mm, la largeur du substrat « L » dans une direction perpendiculaire à la direction de défilement (5) étant supérieure ou égale à 1,1 mètre.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于火焰热处理沉积在玻璃基板(1)上的至少一个薄膜的方法,所述薄膜与包括至少一个燃烧器(2)的火焰处理装置一致移动,所述处理适于提高结晶速率 的所述至少一个薄膜和/或增加所述至少一个薄膜中的微晶的尺寸,所述方法的特征在于,最大瞬态弯曲“b”小于150mm并且粘附到以下条件:b = 0.9×d,其中弯曲“b”对应于未加热的衬底平面(P1)和最靠近通过燃烧器(2)的喷嘴(6)的平面(P2)的衬底点之间的距离(以mm表示) 并且平行于未加热的基板平面(P1),“d”对应于未加热的基板平面(P1)和燃烧器(2)的喷嘴(6)之间的距离(以mm表示),基板宽度“L “在垂直于移动方向的方向上(5 )大于或等于1.1米。

    METHOD FOR THIN LAYER DEPOSITION
    5.
    发明申请
    METHOD FOR THIN LAYER DEPOSITION 审中-公开
    薄层沉积方法

    公开(公告)号:WO2009136110A3

    公开(公告)日:2010-02-18

    申请号:PCT/FR2009050658

    申请日:2009-04-10

    Abstract: The invention relates to a method for obtaining a material including a substrate and at least one thin layer that contains an at least partially crystallised titanium oxide and is deposited on a first surface of said substrate, wherein said method comprises the following steps: depositing said at least one thin layer containing titanium oxide; subjecting said at least one thin layer containing titanium oxide to a crystallisation process by supplying a power capable of heating each point of said at least one thin layer containing titanium oxide to a temperature of at least 300°C while maintaining a temperature lower than or equal to 150°C at any point of the surface of said substrate opposite said first surface, wherein said crystallisation process is preceded by the step of depositing, on and/or under said thin layer containing titanium oxide, a power-providing layer capable of absorbing the energy supplied during said crystallisation process more efficiently than said at least one thin layer containing titanium oxide, and/or capable of generating an additional power during said crystallisation process and of transmitting at least a portion of said energy to said at least one thin layer containing titanium oxide during said crystallisation process.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于获得材料的方法,所述材料包括基材和至少一个含有至少部分结晶的氧化钛并沉积在所述基材的第一表面上的薄层,其中所述方法包括以下步骤: 至少一层含有氧化钛的薄层; 通过提供能够将含有氧化钛的所述至少一个薄层的每个点加热到至少300℃的温度同时保持低于或等于的温度来对含有氧化钛的所述至少一个薄层进行结晶处理 在所述衬底的与所述第一表面相对的表面的任何点处为150℃,其中所述结晶过程之前是在所述含有氧化钛的所述薄层上和/或下方沉积能够吸收的功率提供层的步骤 在所述结晶过程期间提供的能量比所述至少一个含有氧化钛的薄层更有效,和/或能够在所述结晶过程期间产生额外的功率,并将所述能量的至少一部分传输到所述至少一个薄层 在所述结晶过程中含有氧化钛。

    SUBSTRAT MUNI D'UN EMPILEMENT A PROPRIETES THERMIQUES.
    6.
    发明申请
    SUBSTRAT MUNI D'UN EMPILEMENT A PROPRIETES THERMIQUES. 审中-公开
    带有具有热性能的堆叠的基板

    公开(公告)号:WO2007054655A1

    公开(公告)日:2007-05-18

    申请号:PCT/FR2006/051151

    申请日:2006-11-08

    Abstract: L'invention se rapporte à un substrat (10), notamment substrat verrier transparent, muni d'un empilement de couches minces comportant une alternance de «n » couches fonctionnelles (40) à propriétés de réflexion dans l'infrarouge et/ou dans le rayonnement solaire, notamment de couches fonctionnelles métalliques à base d'argent, et de « (n + 1 ) » revêtements diélectriques (20, 60), avec n ≥ 1 , lesdits revêtements étant composés d'une ou d'une pluralité de couches (22, 24, 62, 64), de manière à ce que chaque couche fonctionnelle (40) soit disposée entre au moins deux revêtements diélectriques (20, 60), caractérisé en ce qu'au moins une couche fonctionnelle (40) comporte un revêtement de blocage (30, 50) constitué : o d'une part d'une couche d'interface (32, 52) immédiatement en contact avec ladite couche fonctionnelle, cette couche d'interface étant en un matériau qui n'est pas un métal, o d'autre part, d'au moins une couche métallique (34, 54) en un matériau métallique, immédiatement en contact avec ladite couche d'interface (32, 52).

    Abstract translation: 本发明涉及一种衬底(10),例如透明玻璃衬底,其配备有一叠薄层,其包括在红外和/或太阳辐射范围内具有反射特性的n个功能层(40)的交替堆叠, 特别是银基金属功能层和(n + 1)电介质涂层(20,60),其中n = 1,所述涂层由一层或多层(22,24,62,64)形成,使得每个功能性 层(40)设置在至少两个电介质涂层(20,60)之间。 本发明的特征在于,至少一个功能层(40)包括阻挡涂层(30,50),其由以下部分组成:(i)与功能层直接接触并形成的界面层(32,52) 从金属以外的材料,和(ii)由金属材料制成并与界面层(32,52)直接接触的金属层(34,54)。

    PROCÉDÉ D'ÉLABORATION PAR PROJECTION THERMIQUE D'UNE CIBLE À BASE DE SILICIUM ET DE ZIRCONIUM
    7.
    发明申请
    PROCÉDÉ D'ÉLABORATION PAR PROJECTION THERMIQUE D'UNE CIBLE À BASE DE SILICIUM ET DE ZIRCONIUM 审中-公开
    通过热喷涂基于硅和锆基的目标制备方法

    公开(公告)号:WO2006085020A1

    公开(公告)日:2006-08-17

    申请号:PCT/FR2006/050094

    申请日:2006-02-03

    Abstract: Procédé d'élaboration par projection thermique, notamment par voie plasma, d'une cible, ladite cible comprenant au moins un composé à base d'atomes de nature différente choisis notamment parmi les constituants M appartenant à la famille (Zr, Mo, Ti, Nb, Ta, Hf, Cr) et du silicium, caractérisé en ce qu'on injecte au moins une fraction dudit composé dont les constituants sont liés par liaisons covalentes et/ou ioniques et/ou métalliques dans un propulseur plasma, ledit propulseur plasma projetant les constituants dudit composé sur la cible de manière à obtenir un dépôt dudit composé au niveau d'une portion de surface de ladite cible.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备特别是等离子体靶的热投射的方法,所述靶包含至少一种基于不同类型的原子的化合物,特别是选自属于族的组分M(Zr,Mo,Ti, Nb,Ta,Hf,Cr)和硅。 本发明的特征在于,其包括在等离子体推进剂中注入至少一部分所述化合物,其中组分通过共价和/或离子和/或金属键结合,所述等离子体推进剂将所述化合物的组分喷射在靶 以便在所述靶的表面的一部分上获得所述化合物的沉积。

    VACUUM DEPOSITION METHOD
    8.
    发明申请
    VACUUM DEPOSITION METHOD 审中-公开
    真空沉积法

    公开(公告)号:WO2005106070A3

    公开(公告)日:2005-12-29

    申请号:PCT/FR2005050250

    申请日:2005-04-15

    Abstract: The invention relates to a method for the vacuum deposition of at least one thin layer on a portion of the surface of a substrate. The inventive method is characterised in that it comprises the following steps consisting in: selecting at least one sputtering species which is chemically inactive or active in relation to a material to be sputtered; using at least one linear ion source, which is positioned inside an industrial-size installation, in order to generate a collimated ion beam which mainly comprises the sputtering species; directing the beam towards at least one target based on the material to be sputtered; and positioning at least one portion of the surface of the substrate opposite the target, such that the material sputtered by the ionic bombardment of the target or a material resulting from the reaction of the sputtered material with at least one of the sputtering species is deposited on said portion of surface.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在衬底表面的一部分上真空沉积至少一层薄层的方法。 本发明的方法的特征在于其包括以下步骤:选择相对于待溅射的材料具有化学惰性或活性的至少一种溅射物质; 使用至少一个线性离子源,其位于工业尺寸的装置内,以产生主要包括溅射物质的准直离子束; 基于待溅射的材料将光束引向至少一个靶; 并且将所述基板的与所述靶相对的表面的至少一部分定位,使得由所述靶的离子轰击溅射的材料或所述溅射材料与所述溅射物质中的至少一种的反应产生的材料沉积在 表面的部分。

    PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN SUBSTRAT
    9.
    发明申请
    PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
    清洗基板的方法

    公开(公告)号:WO2005075371A1

    公开(公告)日:2005-08-18

    申请号:PCT/FR2005/050036

    申请日:2005-01-21

    Abstract: Procédé de nettoyage sous vide d'un substrat en continu, caractérisé en ce que : on choisit une espèce à faible rendement de pulvérisation et chimiquement active à l'égard des salissures ; on génère, à l'aide d'au moins une source ionique linéaire, un plasma à partir d'un mélange gazeux comprenant majoritairement l'espèce à faible rendement de pulvérisation, notamment à base d'oxygène ; on soumet au moins une portion de surface dudit substrat audit plasma afin que ladite espèce ionisée élimine au moins partiellement par réaction chimique les salissures éventuellement absorbées ou situées au niveau de ladite portion de surface.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于基材的连续真空清洁的方法,其特征在于其包括:选择具有低喷雾性能并且防止结垢化学活性的物质; 通过至少一个线性离子源产生来自主要包括具有低喷雾性能的物质的气体混合物的等离子体,特别是基于氧气; 使所述衬底的至少一个表面部分经受所述等离子体,使得电离物质至少部分地通过化学反应去除可能吸收或位于所述表面部分处的污垢。

    SUBSTRAT TRANSPARENT COMPORTANT UN REVETEMENT ANTIREFLET
    10.
    发明申请
    SUBSTRAT TRANSPARENT COMPORTANT UN REVETEMENT ANTIREFLET 审中-公开
    具有抗皱涂层的透明基材

    公开(公告)号:WO2004005210A2

    公开(公告)日:2004-01-15

    申请号:PCT/FR2003/002052

    申请日:2003-07-02

    Abstract: Substrat transparent (6) comportant sur au moins une de ses faces un revêtement antireflet, notamment à incidence normale fait d'un empilement (A) de couches minces, caractérisé en ce que l'empilement comporte successivement: un première couche (1) d'indice à refraction n 1 compris entre 1,8 et 2,2 et d'une épaisseur géométrique e 1 comprise entre 5 et 50 nm, une seconde couche (2) d'indice de réfraction n 2 compris entre 1,35 et 1,65 et d'épaisseur géométrique e 2 comprise entre 5 et 50 nm, une troisième couche (3) d'indice de réfraction n 3 compris entre 1,8 et 2,2 et d'épaisseur géométrique e 3 comprise entre 50 et 150 nm, une quatrième couche (4) d'indice de réfraction n 4 compris entre 1,35 et 1,65 et d'épaisseur géométrique e 4 comprise entre 40 et 150 nm.

    Abstract translation: 透明衬底(6)在其至少一个面上具有抗反射涂层,特别是具有抗反射涂层的透明衬底(6)。 正常发病率由薄层堆叠(A)组成,字符出现率和&emp emp emp emp emp emp emp emp emp emp 其中所述堆叠依次包括:第一层(1)的指数< 在1.8和2.2之间的折射率n 1和在5和50nm之间的几何厚度e 1,第二层 (2)具有介于1.35与1.65之间的折射率n 2和介于2与2之间的厚度 5和50nm之间的第三层(3),折射率n 3在1.8和2.2之间的第三层(3)和几何厚度 在50和150nm之间的第三层(4),折射率n 4在1.35和1.65之间的第四层(4)和d 几何厚度在40到150nm之间。

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