公开(公告)号：WO2003048413A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/012657

申请日：2002-12-03

Applicant: 株式会社アルバック ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 山田 貴一 ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45502 ,  B01F3/02 ,  B01F5/0256 ,  B01F2215/0427 ,  B01J4/001 ,  B01J10/02 ,  B01J19/247 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017

Abstract: A mixer (1) capable of uniformly mixing gases with different weights, a thin−film manufacturing device with the mixer (1), and a thin−film manufacturing method using film forming gas formed by mixing the gases in the mixer, the mixer (1) comprising a mixing chamber (2) having the gas inlets (5a, 6a) of two gas inlet pipes (5, 6) positioned so as to be opposed to each other and a mixing gas diffusion chamber (3), wherein a partition plate (4) is installed between the mixing chamber and the diffusion chamber so that the volume of the diffusion chamber is larger than that of the mixing chamber, and a gas outlet (7) is provided in the partition plate at a specified position on the vertical lower side of a straight line connecting two gas inlets to each other; the thin−film manufacturing device wherein a cylindrical sleeve member (61) is fitted to the side wall of a stage (53) inside a vacuum reaction chamber (2), and the height of the stage is set at a position where the volume of a second space on the lower side of the stage connected to a vacuum exhaust means is larger than that of a first space so that exhaust gas can be isotropically exhausted through a clearance between a sleeve member and the inside wall surface of the reaction chamber without causing convection in the first space between a gas head and the stage, whereby the gas flow of the mixing gas can be uniformized by suppressing the occurrence of turbulent flow, convection, and thermal convection.

Abstract translation: 能够均匀混合不同重量的气体的混合器（1），具有混合器（1）的薄膜制造装置，以及使用通过将混合器中的气体混合而形成的成膜气体的薄膜制造方法，混合器 1）包括具有彼此相对定位的两个气体入口管（5,6）的气体入口（5a，6a）和混合气体扩散室（3）的混合室（2），其中分隔件 平板（4）安装在混合室和扩散室之间，使得扩散室的体积大于混合室的体积，并且在隔板上的特定位置处设置气体出口（7） 连接两个气体入口的直线的垂直下侧; 薄膜制造装置，其中圆柱形套筒构件（61）装配到真空反应室（2）内部的台（53）的侧壁上，并且将台的高度设置在 与真空排气装置连接的台的下侧的第二空间大于第一空间的第二空间，从而排气可以通过套筒构件和反应室的内壁表面之间的间隙而各向同性地排出，而不会引起 在气体头与台架之间的第一空间中的对流，由此通过抑制湍流，对流和热对流的发生，混合气体的气流可以均匀化。

公开(公告)号：WO2005020311A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/JP2004/012180

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社アルバック ,  西岡 浩 ,  梶沼 雅彦 ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 西岡 浩 ,  梶沼 雅彦 ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/409 ,  C23C16/452 ,  H01L21/3165

Abstract: 　酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。　

Abstract translation: 一种制造薄膜的方法，其中通过实现氧缺陷的减少和促进氧化物薄膜中的外延生长而产生具有优异性能的氧化物薄膜。 提供了一种方法，包括通过保持在没有原料液化的温度的气体活化装置，通过加热装置沉淀和形成膜的从淋浴器供给由原料气体，载气和氧化气体组成的混合气体 在反应室中的加热基板上进行反应，从而在基板上形成氧化物薄膜。 在该方法中，氧化气体的比例相对于混合气体为60％以上。 当要通过成核形成初始层时，在成膜过程中将氧化气体流量比设定为小于60％并且在随后的成膜过程中设定氧化气体流量比的同时进行形成 为60％以上。 还提供一种氧化物薄膜制造装置，其包括混合器和喷淋板，并且插入其间，加热装置。

公开(公告)号：WO2008016047A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/064984

申请日：2007-07-31

Applicant: 株式会社アルバック ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  菊地 真 ,  山田 貴一 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  菊地 真 ,  山田 貴一 ,  鄒 紅コウ

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 　（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面を還元処理する工程と；前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する膜形成方法。

Abstract translation: 公开了在主要由（111）取向的贵金属构成的基础膜上形成主要由PZT（001）或PZT（100）组成的结晶膜的方法。 这种成膜方法包括用于减小基底膜的表面的步骤和通过MOCVD方法在基底膜的表面上形成结晶膜的步骤。

公开(公告)号：WO2008016044A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/064980

申请日：2007-07-31

Applicant: 株式会社アルバック ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  菊地 真 ,  山田 貴一 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  菊地 真 ,  山田 貴一 ,  鄒 紅コウ

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/787 ,  C23C16/02 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 　（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（１１１）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面に、面間隔が前記貴金属より前記ＰＺＴ（１１１）に近い酸化膜を形成する工程と；前記酸化膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する膜形成方法。

Abstract translation: 公开了在主要由（111）取向的贵金属构成的基础膜上形成主要由PZT（111）构成的结晶性膜的方法。 该成膜方法包括形成在基膜的表面上具有比PZT（111）的面间隔更接近于贵金属的面间距的氧化膜的工序，以及在基膜的表面上形成结晶膜的工序 通过MOCVD法形成氧化膜表面。

公开(公告)号：WO2005056493A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：PCT/JP2004/018286

申请日：2004-12-08

Applicant: TDK株式会社 ,  皆地 良彦 ,  長岡 淳一 ,  倉澤 俊佑 ,  伊藤 昇 ,  村瀬 琢 ,  増田 健 ,  高川 建弥 ,  梅田 秀信

Inventor： 皆地 良彦 ,  長岡 淳一 ,  倉澤 俊佑 ,  伊藤 昇 ,  村瀬 琢 ,  増田 健 ,  高川 建弥 ,  梅田 秀信

IPC: C04B35/26

CPC classification number: C04B35/632 ,  C01G49/0036 ,  C01G49/0054 ,  C01G49/009 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2683 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/83 ,  H01F1/11 ,  Y10T428/32

Abstract: 　添加する副成分を最適化することにより磁気特性を向上したＷ型を主相とするフェライト磁性材料を提供する。 　組成式ＡＦｅ 2+ a Ｆｅ 3+ b Ｏ 27 （ただし、ＡはＳｒ，Ｂａ及びＰｂから選択される少なくとも１種の元素、１．５≦ａ≦２．１、１２．９≦ｂ≦１６．３）で表される組成物を主成分とし、第１副成分として、Ｃａ成分（ＣａＣＯ 3 換算で０．３～３．０ｗｔ％）及び／又はＳｉ成分（ＳｉＯ 2 換算で０．２～１．４ｗｔ％）を含有し、且つ、第２副成分として、Ａｌ成分（Ａｌ 2 Ｏ 3 換算で０．０１～１．５ｗｔ％）、Ｗ成分（ＷＯ 3 換算で０．０１～０．６ｗｔ％）、Ｃｅ成分（ＣｅＯ 2 換算で０．００１～０．６ｗｔ％）、Ｍｏ成分（ＭｏＯ 3 換算で０．００１～０．１６ｗｔ％）、Ｇａ成分（Ｇａ 2 Ｏ 3 換算で０．００１～１５ｗｔ％）の少なくとも１種以上含有するようにした。                                                                                

Abstract translation: 一种铁氧体磁性材料，其包含由经验式：AFe 2+ aFe 3+ bO 27表示的组合物[其中A表示选自Sr，Ba和Pb中的至少一种元素，1.5 <= a <= 2.1，和 作为主要成分的Ca成分（CaCO 3为0.3〜3.0重量％）和/或Si成分（SiO 2为0.2〜1.4质量％）作为主要成分，作为第一副成分 ，Al成分（Al 2 O 3为0.01〜1.5重量％），W成分（WO 3为0.01〜0.6重量％），Ce成分（CeO 2为0.001〜0.6重量％）中的至少一种， ，Mo成分（以MoO 3换算为0.001〜0.16重量％）和Ga成分（以Ga 2 O 3换算为0.001〜15重量％）作为第二副成分。 上述材料是具有W型相作为主相的铁氧体磁性材料，并且由于上述优化的子组分而表现出改进的磁特性。

公开(公告)号：WO2006132046A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/JP2006/309384

申请日：2006-05-10

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  増田 健

Inventor： 増田 健

IPC: G06T1/00 ,  G06T7/00 ,  G06T7/60

CPC classification number: G06K9/522 ,  G06T7/35

Abstract: A three-dimensional shape aligning method involves a feature that a tangent plane is used as an image plane and a local distance image described on a log-polar coordinate system is used. A created image is converted into a power spectrum by Fourier series expansion and the indefiniteness of the angle axis around the normal is normalized to convert it into a quantity invariable to rotation. The power spectrum is expanded in an eigen space by using an eigen vector to compress the dimension. The dimension-compressed space is searched for a correspondence point by nearest neighbor to determine a point correspondence relation. An erroneous correspondence, if any, is eliminated by verification to determine the position relation between distance images. Verification by cross-correlation and RANSAC is carried out to obtain reliable correspondence relations by screening, and a tree structure representing a coherence relation of the distance images is created. The result of this position aligning is used as the initial value, and simultaneous alignment technique is applied to the distance images of tree structure, thereby making a shape model.

Abstract translation: 三维形状对准方法涉及使用切平面作为图像平面并且使用在对数极坐标系上描述的局部距离图像的特征。 通过傅立叶级数展开将创建的图像转换成功率谱，并且将围绕法线的角度轴的不确定度归一化以将其转换为不变的旋转量。 功率谱通过使用特征向量来压缩维度在特征空间中扩展。 通过最近邻居搜索尺寸压缩空间的对应点以确定点对应关系。 通过验证来消除错误的对应（如果有的话），以确定距离图像之间的位置关系。 通过互相关和RANSAC进行验证，通过筛选获得可靠的对应关系，并创建表示距离图像的相干关系的树结构。 将该位置对准的结果用作初始值，并将同时对准技术应用于树结构的距离图像，从而形成形状模型。

公开(公告)号：WO2008007645A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：PCT/JP2007/063679

申请日：2007-07-09

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  増田 健

Inventor： 増田 健

IPC: G06T7/40

CPC classification number: G06T7/44

Abstract: 　並進した画像と相関をとる際に、並進した画像が一つとは限らないように一般化した自己相関の拡張である高次局所自己相関(HLAC)で使用する0～Ｎ次の各次マスクパターンを用意する。0～Ｎ次の各次マスクパターンに対して、それぞれ0～Ｎ次の高次局所自己相関(HLAC)で参照される近傍の輝度値の結合ヒストグラムを生成する。これらヒストグラムを高次局所共起特徴とする。高次局所自己相関(HLAC) 特徴量の一つの拡張的概念として、高次局所共起特徴を導出する。 　

Abstract translation: 与平移图像相关，准备在高阶局部自相关（HLAC）中使用的0到N阶掩模图案中的每一个，其中高阶局部自相关是扩展自相关 广义的方式是翻译图像不一定是一个。 产生相邻亮度值的耦合直方图，其中相邻的亮度值分别由第0至第N阶高的局部自相关（HLAC）参考第0至第N阶掩模图案。 这些直方图被认为是高阶局部同现特征。 提出了高阶局部同现特征作为高阶局部自相关（HLAC）特征的一个扩展概念。

公开(公告)号：WO2006003872A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：PCT/JP2005/011787

申请日：2005-06-28

Applicant: TDK株式会社 ,  榎戸 靖 ,  馬場 文崇 ,  石坂 力 ,  増田 健

Inventor： 榎戸 靖 ,  馬場 文崇 ,  石坂 力 ,  増田 健

IPC: B22F1/00

CPC classification number: C22C1/0441 ,  B01J2/10 ,  B01J2/28 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/0096 ,  B22F3/087 ,  B22F3/093 ,  B22F5/003 ,  B22F9/04 ,  B22F2001/0066 ,  B22F2009/041 ,  B22F2009/042 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C19/07 ,  C22C33/02 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/0273 ,  B22F3/02 ,  B22F2202/05 ,  B22F1/0074 ,  B22F2201/20 ,  B22F2202/01 ,  B22F3/10

Abstract: 　優れた流動性を有する顆粒を用い、成形体の寸法精度の向上及び生産性の向上を図ることができるとともに、特性を大きく低下させることなく希土類焼結磁石を製造する方法を提供することを目的とする。 　所定組成の一次合金粒子に対して有機液体を添加して混合物を得る工程と、混合物を用いて一次合金粒子が有機液体で付着された顆粒を作製する工程と、を備えることを特徴とする希土類焼結磁石用原料粉体の製造方法である。本発明において、一次合金粒子に対して、有機液体を１．５～１５．０ｗｔ％添加することが好ましい。１．５ｗｔ％以下では、顆粒を効率よく作製することが困難な場合があるためであり、１５．０ｗｔ％を超えると湿分が多すぎて、適切な磁場中成形を行うために不必要な湿分を除去することが必要になる場合があるからである。                                                                              

Abstract translation: 一种稀土类烧结磁体用原料粉末的制造方法，其特征在于，具有将有机液体添加到具有规定组成的一次合金粒子的步骤，制备混合物，以及通过使用制备的步骤 的混合物，通过经由有机液体将第一合金颗粒彼此附着而形成的颗粒。 在该方法中，优选相对于一次合金粒子的有机液体的添加量为1.5〜15.0重量％。 当该量小于1.5重量％时，可能难以以高效率制备颗粒，并且当该量大于15.0重量％时，有机水分可能以过量存在，并且可能需要除去不必要的 用于在适当的磁场中进行压实的水分。 由于上述颗粒具有优异的流动性，上述方法允许提高稀土烧结磁体的所得成形体的尺寸精度和提高生产率而对磁体的特性没有很大的不利影响。

公开(公告)号：WO2006001355A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：PCT/JP2005/011577

申请日：2005-06-24

Applicant: TDK株式会社 ,  榎戸 靖 ,  坂本 篤司 ,  石坂 力 ,  増田 健 ,  伊村 正明

Inventor： 榎戸 靖 ,  坂本 篤司 ,  石坂 力 ,  増田 健 ,  伊村 正明

IPC: H01F41/02

CPC classification number: C22C1/0441 ,  B22F2009/041 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0266 ,  B22F3/02 ,  B22F2202/05 ,  B22F9/04 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/10

Abstract: 　保磁力及び機械的強度の低下を招くことなく、高い残留磁束密度を得ることのできる希土類焼結磁石を提供する。 　質量分析により特定される炭素量が５００～１５００ｐｐｍの焼結体からなり、その破断面における炭素量のｃｖ値が２００以下である希土類焼結磁石により上記課題を解決することができる。この希土類焼結磁石は、質量分析により特定される炭素量が１２００ｐｐｍ以下であり、かつＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）により特定される炭素の特性Ｘ線のＸ線強度の最大値をＣｍａｘ、最小値をＣｍｉｎとすると、Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎが１５以下である原料合金粉末を磁場中で加圧成形して成形体を作製する工程と、成形体を焼結する工程とを経ることにより製造することができる。

Abstract translation: 稀土烧结磁体实现了高剩磁通密度，不损害矫顽力和机械强度。 提供了一种由烧结体组成的稀土烧结磁体，其通过质谱法测定的碳含量在500〜1500ppm的范围内，其中其断裂面上碳含量的cv值为= 200。这种罕见的 可以通过在磁场中进行通过质谱法测定的碳含量= 1200ppm的原料合金粉末的加压成型的步骤来制造地烧结磁体，并且其中提供相对于碳的特征X射线 通过EPMA（Electron Probe Micro Analyzer）测定，Cmax是指X射线强度的最大值，Cmin是X射线强度的最小值，Cmax / Cmin的比例= 15，得到成型体， 烧结成型的步骤。