公开(公告)号：WO2009041219A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/JP2008/065706

申请日：2008-09-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修

Inventor： 河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 　膜中のＳｒとＴｉの比率Ｓｒ／Ｔｉが原子数比で１．２以上３以下になるようにして成膜した後、０．００１％以上８０％以下のＯ ２ を含有する雰囲気中、５００°C以上でアニールする。また、ＳｒＯ膜成膜段階同士または／およびＴｉＯ膜成膜段階同士が複数回続けて行われるようなシーケンスを含むようにしてＳｒＯ膜成膜段階およびＴｉＯ膜成膜段階を複数回行う。さらに、Ｓｒを吸着させた後、Ｓｒを酸化させる際に、酸化剤としてＯ ３ およびＨ ２ Ｏを用いる。

Abstract translation: 形成膜，使得膜中的Sr与Ti的原子比（即Sr / Ti）不小于1.2且不大于3.然后将膜在含有不少于0.001％的气氛中进行退火 超过80％的O 2在500℃以上。 重复SrO膜形成步骤和TiO膜形成步骤多次，使得连续进行多个SrO膜形成步骤或/和多个TiO膜形成步骤的顺序被包括在内。 在Sr吸附后Sr被氧化时，O3和H2O用作氧化剂。

公开(公告)号：WO2009104620A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：PCT/JP2009/052727

申请日：2009-02-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  エルピーダメモリ株式会社 ,  河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修 ,  廣田俊幸 ,  清村貴利

Inventor： 河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修 ,  廣田俊幸 ,  清村貴利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 　第１の有機金属化合物原料として蒸気圧が低く有機配位子が酸化剤で分解されてＣＯを発生しやすい化合物を用い、第２の有機金属化合物原料として金属アルコキシドを用い、酸化剤として気体状のＯ ３ またはＯ ２ を用い、これらを処理容器内に導入して基板上にＡｘＢｙＯｚ型の酸化物膜を成膜するにあたり、酸化剤を導入する直前は、必ず前記第２の有機金属化合物原料を導入するようにする。

Abstract translation: 可以通过将第一有机金属化合物原料，第二有机金属化合物原料和氧化剂引入处理容器中并在载体上形成AxByOz型氧化物膜来制备AxByOz型氧化物膜。 作为第1有机金属化合物原料，使用具有低蒸气压且能够用氧化剂分解，从而生成CO的有机配体的化合物作为第2有机金属， 复合原料，使用气态O 3或O 2作为氧化剂。 绝对有必要在引入氧化剂之前立即引入第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：WO2009104621A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：PCT/JP2009/052728

申请日：2009-02-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  エルピーダメモリ株式会社 ,  河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修 ,  廣田俊幸 ,  清村貴利

Inventor： 河野 有美子 ,  有馬 進 ,  柿本 明修 ,  廣田俊幸 ,  清村貴利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: 　Ｓｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜の成膜方法は、処理容器内にＲｕ膜が形成された基板を配置し、気体状のＴｉ原料と、気体状のＳｒ原料と、気体状の酸化剤とを前記処理容器内に導入してＲｕ膜上に厚さ１０ｎｍ以下の第１のＳｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜を成膜することと、第１のＳｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜をアニールして結晶化させることと、第１のＳｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜の上に、気体状のＴｉ原料と、気体状のＳｒ原料と、気体状の酸化剤とを処理容器内に導入してその上に第２のＳｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜を成膜することと、第２のＳｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜をアニールして結晶化させることとを含む。

Abstract translation: 公开了一种Sr-Ti-O基成膜方法。 该方法包括将其上形成有Ru膜的基板放置在处理容器中，将气态Ti材料，气态Sr材料和气态氧化剂引入处理容器中以形成第一Sr-Ti-O基膜，其具有 在Ru膜上的厚度不大于10nm，对第一Sr-Ti-O基膜进行结晶退火，将气态Ti材料，气态Sr材料和气态氧化剂引入处理容器中以形成 在第一Sr-Ti-O基膜上形成第二Sr-Ti-O基膜，并对第二Sr-Ti-O基膜进行退火以进行结晶化。

公开(公告)号：WO2008105451A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/JP2008/053391

申请日：2008-02-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  柿本 明修 ,  河野 有美子

Inventor： 柿本 明修 ,  河野 有美子

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: 　処理容器内に基板を配置し、基板を加熱し、Ｓｒ原料とＴｉ原料と酸化剤とを気体状で前記処理容器内に導入し、加熱された基板上でこれらガスを反応させ、基板上にＳｒＴｉＯ ３ 膜を成膜するにあたり、Ｓｒ原料として、Ｓｒアミン化合物またはＳｒイミン化合物を用いる。

Abstract translation: 将衬底布置在处理室中，加热衬底，将Sr材料，Ti材料和氧化剂以气体形式引入处理室，气体在加热衬底上反应，并将SrTiO 在衬底上形成3/3膜。 作为Sr材料，使用Sr胺化合物或Sr亚胺化合物。

公开(公告)号：WO2007102333A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：PCT/JP2007/053577

申请日：2007-02-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  河野 有美子 ,  山▲崎▼ 英亮 ,  有馬 進

Inventor： 河野 有美子 ,  山▲崎▼ 英亮 ,  有馬 進

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: A substrate is placed in a processing vessel and heated. Into the processing vessel are introduced a ruthenium pentadienyl compound gas, e.g., 2,4-dimethylpentadienylethylcyclo-pentadienylruthenium, and oxygen gas. These gases are reacted on the heated substrate to deposit a ruthenium film on the substrate. Alternatively, a substrate is placed in a processing vessel and heated. A ruthenium compound gas and a decompositing gas capable of decomposing this compound are introduced so that the flow rate of at least either of these changes periodically to form alternating steps which differ in gas composition. These gases are reacted on the heated substrate without purging the processing vessel between those steps to thereby deposit a ruthenium film on the substrate.

Abstract translation: 将基板放置在处理容器中并加热。 引入处理容器中的钌戊二烯基化合物气体，例如2,4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌和氧气。 这些气体在加热的衬底上反应，以在衬底上沉积钌膜。 或者，将基板放置在处理容器中并加热。 引入钌化合物气体和能够分解该化合物的分解气体，使得其中的至少任一种的流量周期性地变化，形成气体组成不同的交替步骤。 这些气体在加热的基板上反应而不在这些步骤之间吹扫处理容器，从而在基板上沉积钌膜。

公开(公告)号：WO2004008518A1

公开(公告)日：2004-01-22

申请号：PCT/JP2003/008803

申请日：2003-07-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  山﨑 英亮 ,  有馬 進 ,  河野 有美子

Inventor： 山﨑 英亮 ,  有馬 進 ,  河野 有美子

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/0281 ,  H01L28/55

Abstract: 本発明の成膜方法は、被処理基板上の膜形成領域にキャパシタの下部電極として金属膜を成長させる工程と、非酸化雰囲気の下、上記被処理基板の温度を３５０℃～５００℃で加熱する工程と、上記金属膜上の膜形成領域に誘電膜を成長させる工程と、上記被処理基板を６００℃以上の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴とする。本発明によれば、予備熱処理により誘電膜の下地となる金属膜の結晶粒が結晶成長して安定状態となり、熱処理時の結晶粒成長が抑制されるので、脆弱な誘電膜に欠陥を与えることなく、高品質の誘電膜を成膜することができる。

Abstract translation: 一种形成膜的方法，其特征在于包括以下步骤：在待加工的基板上的成膜区域中生长用作电容器的下电极的金属膜，在非晶态的350至500℃下加热该基板， 在金属膜的成膜区域内生长电介质膜，并在600℃以上进行热处理。 用作电介质膜的基底膜的金属膜的晶粒通过预热处理而生长并进入稳定状态，并且在热处理期间防止晶粒的生长。 因此，在脆性电介质膜中不发生缺陷，能够形成高品质的电介质膜。

公开(公告)号：WO2004008516A1

公开(公告)日：2004-01-22

申请号：PCT/JP2003/008804

申请日：2003-07-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  山﨑 英亮 ,  多田 吉秀 ,  有馬 進 ,  松沢 興明 ,  中村 和仁 ,  河野 有美子

Inventor： 山﨑 英亮 ,  多田 吉秀 ,  有馬 進 ,  松沢 興明 ,  中村 和仁 ,  河野 有美子

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/403 ,  C23C16/452 ,  H01L21/31604

Abstract: 本発明は、有機金属化合物を原料として金属酸化膜を成膜する成膜方法であって、活性化した酸素ガスを第１の流路を介して処理容器に供給する工程と、該工程と同時若しくは該工程の後又は該工程の最中に、上記処理容器に第２の流路を介して有機金属ガスを供給する工程とを含むことを特徴とする。本発明によれば、残留炭素などの不純物濃度を低下させることを可能となり、良質な金属酸化膜を得ることができる。

Abstract translation: 从作为原料的有机金属化合物形成金属氧化物膜的方法，其特征在于，其包括将活性氧气通过第一流动通道供给到处理容器的步骤，同时在该步骤中或在步骤之后或步骤中， 将有机金属气体通过第二流动通道供给到处理容器。 因此，可以降低残留碳等杂质的含量，能够得到高品质的金属氧化物膜。