利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

20 条记录 (耗时 0.013 秒)

    有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
    1.
    发明申请
    有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 审中-公开
    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2008087924A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：PCT/JP2008/050319

    申请日：2008-01-15

    申请人： 出光興産株式会社 ,  笘井 重和

    发明人： 笘井 重和

    IPC分类号： H05B33/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

    CPC分类号： H05B33/26 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5234

    摘要： 　一対の電極と、前記一対の電極により挟持された発光層を有し、少なくとも１つの電極が、透明導電層と低酸化金属層からなり、前記低酸化金属層が、前記透明導電層と前記発光層との間にあり、前記低酸化金属層の膜厚が０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記透明導電層の膜厚が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、前記低酸化金属層が、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの少なくとも１以上を合計して７０ａｔ％以上含む有機エレクトロルミネッセンス素子。

    摘要翻译： 公开了一种有机电致发光器件，其包括一对电极和插在电极之间的发光层。 至少一个电极由透明导电层和低氧化金属层构成，低氧化金属层设置在透明导电层和发光层之间。 低氧化金属层的厚度不小于0.5nm但不大于50nm，而透明导电层的厚度不小于10nm但不大于1000nm。 低氧化金属层含有至少一种选自In，Sn和Zn的元素，其总量不低于70原子％。

    酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
    2.
    发明申请
    酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 审中-公开
    使用氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：WO2009075281A1

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：PCT/JP2008/072387

    申请日：2008-12-10

    申请人： 出光興産株式会社 ,  矢野 公規 ,  川嶋 浩和 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  笠見 雅司

    发明人： 矢野 公規 ,  川嶋 浩和 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  笠見 雅司

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

    摘要： 　基板上に、少なくとも半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、 　ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、 　ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、 　半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、 　半導体層が、Ｉｎ（インジウム）元素、Ｚｎ（亜鉛）元素及びＧａ（ガリウム）元素を下記（１）～（３）の原子比率で含む複合酸化物からなる電界効果型トランジスタ。 　　　　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２～０．８　　　（１） 　　　　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．５９～０．９９　（２） 　　　　Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．２９～０．９９　（３）

    摘要翻译： 公开了一种场效应晶体管，其在基板上包括至少半导体层，半导体层的保护层，源电极，漏电极，栅极绝缘膜和栅电极。 源电极和漏电极通过半导体层彼此连接。 栅极绝缘膜布置在栅电极和半导体层之间。 半导体层的至少一侧设置有保护层。 半导体层由包含In（铟），Zn（锌）和Ga（镓）的复合氧化物构成，原子比满足下式（1） - （3）。 In /（In + Zn）= 0.2-0.8（1）In /（In + Ga）= 0.59-0.99（2）Zn /（Ga + Zn）= 0.29-0.99（3）

    酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
    4.
    发明申请
    酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜 审中-公开
    氧化铅/氧化锌/氧化镁溅射靶和透明导电膜

    公开(公告)号：WO2005103320A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：PCT/JP2005/002903

    申请日：2005-02-23

    申请人： 出光興産株式会社 ,  井上 一吉 ,  松原 雅人 ,  笘井 重和 ,  島根 幸朗

    发明人： 井上 一吉 ,  松原 雅人 ,  笘井 重和 ,  島根 幸朗

    IPC分类号： C23C14/34

    CPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/022466

    摘要： 　スパッタリング時に、ノジュールを発生しないターゲットを提供する。また、エッチング性に優れ、且つ、特に４００～４５０ｎｍ域の透明性に優れた非晶質透明導電膜を提供する。 　酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含むスパッタリングターゲットであり、このスパッタリングターゲットは、スパッタリング時に、ノジュールを発生しない。また、酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含む非晶質透明導電膜であり、この非晶質透明導電膜は、エッチング性に優れ、且つ４００～４５０ｎｍ域の光線透過率が高い。

    摘要翻译： 公开了在溅射期间不形成结节的靶。 还公开了一种非晶透明导电膜，其具有优异的蚀刻性能和优异的透明度，特别是在400-450nm区域。 具体公开了包含在溅射期间不形成结节的氧化铟，氧化锌和氧化镁的溅射靶。 还公开了含有氧化铟，氧化锌和氧化镁的非晶透明导电膜，其蚀刻性能优异，并且在400-450nm区域具有高透光率。

    有機エレクトロルミネッセンス素子
    5.
    发明申请
    有機エレクトロルミネッセンス素子 审中-公开
    有机电致发光元件

    公开(公告)号：WO2006121015A1

    公开(公告)日：2006-11-16

    申请号：PCT/JP2006/309266

    申请日：2006-05-08

    申请人： 出光興産株式会社 ,  笘井 重和 ,  井上 一吉 ,  熊 均

    发明人： 笘井 重和 ,  井上 一吉 ,  熊 均

    IPC分类号： H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

    CPC分类号： H01L51/5278 ,  H01L51/5262

    摘要： 　透明電極（１２）と、透明電極（１２）に対向して配置される対向電極（１４）と、透明電極（１２）と対向電極（１４）の間に、２層の有機発光層（２０），（２２）が中間導電層（３０）を介して積層している構造を１つ以上有し、中間導電層（３０）の屈折率ｎ ａ と、有機発光層の少なくとも１層の屈折率ｎ ｂ との差が０．２５以内であり、中間導電層（３０）が、１種以上の希土類元素を含有する酸化物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子（１）。

    摘要翻译： 有机电致发光元件（1）设置有透明电极（12），与透明电极（12）相对配置的对置电极（14），以及一个或多个结构，其中两个有机发光层（20,22） 通过中间导电层（30）堆叠在透明电极（12）和对电极（14）之间。 中间导电层（30）的折射率（n a ）与至少一个有机发光层的折射率（n> b ）之差 在0.25以内，中间导电层（30）包含含有一种以上稀土元素的氧化物。

    半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置
    7.
    发明申请
    半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置 审中-公开
    半导体/半导体电极基板，其制造方法和使用这种半导体/半导体电极基板的液晶显示器

    公开(公告)号：WO2005086179A1

    公开(公告)日：2005-09-15

    申请号：PCT/JP2005/002602

    申请日：2005-02-18

    申请人： 出光興産株式会社 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  松原 雅人

    发明人： 井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  松原 雅人

    IPC分类号： H01B5/14

    CPC分类号： G02F1/13439 ,  G02F1/133555

    摘要： 　エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、金属反射層（金属層）のエッチャントに対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及び、その半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置を提供する。 　透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられるとともに、外光を反射し、且つ前記透明導電層と電気的に接続された金属反射層と、を具備してなる半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置である。この半透過・半反射電極基板は、残渣の発生がほとんどなく、加工性に優れ、歩留りも向上する。 　

    摘要翻译： 公开了一种半透射/半反射电极基板，其包括几乎不会蚀刻残留物并具有抵抗金属反射层（金属层）的蚀刻剂的透明导电层。 还公开了使用这种半透射/半反射电极基板制造这种半透射/半反射电极基板和液晶显示器的方法。 具体公开了一种半透射/半反射电极基板，其包括透明基板，形成在透明基板上的透明导电层，主要包含氧化铟，并且还含有一种以上选自氧化钨，氧化钼和铌的氧化物 氧化物和金属反射层，其形成在透明基板上以反射外部光并电连接到透明导电层; 制造这种基板的方法; 以及使用这种基板的液晶显示器。 该半透射/半反射电极基板几乎不具有残留物，并且具有优异的加工性和提高的产率。

    電界効果型トランジスタ、半導体装置及びその製造方法
    9.
    发明申请
    電界効果型トランジスタ、半導体装置及びその製造方法 审中-公开
    场效应晶体管，半导体器件和半导体器件制造方法

    公开(公告)号：WO2009091013A1

    公开(公告)日：2009-07-23

    申请号：PCT/JP2009/050504

    申请日：2009-01-16

    申请人： 出光興産株式会社 ,  矢野 公規 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和

    发明人： 矢野 公規 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7869

    摘要： 　ソース電極１０７ａ、ドレイン電極１０７ｂ、ゲート電極１０３、絶縁膜１０５及び結晶質酸化物を含む半導体層１０９を備え、ソース電極１０７ａとドレイン電極１０７ｂが絶縁膜１０５を介してゲート電極１０３と自己整合して配置されている電界効果型トランジスタ。

    摘要翻译： 公开了一种具有包含源电极（107a），漏电极（107b），栅电极（103），绝缘膜（105）和结晶氧化物的半导体层（109）的场效应晶体管。 源极电极（107a）和漏电极（107b）与绝缘膜（105）之间的栅电极（103）自对准。