公开(公告)号：WO2014156129A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/001715

申请日：2014-03-25

Applicant: 株式会社神戸製鋼所

Inventor： 玉垣　浩

IPC: C23C14/56

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/32 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32761

Abstract: 　プラズマの補助を受けつつ蒸着により成膜を行う成膜装置において、長時間に亘って安定的に蒸着を行う。本発明の成膜装置（１）は、圧下でフィルム基材（Ｗ）をロール・ツー・ロールで搬送しながら、フィルム基材（Ｗ）へ蒸着材料（Ｍ）を蒸着させる成膜装置（１）であって、内部が減圧されるチャンバ（２）と、チャンバ（２）内に配備されると共に基材フィルムを外周面に巻き掛けてチャンバ（２）内を案内する一対のローラ（３、３）と、蒸着材料（Ｍ）を蒸発させる蒸発装置（４）と、一対のローラ（３、３）間に交流電圧を印加するプラズマ発生電源（５）と、チャンバ（２）内にガスを導入する手段（６）と、を有し、一対のローラ（３、３）は、フィルム基材（Ｗ）を保持した表面にプラズマを生成し、蒸発手段（４）は、蒸着材料（Ｍ）を蒸発させると共にフィルム基材（Ｗ）の表面に皮膜として蒸着することを特徴とする。

Abstract translation: 提供一种成膜装置，其通过蒸镀形成膜，同时接受等离子体的辅助，并在长时间内稳定地进行气相沉积。 该成膜装置（1）通过在压力下的卷对卷方式输送薄膜基材（W），在薄膜基材（W）上蒸镀蒸镀材料（M），其特征在于： 成膜装置（1）具有内部压力减小的室（2），设置在室（2）内的一对辊（3,3），将基材膜引导到室（2）内 ），并且在其外周表面上滚动基材膜，使气相沉积材料（M）蒸发的蒸发装置（4），在一对辊之间施加交流电压的等离子体发生电源（5） 3）和用于将气体引入所述室（2）中的装置（6）; 并且所述一对辊（3,3）在保持所述膜基材（W）的表面上产生等离子体，并且所述汽化装置（4）使所述气相沉积材料（M）蒸发，并将其蒸镀 涂覆在基材（W）的表面上。

公开(公告)号：WO2014086130A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/CN2013/073336

申请日：2013-03-28

Applicant: 中国科学院南京土壤研究所 ,  常州中科常泰等离子体科技有限公司

Inventor： 董元华 ,  邵汉良 ,  钱海波 ,  缪琴

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32761 ,  H01J37/32018

Abstract: 低真空状态下的冷等离子体辉光放电发生器，包括等离子体处理装置，所述装置设于真空度可调的腔体内，该装置包括绝缘支架、放电装置、主动辊、从动辊、压辊和传送带，主动辊和从动辊通过轴承分别设于绝缘支架的两端，传送带设于主动辊和从动辊之上，压辊也通过轴承设于绝缘支架一端，将传送带压紧于主动辊上，放电装置设于绝缘支架上，传送带从放电装置的内部穿过。本装置通过对放电装置中的极板结构改进，增加了金属悬浮屏蔽外壳和绝缘填充材料，阻止了极板与腔体内壁之间的放电，并使其产生位移电流，增强了等离子体的活性。

公开(公告)号：WO2013183202A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/JP2013/001595

申请日：2013-03-12

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 佐々木　雅夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3455

Abstract: 　スパッタリング装置はマグネットを有する３つのターゲットを備えており、マグネット７ａ，７ｂ，７ｃのそれぞれは、順方向のストローク端から逆方向に移動させた後に停止させる第１の移動と、第１の移動後の停止位置から逆方向の逆方向のストローク端まで移動させた後に停止させる第２の移動と、逆方向のストローク端から順方向のストローク端まで移動させた後に停止させる第３の移動とを行うように制御される。そして成膜の際、第１の移動の間に基板に成膜される第１の膜と、第２の移動の間に基板に成膜される第２の膜と、第３の移動の間に基板に成膜される第３の膜はそれぞれ異なるターゲット４ａ，４ｂ，４ｃによって成膜され、さらに、第１、第２、第３の膜が基板上で重なるように制御される。

Abstract translation: 该溅射装置具有三个具有磁体的靶。 每个磁体（7a，7b，7c）都被控制成使得：在向前方向从行程端沿相反方向移动后停止的第一运动; 在从第一移动之后的停止位置向相反方向从行程端向相反方向移动之后停止的第二动作; 以及在向前方向从行程端向行进端向相反方向移动之后停止的第三移动。 此外，在成膜期间，在第一次运动期间形成在基板上的第一膜，在第二运动期间形成在基板上的第二膜和在第三运动期间形成在基板上的第三膜分别由不同的靶（4a ，4b，4c）。 此外，控制第一，第二和第三膜以在基板上重叠。

公开(公告)号：WO2012066080A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/EP2011/070359

申请日：2011-11-17

Applicant: BEKAERT ADVANCED COATINGS ,  DE BOSSCHER, Wilmert

Inventor： DE BOSSCHER, Wilmert

IPC: H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/32761

Abstract: A sputtering installation and method are described for coating substrates, the substrate being transportable in said installation in a transport direction, the substrate having a substrate width perpendicular to said transport direction, the installation comprising at least one pair of sputtering targets, each rotatable about a longitudinal axis of the target, the targets having magnet bars arranged lengthwise in pole lines for generating elongated race tracks on the surface of the targets during use. The pole lines are substantially parallel to the substrate transport direction. All targets are arranged side by side with their longitudinal axes parallel. The targets are closer to the substrate than the substrate width, i.e. the distance between the target surfaces and the substrate is lower than the width of the substrate. According to an advantageous embodiment of the invention and especially for coating uniformity the race track angle should be larger than 45°, i.e. the angle between adjacent pole lines is larger than 45° as measured from the target axis.

Abstract translation: 描述了用于涂覆基板的溅射装置和方法，所述基板可沿输送方向在所述安装中运输，所述基板具有垂直于所述输送方向的基板宽度，所述装置包括至少一对溅射靶，每个溅射靶可围绕 目标具有磁极棒，其纵向设置在极线中，用于在使用期间在目标表面上产生细长的赛道。 极线基本上平行于衬底输送方向。 所有目标并排布置，其纵轴平行。 目标比基板宽度更靠近基板，即目标表面和基板之间的距离低于基板的宽度。 根据本发明的有利实施例，特别是对于涂层均匀性，跑道角度应大于45°，即从目标轴线测量的相邻极线之间的角度大于45°。

公开(公告)号：WO2011044359A3

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/US2010051818

申请日：2010-10-07

Applicant: OVSHINSKY INNOVATION LLC ,  OVSHINSKY STANFORD

Inventor： OVSHINSKY STANFORD

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32761 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/18

Abstract: A continuous thin film deposition apparatus that includes a remote plasma source. The source forms a plasma from a precursor and delivers a modified form of the plasma as a charge-depleted deposition medium to a deposition apparatus for formation of a thin film material. The thin film may be formed on a continuous web or other moving substrate. The charge-depleted deposition medium may be formed within the remote plasma source and delivered to an operatively coupled deposition apparatus or the charge-depleted deposition medium may form as the plasma exits the remote plasma source. The initial plasma is formed within the remote plasma source and includes a distribution of charged species (electrons and ions). The charge-depleted deposition medium contains a reduced concentration of the charged species and permits deposition of thin film materials having lower defect concentration. The thin film material may be a solar material.

Abstract translation: 包括远程等离子体源的连续薄膜沉积装置。 源从前体形成等离子体，并将改性形式的等离子体作为电荷耗尽的沉积介质输送到用于形成薄膜材料的沉积设备。 薄膜可以形成在连续的网或其他移动的基底上。 电荷耗尽的沉积介质可以形成在远程等离子体源内并且被传送到可操作地耦合的沉积设备，或者当等离子体离开远程等离子体源时可以形成电荷耗尽的沉积介质。 初始等离子体在远程等离子体源内形成并且包括带电物质（电子和离子）的分布。 电荷耗尽的沉积介质包含降低浓度的带电物质并允许沉积具有较低缺陷浓度的薄膜材料。 薄膜材料可以是太阳能材料。

公开(公告)号：WO2010134892A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/SG2010/000186

申请日：2010-05-17

Applicant: COTEC PTE. LTD ,  CHEAH, Li Kang

Inventor： CHEAH, Li Kang

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/50 ,  C23C14/32 ,  C23C14/54 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32761

Abstract: This invention relates to a coating apparatus for coating a substrate comprising: a chamber; a cathodic arc source for generating and projecting a plasma beam along a plasma beam path within the chamber, the projected plasma crossing a horizontal plane within the chamber; a moveable holder having a planar mounting surface that is generally parallel to said horizontal plane, the moveable holder being configured to move the planar mounting surface relative to the horizontal plane within the chamber and into the path of the plasma beam to form a plasma coating on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂覆基材的涂布装置，包括：室; 阴极电弧源，用于沿着所述腔室内的等离子体束路径产生和投射等离子体束，所述投影等离子体穿过所述腔室内的水平面; 具有大致平行于所述水平面的平面安装表面的可移动保持器，所述可移动保持器构造成相对于所述腔室内的水平平面移动所述平面安装表面并进入所述等离子体束的路径以形成等离子体涂层 底物。

公开(公告)号：WO2010064493A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/JP2009/067826

申请日：2009-10-15

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  恒川 孝二

Inventor： 恒川　孝二

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3402 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  H01F41/18 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3426 ,  H01L43/12

Abstract: 　大口径基板に対して、磁性薄膜の磁化容易軸のばらつきを改善する。 　基板１０を支持する基板ホルダ１１と、基板ホルダの周囲で磁石３０を支持する磁石ホルダ３１と、基板上方で放電電圧が印加されるカソードユニット５０と、基板ホルダと磁石ホルダのうち少なくとも一方、または双方を基板処理面の面方向に沿って回転可能な回転機構２０、４０と、基板及び磁石の回転位置を検出する回転位置検出手段２５、４５と、各操作要素の動作を制御する制御装置６０と、を備えたプラズマ処理装置１であって、制御装置は回転位置検出手段の検出信号に基づいて、磁性薄膜のスパッタ成膜中に、基板処理面の磁化容易軸と磁石が印加する磁界との相対角をスイング変動させるように基板ホルダまたは／及び磁石ホルダの回転機構を制御する。

Abstract translation: 相对于具有大直径的基板，磁性薄膜的易磁化轴的变化得到改善。 一种等离子体处理装置（1）具有：支撑基板（10）的基板支架（11）。 在所述基板保持器的周围支撑磁体（30）的磁体保持架（31） 阴极单元（50），其在基板上施加放电电压; 旋转机构（20,40），其可以在基板处理表面的表面方向上旋转基板保持器或磁体保持器或两者; 旋转位置检测装置（25,45），其检测基板和磁体的旋转位置; 以及控制各操作元件的移动的控制装置（60）。 基于从旋转位置检测装置获得的检测信号，控制装置控制基板保持器和/或磁体保持器的旋转机构，以便通过摆动基板处理表面的易磁化轴与 由磁体施加的磁场，同时通过溅射形成磁性薄膜。

公开(公告)号：WO2009106962A2

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/IB2009/000357

申请日：2009-02-26

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  SAUER, Andreas ,  HENRICH, Juergen ,  GEBELE, Thomas

Inventor： SAUER, Andreas ,  HENRICH, Juergen ,  GEBELE, Thomas

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/56 ,  C23C14/564 ,  C23C16/45519 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32761

Abstract: A backside coating prevention device adapted for a coating chamber for coating plate-shaped substrates is provided, said coating chamber being adapted for coating continuously or discontinuously transported plate-shaped substrates, comprising a front wall having a substrate feeding opening and a rear wall having a substrate discharge opening, a coating material source adapted for dispensing coating material into the coating chamber, and a transport system, a front side of the transport system facing the coating material source, the transport system being adapted for continuously or discontinuously transporting a plurality of plate-shaped substrates along a transport path on the front side of the transport system, wherein said backside coating prevention device is adapted for providing a gas barrier at the front side of the transport system and adjacent to the backsides of the plurality of plate- shapes substrates for preventing backside coating of the plate-shaped substrates.

Abstract translation: 提供一种适用于涂布板状基材的涂布室的背面涂层防止装置，所述涂布室适用于连续或不连续传送的板状基材的涂布，包括具有基板供给口的前壁和具有基板供给口的后壁 基材排出口，适于将涂料分配到涂布室中的涂料源和运输系统，运送系统的正面与涂料源相对，运输系统适于连续或不连续运送多个板 所述背面涂层防止装置适于在所述传送系统的前侧提供与所述多个板状基板的背面相邻的气体阻挡层 用于防止板状基板的背面涂覆。

公开(公告)号：WO2007075435A2

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/US2006047945

申请日：2006-12-14

Applicant: FLUENS CORP ,  DEVITO RICHARD ,  KLEIN MARTIN ,  SFERLAZZO PIERO

Inventor： DEVITO RICHARD ,  KLEIN MARTIN ,  SFERLAZZO PIERO

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/32

CPC classification number: C23C14/0073 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/044 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/568 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3178 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/3146

Abstract: A reactive sputtering system includes a vacuum chamber and a reactive ion source that is positioned inside the vacuum chamber. The reactive ion source generates a reactive ion beam from a reactant gas. A sputtering chamber is positioned in the vacuum chamber. The sputtering chamber includes a sputter source having a sputtering target that generates sputtering flux, walls that contain an inert gas, and a seal that impedes the reactant gas from entering into the sputtering chamber and that impedes inert gas and sputtered material from escaping into the vacuum chamber. A transport mechanism transports a substrate under the reactive ion source and through the sputtering chamber. The substrate is exposed to the reactive ion beam while passing under the reactive ion source and then is exposed to sputtering flux while passing through the sputtering chamber.

Abstract translation: 反应性溅射系统包括真空室和位于真空室内的反应离子源。 反应离子源从反应气体产生反应离子束。 溅射室位于真空室中。 溅射室包括溅射源，其具有产生溅射焊剂的溅射靶，含有惰性气体的壁和阻止反应气体进入溅射室的密封件，并阻止惰性气体和溅射材料逸出到真空中 室。 输送机构将反应离子源下方的基板输送到溅射室。 当反应离子源通过时，将衬底暴露于反应离子束，然后在通过溅射室的同时暴露于溅射焊剂。

公开(公告)号：WO2006064161A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：PCT/FR2005/051081

申请日：2005-12-13

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  DURANDEAU, Anne ,  DURAN, Maxime ,  COUSTET, Valérie ,  MONTIGAUD, Hervé

Inventor： DURANDEAU, Anne ,  DURAN, Maxime ,  COUSTET, Valérie ,  MONTIGAUD, Hervé

IPC: C03C23/00 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C23C14/56 ,  C23C14/00 ,  C23C14/02

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/34 ,  C03C23/0075 ,  C03C2217/71 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/156 ,  C03C2218/31 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/365 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/34 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: Procédé pour le traitement en continu d'un substrat verrier dont la dimension perpendiculaire au sens de déplacement le long de ladite installation est 20 supérieure à 1,5 m, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend entre autres : - une étape mettant en oeuvre une ligne magnétron pour effectuer le dépôt de couches minces successives, ladite ligne comprenant une succession de sections, chaque section comprenant au moins une cathode faite d'un matériau 25 ou d'un précurseur du matériau à déposer et fonctionnant suivant le principe de la pulvérisation cathodique sous l'action d'un plasma généré par décharge électrique dans un gaz plasmagène, - au moins une étape mettant en oeuvre un dispositif à plasma atmosphérique, c'est à dire générant et permettant un traitement par un plasma 30 dans un gaz sensiblement à la pression atmosphérique. - Installation permettant la mise en oeuvre du procédé 35 .

Abstract translation: 本发明涉及一种用于连续处理玻璃基板的方法，其中沿着所述装置的位移方向的垂直尺寸大于1.5μm。 该方法的特征在于，它包括：使用磁控管线执行连续薄层的沉积的步骤，所述线包括一连串的部分，每个部分包括至少一个由材料制成的阴极或 在等离子体形成气体中通过放电产生的等离子体的作用下，根据阴极溅射原理沉积和操作的材料的前体; 使用大气压等离子体装置的至少一个步骤，即在基本上在大气温度下的气体中产生和允许等离子体处理。 本发明还涉及用于实现该方法的安装。