公开(公告)号：WO2010082345A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/JP2009/050630

申请日：2009-01-19

Applicant: 日新電機株式会社 ,  林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

Inventor： 林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/047 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 　シリコンドット形成対象基体上に粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成でき、耐熱性の点で基体材料の選択可能範囲が広いシリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置を提供する。　プラズマ生成室内にシリコン含有ガスを導入し、プラズマ生成装置により該ガスからプラズマを発生させ、基体設置電極に第１の正パルス電圧を印加することで、該電極上の基体へシリコンを含む負イオンを第１のイオンエネルギで照射して核を形成し、次いで該電極に第２の正パルス電圧を印加することで、基体へシリコンを含む負イオンを第２のイオンエネルギで照射して該核をもとにシリコンドットを成長させるシリコンドット形成方法及び該方法を実施する装置。

Abstract translation: 公开了一种在要形成硅点的物体基板上形成均匀密度分布的规则直径的硅点的硅点形成方法，其中该方法包括在热量方面选择基板材料的范围广泛 抵抗性; 以及用于执行该方法的硅点形成装置。 将含硅气体引入等离子体发生室，通过等离子体产生装置从气体产生等离子体。 将第一正脉冲电压施加到基板安装电极，使得电极上的基板通过第一离子能量照射含有硅的负离子，从而产生核。 接下来，向电极施加第二正脉冲电压，使得通过第二离子能使含有硅离子的负离子被照射基板，从而基于核而使硅点生长。

公开(公告)号：WO2005093798A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005662

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

Inventor： 高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: A method for forming silicon dots, wherein a hydrogen gas (or and also a silane type gas) is introduced to a vacuum chamber (1), a plasma exhibiting a ratio of the luminous intensity of a silicon atom at a wave length of 288 nm to the luminous intensity of a hydrogen atom at a wave length of 484 nm of 10.0 or less is generated in the chamber, and silicon dots having a particle diameter of 20 nm or less are formed by the chemical sputtering under said plasma on a substrate.

Abstract translation: 一种形成硅点的方法，其中将氢气（或硅烷型气体）引入真空室（1）中，显示波长为288nm的硅原子的发光强度的比例的等离子体 在室内产生波长484nm的氢原子的发光强度为10.0以下，通过在基板上的等离子体下进行化学溅射，形成粒径为20nm以下的硅点。

公开(公告)号：WO2009113332A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/JP2009/051176

申请日：2009-01-26

Applicant: ジヤトコ株式会社 ,  山田 直弘 ,  林 司

Inventor： 山田 直弘 ,  林 司

IPC: F16H61/04 ,  F16H59/18 ,  F16H59/44 ,  F16H61/686

CPC classification number: F16H61/0213 ,  F16H59/18 ,  F16H59/44 ,  F16H61/68 ,  Y10T477/636

Abstract: 【課題】アクセルペダル開度に関わらず運転者の意図に応じた変速段を選択することが可能な自動変速機の制御装置および制御方法を提供すること。 【解決手段】アクセルペダル開度が大きいときは先読み車速を用いて目標変速比を演算し、アクセルペダル開度が小さいときは実車速を用いて目標変速比を演算することとした。

Abstract translation: 提供了一种用于控制自动变速箱的装置和方法，其中，无论加速踏板的开度如何，可以根据操作者的意图来选择变速级。 当加速踏板的开度大时，使用预测车速来操作目标变速比，并且当加速踏板的开度小时，使用实际车速来操作目标变速比 。

公开(公告)号：WO2009110261A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/JP2009/051175

申请日：2009-01-26

Applicant: ジヤトコ株式会社 ,  山田 直弘 ,  林 司

Inventor： 山田 直弘 ,  林 司

IPC: F16H61/04 ,  F16H59/18 ,  F16H59/40 ,  F16H59/42 ,  F16H59/44 ,  F16H61/68

CPC classification number: F16H59/44 ,  F16H61/0213 ,  Y10T477/33 ,  Y10T477/60

Abstract: 【課題】　推定車速2の推定応答性を確保しつつ、精度の高い状態に素早く収束することが可能な自動変速機の制御装置および制御方法を提供すること。 【解決手段】　積分器と遅れ要素を用いて先読み車速を算出するときに、積分演算結果が実車速に基づく所定値を越えたときは、積分演算に用いられる所定ゲインを小さくすることとした。

Abstract translation: 提供一种用于控制自动变速器的装置和方法，其可以在保持估计车辆速度（2）的估计责任的同时快速地收敛到高精度状态。 如果通过使用积分器和延迟元件计算出预先车速时，通过基于实际车速超过预定值，则减小用于积分运算的预定增益。