公开(公告)号：WO2005010941A3

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：PCT/US2004022721

申请日：2004-07-01

Applicant: ADVANCED TECH MATERIALS ,  BOROVIK ALEXANDER S ,  XU CHONGYING ,  BAUM THOMAS H ,  BILODEAU STEVEN ,  ROEDER JEFFREY R ,  EBBING ABIGAIL ,  VESTYCK DANIEL

Inventor： BOROVIK ALEXANDER S ,  XU CHONGYING ,  BAUM THOMAS H ,  BILODEAU STEVEN ,  ROEDER JEFFREY R ,  EBBING ABIGAIL ,  VESTYCK DANIEL

IPC: C07F7/18 ,  C09D4/00 ,  C23C16/40 ,  C07F7/08

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1844 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

Abstract: An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

Abstract translation: 一种用于气相沉积的有机硅前体，例如低k（高于100托）的低k高强度电介质膜的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其中所述前体包括以下中的至少一种：（i） 侧链环氧乙烷基官能团; 和（ii）下式的二甲硅烷基部分，其中x是0至4的整数，包括端值在内。 这些前体可用于形成绝缘膜的介电常数约为3以下，硬度超过1吉比帕斯卡。

公开(公告)号：WO2012078139A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/US2010/059238

申请日：2010-12-07

Applicant: PRIMAXX, INC. ,  VESTYCK, Daniel, J.

Inventor： VESTYCK, Daniel, J.

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

CPC classification number: B81C1/00523 ,  B81C1/00936

Abstract: A method of avoiding stiction during vapor hydrofluoride (VHF) release of a microelectromechanical system (MEMS) or nanoelectromechanical system (NEMS) composed of a mechanical device and a substrate is described. A silicon nitride layer is provided between the substrate and a sacrificial oxide layer and/or between a device layer and the sacrificial oxide layer, and/or on a side of the device layer facing away from the sacrificial oxide layer, and converted to thicker ammonium hexafluorosilicate with VHF while simultaneously removing a portion of the sacrificial oxide. The ammonium hexafluorosilicate acts as a temporary support, shim, wedge, or tether which limits device movement during fabrication and is later removed by sublimation under heat and/or reduced pressure.

Abstract translation: 描述了在由机械装置和基板组成的微机电系统（MEMS）或纳米机电系统（NEMS）的蒸气氢氟酸（VHF）释放期间避免静摩擦的方法。 在衬底和牺牲氧化物层之间和/或器件层和牺牲氧化物层之间和/或在器件层的背离牺牲氧化物层的一侧上提供氮化硅层，并将其转化为较厚的铵 六氟硅酸盐与VHF同时除去一部分牺牲氧化物。 六氟硅酸铵用作临时支撑物，垫片，楔形物或系绳，其限制制造过程中的装置运动，并且随后在加热和/或减压下通过升华除去。

公开(公告)号：WO2012008954A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/US2010/041906

申请日：2010-07-14

Applicant: PRIMAXX, INC. ,  VESTYCK, Daniel, J.

Inventor： VESTYCK, Daniel, J.

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: F17C13/002 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/86002

Abstract: A method of and apparatus for controlling pressure in a process chamber having a continuous gas inlet flow and a continuous gas outlet flow comprising providing a pulsed valve at a gas outlet, a pressure gauge, and a programmable controller and varying the pulse rate of the pulsed valve, wherein either the open time or closed time, or both open and closed times, is lengthened or shortened, depending on whether the gauge pressure is above or below the programmed setpoint.

Abstract translation: 一种用于控制具有连续气体入口流和连续气体出口流的处理室中的压力的​​方法和装置，包括在气体出口，压力计和可编程控制器处提供脉冲阀，并且改变脉冲 阀，其中打开时间或关闭时间，或打开和关闭时间都被延长或缩短，这取决于表压高于或低于编程设定值。

公开(公告)号：WO2005010941A2

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/US2004/022721

申请日：2004-07-01

Applicant: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. ,  BOROVIK, Alexander, S. ,  XU, Chongying ,  BAUM, Thomas, H. ,  BILODEAU, Steven ,  ROEDER, Jeffrey, R. ,  EBBING, Abigail ,  VESTYCK, Daniel

Inventor： BOROVIK, Alexander, S. ,  XU, Chongying ,  BAUM, Thomas, H. ,  BILODEAU, Steven ,  ROEDER, Jeffrey, R. ,  EBBING, Abigail ,  VESTYCK, Daniel

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/0814 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C07F7/1844 ,  C09D4/00 ,  C08G77/04

Abstract: An organosilicon precursor for vapor deposition, e.g., low pressure (

Abstract translation: 一种用于气相沉积的有机硅前体，例如低k（高于100托）的低k高强度电介质膜的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其中所述前体包括以下中的至少一种：（i） 侧链环氧乙烷基官能团; 和（ii）下式的二甲硅烷基部分，其中x是0至4的整数，包括端值在内。 这些前体可用于形成绝缘膜的介电常数约为3以下，硬度超过1吉比帕斯卡。