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公开(公告)号：WO2007086188A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2006/323559
申请日：2006-11-27
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 関口 満 , 塚田 和也 , 岡田 尚大
IPC: C09K11/74 , B22F1/00 , B82B1/00 , C01B21/06 , C01B25/08 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/70 , C09K11/75 , C22C12/00 , C22C28/00
CPC classification number: C09K11/7442 , B22F1/0025 , B82Y30/00 , C01B21/0632 , C01G15/00 , C01G28/02 , C01G30/002 , C01P2002/84 , C01P2004/16 , C01P2004/30 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/62 , C22C1/0491 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/825 , Y10S977/832 , Y10T428/24942 , Y10T428/2933 , Y10T428/2991
Abstract: 従来のコア／シェル型のナノサイズの半導体よりも優れた光学特性（発光強度、発光寿命）を有する半導体ナノ粒子および半導体ナノロッドを提供することを目的とする。この目的はコア層と中間層とシェル層とを含む、平均粒径が２～５０ｎｍの範囲の三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッドであり、上記各層がそれぞれ異なる結晶で形成されており、シェル層を形成する結晶のバンドギャップが、コア層を形成する結晶のバンドギャップよりも大きく、かつ中間層を形成する結晶の格子定数が、コア層を形成する結晶の格子定数とシェル層を形成する結晶の格子定数との間の値である三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッドによって達成される。
Abstract translation: 具有优于常规核/壳纳米尺寸半导体的光学特性（发光强度和发光寿命）的半导体纳米颗粒和半导体纳米棒。 提供平均粒径为2〜50nm的三层半导体纳米颗粒和三层半导体纳米棒，其包含芯层，中间层和壳层，其中层由不同的晶体构成，并且 其中，构成壳层的晶体的表面带隙大于构成芯层的晶体的带隙，构成中间层的晶体的晶体晶格常数为假定构成核心层的晶体的晶格常数与构成芯层的晶体的晶格常数 壳层。
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公开(公告)号：WO2007145089A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061180
申请日：2007-06-01
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 関口 満 , 塚田 和也
CPC classification number: C01G9/08 , B82Y30/00 , C01G11/00 , C01P2004/64
Abstract: 本発明の目的は、発光波長は変更せずに、従来のコア／シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分発光量も大きい３層型半導体粒子を提供することにあり、コア層と第１のシェル層、第２のシェル層を有し、前記コア層と前記第２のシェル層の間の第１のシェル層の厚さが２～１０ｎｍの範囲の３層型半導体粒子であり、上記第２のシェル層およびコア層を形成する物質のバンドギャップがいずれも、第１のシェル層を形成する半導体のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。
Abstract translation: 提供比常规的核/壳型纳米尺寸半导体颗粒大的三层半导体颗粒，易于处理并且具有大的发光区域的发射量大，发射波长没有变化。 层半导体颗粒设置有芯层，第一壳层和第二壳层。 芯层和第二壳层之间的第一壳层的厚度在2-10nm的范围内。 形成第二壳层和芯层的材料的带隙都大于形成第一壳层的半导体的带隙。
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公开(公告)号：WO2007086189A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2006/323560
申请日：2006-11-27
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 関口 満 , 塚田 和也 , 午菴 一賀
CPC classification number: G01N33/587 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , G01N21/6428 , G01N33/582 , G01N2021/6439
Abstract: 半導体ナノ粒子またはナノロッドの発光効率を高めることにより、より好適な標識を実現しうる蛍光標識物質を提供することを目的とし、その目的はタンパク質、核酸または抗原などの生体物質と吸着しうる修飾基を有するナノ粒子またはナノロッドのシェルの表面に、このような修飾基が存在しない領域を設けることによって達成される。
Abstract translation: 一种能够通过提高半导体纳米颗粒或纳米棒的发光效率而实现高度适当标记的荧光标记物质。 荧光标记物质可以通过在具有能够与生物体吸附的修饰基团（如蛋白质，核酸或抗体），没有上述修饰基团的区域的纳米棒或纳米颗粒的表面上进行设置来提供。
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公开(公告)号：WO2007145088A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061179
申请日：2007-06-01
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 関口 満 , 塚田 和也
CPC classification number: C01B33/18
Abstract: 本発明は、発光波長は変更せずに、従来のコア／シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分、発光量も大きい半導体ナノ粒子及びその製造方法を提供する。この半導体ナノ粒子は、中心部に空洞部を有し、コア層とシェル層を有し、該コア層の厚さが２～１０ｎｍの半導体ナノ粒子において、該コア層と該シェル層がそれぞれ異なる半導体で形成されており、該シェル層を形成する半導体のバンドギャップが、該コア層を形成する結晶のバンドギャップより大きいことを特徴とする。
Abstract translation: 提供比常规的核/壳型纳米尺寸半导体颗粒更大的半导体纳米颗粒，易于处理并且由于较大的发射面积具有大的发射量，而没有发射波长变化。 还提供了制造这种半导体纳米颗粒的方法。 半导体纳米颗粒在中心具有中空部分，并且具有芯层和壳层。 芯层的厚度为2-10nm。 芯层和壳层由不同类型的半导体形成，形成壳层的半导体的带隙大于形成芯层的晶体的带隙。
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公开(公告)号：WO2007086279A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/050495
申请日：2007-01-16
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 星野 秀樹 , 岡田 尚大 , 塚田 和也
CPC classification number: C01B33/023 , B82Y30/00
Abstract: 本発明は、二次凝集を抑制しつつ、結晶子のサイズを均一にすることと、高い結晶性とを同時に実現したナノ半導体粒子の製造方法を提供する。このナノ半導体粒子の製造方法は、（a工程）半導体原料からナノサイズの粒子群を発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、（b工程）当該粒子群を、気相中で分散した状態を保持した状態で当該粒子に熱処理を施す工程と、（c工程）前記熱処理を施した粒子群を熱処理後直ちに、当該熱処理を施した粒子群の粒子表面を表面修飾する表面修飾剤の溶液で捕集する工程とを含むことを特徴とする。
Abstract translation: 制造半导体纳米颗粒的方法，其实现均匀的微晶尺寸和高结晶度，其聚集被抑制。 该方法的特征在于包括从半导体原料产生纳米尺寸颗粒并将颗粒分散在气相中的步骤（a），在保持颗粒处于分散状态的同时热处理颗粒的步骤（b） 在气相中的步骤（c），并且用热处理后的热处理颗粒用用于改性颗粒表面的表面改性剂的溶液收集步骤（c）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2006109396A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/305108
申请日：2006-03-15
CPC classification number: C09K11/595
Abstract: 本発明は、光学特性及び劣化特性の向上が図られた蛍光体の製造方法を提供するものであり、液相法によって得られた蛍光体の前駆体を、酸素含有雰囲気下で所定の温度によって焼成処理する第１焼成工程の後に、焼成処理後の蛍光体の前駆体を第１焼成工程における焼成温度以下の温度によって焼成処理する第２焼成工程とを具備する。
Abstract translation: 公开了一种提高光学特性和劣化特性的荧光体的制造方法。 该方法包括第一烧制步骤，其中通过液相法获得的荧光体的前体在含氧气氛中在一定温度下烧制，以及随后的第二烧成步骤，其中将如此烧制的荧光体的前体在 在第一烧成工序中不高于烧成温度的温度。
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公开(公告)号：WO2007102458A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054167
申请日：2007-03-05
IPC: C09K11/08
CPC classification number: C09K11/663 , C09K11/02 , C09K11/574 , C09K11/584 , C09K11/595 , C09K11/642 , C09K11/662 , C09K11/665 , C09K11/7706 , C09K11/7727 , C09K11/7734 , C09K11/7736 , C09K11/7737 , C09K11/774 , C09K11/7741 , C09K11/777 , C09K11/7771 , C09K11/7774 , C09K11/778 , C09K11/7784 , C09K11/7786 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7792 , C09K11/7794 , C09K11/7797 , Y10T428/2991
Abstract: 本発明は、バイオナノテクノロジー分野に適する微粒子性を有し、蛍光観察に最適な励起波長を備え、フォトルミネッセンスの発光輝度及び耐久性に優れたコア／シェル型微粒子蛍光体を提供する。このコア／シェル型微粒子蛍光体は、反応晶析法で合成した前駆体粒子を焼成して得た蛍光体をコア微粒子蛍光体とし、該コア微粒子蛍光体の表面に、該コア微粒子蛍光体を構成する成分とは異なる金属化合物でシェル部を形成したコア／シェル型微粒子蛍光体において、ＰＬ（ｐｈｏｔｏ ｌｕｍｉｎｅｓｅｎｃｅ）による該コア微粒子蛍光体のＰＬ強度をＰＬ１とし、コア／シェル型微粒子蛍光体のＰＬ強度をＰＬ２としたとき、そのＰＬ強度比Ａ（ＰＬ１／ＰＬ２）が０．００１≦Ａ≦０．１であり、かつコア／シェル型微粒子蛍光体の平均粒径が０．１μｍ以下であることを特徴とする。
Abstract translation: 旨在提供一种核 - 壳型纳米粒子荧光体，其具有用于生物纳米技术领域的合适的纳米粒子性质，具有最适于荧光观察的激发波长，并且具有优异的光致发光和耐久性。 该核 - 壳型纳米粒子荧光体是通过使用通过烧结由结晶化反应法合成的前体粒子而形成的核心纳米粒子荧光体，并形成由与构成核心纳米粒子荧光体的成分不同的金属化合物制成的壳部， 核心纳米粒子荧光体的表面的特征在于，当将PL的核心纳米粒子荧光体的PL（光发光）强度称为PL1，将核 - 壳型纳米粒子荧光体的PL强度称为PL2时， 强度比A（PL1 / PL2）满足0.001 = A = 0.1，核 - 壳型纳米粒子荧光体的平均粒径为0.1μm以下。
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公开(公告)号：WO2007086198A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2006/324532
申请日：2006-12-08
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 岡田 尚大 , 星野 秀樹 , 塚田 和也
Abstract: 本発明は、発光輝度に優れ、かつブリンキングがほとんどない半導体ナノ粒子蛍光体を提供する。この半導体ナノ粒子蛍光体は、一粒子あたりの結晶欠陥の個数が平均１０個以下であることを特徴とする。
Abstract translation: 提供了具有优异的发光亮度并且几乎不发生闪烁的半导体纳米颗粒磷光体。 半导体纳米粒子荧光体的特征在于，每个颗粒的晶体缺陷的数量平均为10以下。
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公开(公告)号：WO2006092990A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303113
申请日：2006-02-22
CPC classification number: C09K11/774 , C09K11/595 , C09K11/7734 , H01J2211/42
Abstract: 本発明は、残光時間が短くて発光強度が大きい蛍光体を提供する。 本発明に係る蛍光体は、励起線の被照射により励起して発光する蛍光体であって、発光後の経過時間（ｘ）とその経過時間に対応する発光強度（ｙ）との関係を示す残光曲線を下記式（１）で近似したとき、その相関係数が０．９５以上である。 ｙ＝Ａｅｘｐ（Ｂｘ） … （１）
Abstract translation: 荧光物质在余辉时间短，发光强度大。 荧光物质是通过激发射线而被激发而发光的物质，并且当表示发光后经过时间（x）与对应于经过时间的发光强度（y）之间的关系的余辉曲线 由下式（1）近似，其相关系数至少为0.95。 y = Aexp（Bx）（1）
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公开(公告)号：WO2008152868A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/058629
申请日：2008-05-09
Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 古澤 直子 , 塚田 和也 , 岡田 尚大
CPC classification number: G01N21/6428 , B82Y15/00 , C09K11/7778 , G01N21/359 , G01N33/588 , G01N2021/6439
Abstract: 粒径が極微小でありながら、発光強度が高い近赤外発光蛍光体ナノ粒子、その製造方法、及び該近赤外発光蛍光体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供することが目的であり、該近赤外発光蛍光体ナノ粒子は、平均粒径が２～５０ｎｍであり、且つ７００～９００ｎｍの赤外光により励起され、７００～２０００ｎｍの範囲に発光を示し、その組成は下記一般式（ａ）で表されることを特徴とする。 一般式（ａ） ＡＢ 1-x-y Ｎｄ x Ｙｂ y Ｐ 4 Ｏ 12 （式中、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種であって、０．０５≦ｘ≦０．９９９、０．００１≦ｙ≦０．９５０、ｘ＋ｙ≦１．０である。）
Abstract translation: 公开了具有高发光强度，同时具有非常小的粒径的近红外发光荧光体纳米颗粒。 还公开了用于制造这种近红外发光荧光体纳米颗粒的方法，以及使用这种近红外发光荧光体纳米颗粒来标记生物物质的试剂。 近红外发光荧光体纳米颗粒的特征在于平均粒径为2-50nm，当通过700-900nm的红外光激发时，发射光在700-2000nm的范围内。 该近红外发光荧光体纳米粒子的特征还在于具有以下通式（a）表示的组成。 通式（a）：AB1-x-yNdxYbyP4O12（式中，A表示选自Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种元素; B表示选自Sc，Y，La，Ce， Gd，Lu，Ga和In; x和y满足以下关系：0.05 = x = 0.999,0.001 = y = 0.950，x + y = 1.0。
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