公开(公告)号：WO2008065925A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/JP2007/072417

申请日：2007-11-19

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  伊藤 弘高 ,  大西 隆 ,  武田 実佳子 ,  水野 雅夫

Inventor： 伊藤 弘高 ,  大西 隆 ,  武田 実佳子 ,  水野 雅夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明に係る半導体装置のＣｕ配線は、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線であって、前記Ｃｕ配線は、配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５～３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部で構成されている。本発明に係る半導体装置のＣｕ配線は、配線本体部とバリア層との密着性が良好である。

Abstract translation: 半导体器件Cu布线嵌入在形成在半导体衬底上的绝缘膜上的布线槽或层间连接路径中。 Cu布线由形成在布线槽或层间连接路径一侧的由TaN制成的阻挡层和由Cu构成的布线主体部分构成，所述布线主体部分包含选自以下的一种或多种元素： 一组Pt，In，Ti，Nb，B，Fe，V，Zr，Hf，Ga，Tl，Ru，Re和Os总计为0.05-3.0atm％。 半导体器件Cu布线在布线主体部分和阻挡层之间具有优异的粘附性。

公开(公告)号：WO2009054466A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/JP2008/069256

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

Inventor： 大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

IPC: G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。本発明は、基板上にて、透明導電膜に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、Ｇｅを０．１～０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１～０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜に関する。

Abstract translation: 本发明提供一种用于显示装置的Cu合金膜，其具有比常规Cu合金膜更低的电阻，可以实现低接触电阻与透明导电膜的直接连接，而不形成任何阻挡金属，并且当应用于液体 水晶显示器等可以提供高显示质量。 用于显示装置的Cu合金膜直接连接到基板上的透明导电膜上，其特征在于包含0.1至0.5原子％的Ge和0.1至0.5原子％的总计的至少一种选自以下的金属： 镍，锌，铁和钴