公开(公告)号：WO2007063991A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/JP2006/324106

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

Inventor： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 　ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板を提供する。 　すなわち、上記薄膜トランジスタ基板は、ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する。また、上記薄膜トランジスタ基板は、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする。 　さらに、本発明は、上記薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。

Abstract translation: 提供了具有与透明电极直接连接的构成源极/漏极布线的铝合金膜的薄膜晶体管基板，具有优异的源极/漏极布线特性和优异的栅极布线特性，并且通过显着简化的工艺制造。 薄膜晶体管基板设置有栅极布线，并且源极布线和与栅极布线正交的漏极布线。 薄膜晶体管基板的特征在于，构成栅极布线的单层铝合金膜和构成源极布线和漏极布线的单层铝合金膜的组成相同。 此外，还提供了具有薄膜晶体管基板的显示装置。

公开(公告)号：WO2007063921A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/JP2006/323856

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

Inventor： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。 　ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０～７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングする。この際、上記ポストベーク温度：ｘ（°C）を１１０°C以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすように配線膜を形成する。  １０≦［（２／３）ｘ-５ｙ］≦７０…（１）

Abstract translation: 提供一种形成布线膜的方法，其中在形成由纯铝或铝合金构成的单层布线膜时，侧壁上的锥形以规定范围内的角度被良好地蚀刻。 在后烘后，通过使用包括硝酸，磷酸，乙酸和水的蚀刻溶液，将纯铝膜或铝合金膜蚀刻成具有10-70°的侧壁锥角的锥形。 在110℃以下的后烘烤温度（x（℃））下形成布线膜，并且通过使蚀刻液中的后烘烤温度和硝酸浓度（y（wt％））满足 以下不等式（1）。 10 = [（2/3）x-5y] = 70（1）

公开(公告)号：WO2005040454A1

公开(公告)日：2005-05-06

申请号：PCT/JP2004/016288

申请日：2004-10-27

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  旭硝子株式会社 ,  林 和志 ,  釘宮 敏洋 ,  古保里 隆 ,  海老沢 純一 ,  佐藤 一夫 ,  吉川 幸雄

Inventor： 林 和志 ,  釘宮 敏洋 ,  古保里 隆 ,  海老沢 純一 ,  佐藤 一夫 ,  吉川 幸雄

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67017

Abstract: 簡素かつ低コストの構成で、基材上への均一なガス供給を可能にして高質の表面処理を実現することを課題とする。そのための手段として、基材（１２）を特定方向に搬送しながら、その表面に向けて表面処理用ガスを供給することにより、基材（１２）の表面処理を行うにあたり、前記表面処理用ガスの供給手段として、円筒状外周面をもつ回転体（２４）の当該外周面を前記基材（１２）の表面または当該基材から離れた位置に設けられた対向部材（２０）に隙間（２３）をおいて対向させて前記基材（１２）の搬送方向と略直交する方向の軸を中心に回転させる。この回転により、回転体（２４）の外周面に前記表面処理用ガスを巻き込ませて前記隙間（２３）に導かせ、この隙間（２３）から前記基材（１２）の表面へ表面処理用ガスを送り出す。

Abstract translation: 通过简单且低成本的结构实现高质量的表面处理，使得能够均匀地供应到基材上。 通过向正在沿预定方向输送的基材（12）的表面供给表面处理气体来制造基材（12）的表面处理。 用于供给表面处理气体的装置被构造成使得面对构件（20）远离基材（12）的表面或从基底材料定位，旋转体（24）的外周表面具有中空 圆周外周面与面向材料（20）面对间隙（23），旋转体绕基本材料（12）的输送方向基本上垂直的轴线旋转。 旋转使得表面处理气体在旋转体（24）的外周面上缠绕并导向间隙（23），气体从间隙（23）送出到基材的表面 （12）。

公开(公告)号：WO2007145292A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2007/062038

申请日：2007-06-14

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  青峰 信孝 ,  青嶋 有紀 ,  林 和志 ,  釘宮 敏洋 ,  古保里 隆

Inventor： 青峰 信孝 ,  青嶋 有紀 ,  林 和志 ,  釘宮 敏洋 ,  古保里 隆

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32761

Abstract: Disclosed is a method for forming a thin film which enables to stably form a uniform thin film by suppressing particles formed through a reaction of a reaction gas even when the space between a rotating electrode and a substrate is set wider than conventional methods when the thin film is formed on the substrate by using a plasma under near atmospheric pressure. When a thin film is formed on a substrate (S) by generating a plasma in the space between a cylindrical rotating electrode (12), whose rotation central axis is parallel to the substrate, and the substrate (S) by supplying an electric power to the rotating electrode (12) and activating a supplied reaction gas (G) by using the thus-generated plasma, the distance between the rotating electrode (12) and the substrate (S) is set at 2-7 mm, and a high-frequency electric power having a frequency from 100 kHz to 1 GHz is supplied to the rotating electrode (12).

Abstract translation: 公开了一种形成薄膜的方法，即使当旋转电极和基板之间的空间被设定为比常规方法宽时，也能够通过抑制由反应气体的反应形成的颗粒来稳定地形成均匀的薄膜， 通过在接近大气压下使用等离子体而形成在基板上。 当通过在其旋转中心轴平行于基板的圆筒形旋转电极（12）和基板（S）之间的空间中产生等离子体而在基板（S）上形成薄膜时，通过向 通过使用由此产生的等离子体激活供给的反应气体（G），将旋转电极（12）和基板（S）之间的距离设定为2-7mm， 向旋转电极（12）供给具有100kHz〜1GHz的频率的高频电力。