公开(公告)号：WO2019094822A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/US2018/060166

申请日：2018-11-09

申请人： FINISAR CORPORATION

发明人： STAPLETON, Brent ,  KHURANA, Pritha ,  LYE, Nathan

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/42 ,  H01L23/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/026

CPC分类号： H01S5/02296 ,  G03B21/2033 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1715 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014

摘要： An emitter package can include: a body having a bottom member, side members extending from the bottom member, and a top surface, wherein the body defines a cavity formed into the top surface and located between the bottom member and side members; the cavity having top side walls extending from the top surface to optic shelves, middle side walls extending from the optic shelves to contact shelves, and bottom side walls extending from the contact shelves to a base surface; electrical conductive pads on the base surface in the cavity; emitter chips on the electrical conductive pads, each emitter chip having one or more light emitters; shelf contact pads on the contact shelves; and electrical connector wires connected to and extending between the emitter chips and the shelf contact pads.

公开(公告)号：WO2016157464A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2015/060296

申请日：2015-03-31

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 松林　良

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/75 ,  B23K1/0016 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/42 ,  H01L21/52 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/83203

摘要： 　基板１に金属粒子ペースト４を介して電子部品２を配置した組立体２０を加圧及び加熱して金属粒子ペースト４を焼成する際に用い、金属粒子ペースト４を焼成する際に組立体を挟み込む板状の伝達部材であって、伝達部材１１０，１２０は、熱伝導率が１～２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲内にあり、かつ、ビッカース硬さが１８０～２３００ｋｇｆ／ｍｍ ２ の範囲内にある材料からなることを特徴とする伝達部材１１０，１２０。　本発明の伝達部材は、基板と電子部品との接合性が低下するのを抑制することが可能であり、かつ、接合体の生産効率が著しく低下してしまうのを防止することが可能な接合体の製造方法に用いるための伝達部材となる。

摘要翻译： 公开了在加压和加热其中电子部件2布置在基板1上的金属颗粒糊4并烧制金属颗粒浆料4的组件20时使用的板状传动部件110,120， 在烧制金属颗粒糊料4时夹持组件的传动构件，其中每个传动构件110,120由导热率为1至200W /（m·K）的材料制成，并且 维氏硬度范围为180至2300 kgf / mm2。 这些传输部件用于能够抑制基板和电子部件之间的接合性降低的粘合体的制造方法，能够防止粘接体的生产效率显着降低。

公开(公告)号：WO2016125796A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/JP2016/053072

申请日：2016-02-02

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 小寺　省吾 ,  笠井　渉 ,  鈴木　政己

IPC分类号： H01L21/56 ,  B29C33/68 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J175/04

CPC分类号： H01L21/565 ,  B29C33/68 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C08F290/067 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/6229 ,  C08G18/6262 ,  C08G18/757 ,  C08G18/792 ,  C08G18/8029 ,  C08G2170/40 ,  C08K5/0075 ,  C08K9/10 ,  C08K2201/017 ,  C08L65/00 ,  C09J7/22 ,  C09J7/24 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J133/066 ,  C09J175/04 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/11 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L27/14 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  C08K5/43

摘要： 　樹脂封止部に対する離型性、半導体チップ、ソース電極またはシーリングガラスに対する低移行性および再剥離性に優れ、半導体チップ、ソース電極またはシールガラスの表面の一部が露出した半導体素子を製造するための離型フィルムとして適したフィルムの提供。　基材３と、粘着層５とを備え、基材３の１８０℃における貯蔵弾性率が１０～１００ＭＰａで、粘着層５が、特定のアクリル系重合体と多官能イソシアネート化合物とを含み、前記アクリル系重合体に由来するヒドロキシ基のモル数Ｍ ＯＨ 、カルボキシ基のモル数Ｍ ＣＯＯＨ 、前記多官能イソシアネート化合物に由来するイソシアナート基のモル数Ｍ ＮＣＯ が特定の関係を満たす粘着層用組成物の反応硬化物である、半導体素子を製造するための離型フィルムとして適したフィルム１。

摘要翻译： 提供一种相对于树脂密封部具有优异的脱模性的薄膜，相对于半导体芯片，源电极或密封玻璃具有优异的低迁移特性和重复性，并且适合作为脱模膜 用于制造其中露出半导体芯片，源电极或密封玻璃的表面的一部分的半导体元件。 作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1设置有基材3和粘合层5.基材3在180℃下的储能弹性模量为10〜100MPa。 粘合剂层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和特定的多官能异氰酸酯化合物的粘合剂层形成用组合物的固化反应的产物，其中来自丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH， 衍生自丙烯酸类聚合物的羧基的摩尔数MCOOH和衍生自多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定关系。

公开(公告)号：WO2016068169A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/JP2015/080338

申请日：2015-10-28

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 塚尾　怜司

IPC分类号： H01R11/01 ,  H01B5/16

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01R4/04

摘要： 　ファインピッチの接続端子を接続する場合でも、ショートの発生を抑制しつつ各接続端子に導電粒子を十分に捕捉させ、導通信頼性を向上させることのできる異方性導電フィルムは、導電粒子２が一列に配列した導電粒子ユニット３、又は導電粒子２が一列に配列した導電粒子ユニット３と単独の導電粒子２ａが、絶縁接着剤層４中に格子状に配置された構造を有する。隣接する導電粒子ユニット３及び単独の導電粒子２ａから選ばれる導電粒子同士の最近接距離Ｌａは、導電粒子２、２ａの粒子径の０．５倍以上である。

摘要翻译： 通过使各连接端子充分捕获导电性粒子，能够在抑制短路的发生的同时即使在连接具有细间距的连接端子的情况下也能够提高导通可靠性的各向异性导电膜具有导电性粒子单元 如图3所示，将导电粒子2排列成一行，或者将导电粒子2排列成一行的导电粒子单元3，分离的导电粒子2a以绝缘性粘接剂 从相邻的导电粒子单元3和分离的导电粒子2a之间选择的导电粒子之间的最接近距离La为导电粒子2,2a的粒径的0.5倍以上。

公开(公告)号：WO2016068127A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/JP2015/080233

申请日：2015-10-27

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 阿久津　恭志

IPC分类号： H01R11/01 ,  H01B5/16 ,  H05K3/32

CPC分类号： H01L24/29 ,  B32B37/12 ,  B32B2307/202 ,  G06F17/5045 ,  H01B1/22 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/14 ,  H01R13/2414 ,  H05K1/028 ,  H05K1/111 ,  H05K1/144 ,  H05K3/32 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/041

摘要： 絶縁接着剤層(10)、該絶縁接着剤層に格子状に配置された導電粒子(Ｐ)を含む異方導電性フィルム(１Ａ)であって、基準導電粒子(Ｐ0)と、基準導電粒子(Ｐ0)に最も近接した第１導電粒子(Ｐ1)と、第１導電粒子(Ｐ1)と同等又は第１導電粒子(Ｐ1)の次に基準導電粒子(Ｐ0)に近接した導電粒子であって、基準導電粒子(Ｐ0)と第１導電粒子(Ｐ1)を含む格子軸上に無い第２導電粒子(Ｐ2)について、基準導電粒子(Ｐ0)の異方導電性フィルムの長手方向の投影像(ｑ1)と第１導電粒子(Ｐ1)又は第２導電粒子(Ｐ2)が重なり、基準導電粒子(Ｐ)の異方導電性フィルムの短手方向の投影像(ｑ2)と第２導電粒子(Ｐ2)又は第１導電粒子(Ｐ1)が重なる。これらの重なり幅(Ｗ1)、幅(Ｗ2)の少なくとも一方が導電粒子(Ｐ)の粒子径(Ｄ)の１倍未満である。

摘要翻译： 各向异性导电膜（1A）包括绝缘粘合剂层（10）和在绝缘粘合剂层中以格子排列的导电颗粒（P）。 关于参考导电颗粒（P0）; 最接近参考导电颗粒（P0）的第一导电颗粒（P1）; 以及第二导电粒子（P2），其在与所述基准导电性粒子（P0）的距离与所述第一导电粒子（P1）相同的距离处，或者在所述第一导电粒子 （P1），并且不在基准导电性粒子（P0）和第一导电粒子（P1）所在的晶格轴上，所以基准导电性粒子（P0）的长度方向的投影像（q1） 各向异性导电膜与第一导电粒子（P1）或第二导电粒子（P2）重叠，并且各向异性导电膜的横向的参考导电性粒子（P0）的投射图像（q2）与第二导电粒子 （P2）或第一导电粒子（P1）。 其重叠宽度（W1）和（W2）中的至少一个小于导电颗粒（P）的粒径（D）的一倍。

公开(公告)号：WO2016044179A2

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/US2015050026

申请日：2015-09-14

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA ,  KATKAR RAJESH

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/822 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： Integrated circuits (ICs 110) are attached to a wafer (120W). A stabilization layer (404) is formed over the wafer to strengthen the structure for further processing. Unlike a conventional mold compound, the stabilization layer is separated from at least some wafer areas around the ICs by one or more gap regions (450) to reduce the thermo- mechanical stress on the wafer and hence the wafer warpage. Alternatively or in addition, the stabilization layer can be a porous material having a low horizontal elastic modulus to reduce the wafer warpage, but having a high flexural modulus to reduce warpage and otherwise strengthen the structure for further processing. Other features and advantages are also provided.

摘要翻译： 集成电路（IC 110）附接到晶片（120W）。 在晶片上形成稳定层（404），以加强用于进一步处理的结构。 与常规的模制化合物不同，通过一个或多个间隙区域（450）将稳定层与IC周围的至少一些晶片区域分离，以减少晶片上的热机械应力，从而降低晶片翘曲。 或者或另外，稳定层可以是具有低水平弹性模量的多孔材料，以减少晶片翘曲，但是具有高挠曲模量以减少翘曲，否则加强用于进一步加工的结构。 还提供了其他特点和优点。

公开(公告)号：WO2016031730A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/JP2015/073608

申请日：2015-08-21

申请人： リンテック株式会社

发明人： 中山　秀一 ,  松井　優美 ,  樫尾　幹広

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08K3/00 ,  C08K5/548 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09K3/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56

CPC分类号： C09J183/06 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08K3/00 ,  C08K3/36 ,  C08K5/548 ,  C08K2201/005 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09K3/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明は、下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含有する硬化性組成物であって、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比で、〔（Ａ）成分：（Ｂ）成分〕＝１００：０．３～１００：５０の割合で含有することを特徴とする硬化性組成物とその製造方法、前記硬化性組成物を硬化してなる硬化物、前記硬化性組成物を光素子固定材用接着剤又は光素子固定材用封止材として使用する方法、及び光デバイスである。 （Ａ）成分：式（ａ－１）：Ｒ １ ＳｉＯ ３ ／ ２ （式中、Ｒ １ は、置換基を有する、若しくは置換基を有さない炭素数１～１０のアルキル基、又は、置換基を有する、若しくは置換基を有さないアリール基を表す。）で示される繰り返し単位を有する硬化性ポリシルセスキオキサン化合物 （Ｂ）成分：平均一次粒子径が５～４０ｎｍの微粒子 （Ｃ）成分：分子内に硫黄原子を有するシランカップリング剤　本発明によれば、接着性、耐剥離性、耐熱性に優れる硬化物を与え、かつ、塗布工程における作業性に優れる硬化性組成物とその製造方法、前記硬化性組成物を硬化してなる硬化物、前記硬化性組成物を光素子固定材用接着剤又は光素子固定材用封止材として使用する方法、及び光デバイスが提供される。

摘要翻译： 本发明是含有成分（A）〜（C）的固化性组合物，其特征在于，以[成分（A）：成分（B）] =质量比计含有成分（A）和成分（B） 100：0.3-100：50; 制造可固化组合物的方法; 通过固化可固化组合物获得的固化材料; 使用固化性组合物作为光学元件固定材料的粘合剂或光学元件固定材料的密封材料的方法; 和光学装置。 组分（A）：具有由式（a-1）表示的重复单元的可固化聚倍半硅氧烷化合物R1SiO3 / 2（式中，R1是具有取代基或不具有取代基的C1-10烷基或具有取代基的芳基， 取代基或不具有取代基）。 成分（B）：平均一次粒径为5-40nm的微粒。 成分（C）：分子中具有硫原子的硅烷偶联剂。 本发明提供：固化性组合物及其制造方法，所述固化性组合物在涂布工序中的加工性优异，赋予粘合性，耐剥离性，耐热性优异的固化物; 通过固化可固化组合物获得的固化材料; 使用固化性组合物作为光学元件固定材料的粘合剂或光学元件固定材料的密封材料的方法; 和光学装置。

公开(公告)号：WO2016013593A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/JP2015/070884

申请日：2015-07-22

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 塚尾　怜司

IPC分类号： H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/73 ,  G02F1/13458 ,  G02F2202/28 ,  H01L22/14 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/1426 ,  H01R4/04 ,  H01R12/7076 ,  H01R13/2414 ,  H05K1/111 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0269 ,  H05K2201/09409 ,  H01L2924/00

摘要： 　バンプと電極との間で導電性粒子が適度に押しつぶされているか否か容易に判定する。　複数の端子２１が配列された端子列２２が端子２１の配列方向と直交する幅方向に複数並列された回路基板１２と、複数の端子列２２に応じて、複数のバンプ２５が配列されたバンプ列２６がバンプ２５の配列方向と直交する幅方向に複数並列された電子部品１８とを備え、導電性粒子４が配列された異方性導電接着剤１を介して回路基板１２上に電子部品１８が接続された接続体１において、回路基板１２及び電子部品１８の各外側に配列された相対向する端子２１とバンプ２５の距離が、各内側に配列された相対向する端子２１とバンプ２５の距離よりも大きい。

摘要翻译： 为了容易地确定在凸点和电极之间导电颗粒是否被压碎到适当的量。 一种连接体（1），其具有电路基板（12），多个端子列（22）在与配置在端子排（22）中的端子（21）的配置方向正交的宽度方向上配置， ; 以及电子部件（18），其中多个凸块行（26）在与布置在凸块行（26）中的凸块（25）的布置方向正交的宽度方向上布置，凸块行（26）为 被布置成与端子排（22）对应，电子部件（18）连接到电路板（12）上，插入有布置有导电颗粒（4）的各向异性导电粘合剂（1）; 其中设置在所述电路板（12）和所述电子部件（18）的外侧的相互相对的端子（21）和凸块（25）之间的距离大于相互相对的端子（21）和凸块（25）之间的距离， 布置在电路板（12）和电子部件（18）的内部。

公开(公告)号：WO2015155542A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/GB2015/051096

申请日：2015-04-10

申请人： ALPHA METALS, INC. ,  SETNA, Rohan P

发明人： GHOSHAL, Shamik ,  CHAKI, Nirmalya Kumar ,  ROY, Poulami Sengupta ,  SARKAR, Siuli ,  RUSTOGI, Anubhav

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： A sintering powder comprising: a first type of metal particles having a mean longest dimension of from 100 nm to 50 μm.

摘要翻译： 一种烧结粉末，其特征在于，包括：平均最长尺寸为100nm〜50μm的第一种金属粒子。

公开(公告)号：WO2015145651A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2014/058815

申请日：2014-03-27

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 牧野　耕丈

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/17701 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： 　一実施の形態による半導体装置の製造方法では、隣り合うデバイス領域の間で連結された第１リードと第２リードのそれぞれの下面を連通するように溝部が形成されたリードフレームを準備する。次に、第１ブレードを用いて上記第１および第２リードの連結部の一部を切削した後、上記溝部内に形成された金属屑を除去する。次に、上記金属屑を除去した後、上記第１および第２リードの露出面にめっき法により金属膜を形成した後、第２ブレードを用いて第１および第２リードの連結部の残部を切断する。この時、上記第２ブレードが上記溝部に接触しないように切断する。,

摘要翻译： 根据本发明的实施例，在半导体器件制造方法中，制备引线框架，所述引线框架形成有槽部，使得第一引线和第二引线的下表面连接在器件 彼此相邻的区域彼此连通。 在使用第一刀片切割第一和第二引线之间的连接部分的一部分之后，去除在槽部中形成的金属废料。 在去除金属废料之后，通过电镀方法在第一和第二引线的暴露表面上形成金属膜，然后使用第二刀片切割第一和第二引线的连接部分的剩余部分。 此时，进行切割，使得第二刀片不与槽部接触。