반도체 발광소자
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2018074866A3

    公开(公告)日:2018-04-26

    申请号:PCT/KR2017/011607

    申请日:2017-10-19

    Abstract: 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 위치하며 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 홀이 형성된 몸체; 홀에 의해 노출된 기판 위에 배치되며 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 몸체의 내측면의 적어도 일부분에 형성된 반사층을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

    반도체 발광소자
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2017160081A3

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:PCT/KR2017/002803

    申请日:2017-03-15

    Abstract: 본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 위치하여 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 기판 위에 위치하여, 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 내측면과 제1 내측면과 이어진 제2 내측면을 포함하는 벽; 그리고, 반사층;으로서, 제1 내측면에는 형성되지 않고 제2 내측면에만 형성된 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

    반도체 발광소자
    4.
    发明申请
    반도체 발광소자 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号:WO2017160081A2

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:PCT/KR2017/002803

    申请日:2017-03-15

    CPC classification number: H01L33/36 H01L33/46 H01L33/48 H01L33/52 H01L33/60

    Abstract: 본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 위치하여 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 기판 위에 위치하여, 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 내측면과 제1 내측면과 이어진 제2 내측면을 포함하는 벽; 그리고, 반사층;으로서, 제1 내측면에는 형성되지 않고 제2 내측면에만 형성된 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件,包括:衬底,包括第一导电部分,第二导电部分以及位于第一导电部分和第二导电部分之间的绝缘部分; 半导体发光器件芯片,设置在所述衬底上并电连接到所述衬底; 围绕所述半导体发光器件芯片的壁,所述壁包围所述半导体发光器件芯片,所述壁包括连接到所述壁的下表面的第一内侧和连接到所述第一内侧的第二内侧; 以及反射层,形成在第二内侧表面上而不形成在第一内侧表面上。本发明还涉及一种半导体发光器件,

    반도체 발광소자 및 이의 제조방법
    5.
    发明申请
    반도체 발광소자 및 이의 제조방법 审中-公开
    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2018008901A1

    公开(公告)日:2018-01-11

    申请号:PCT/KR2017/006951

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩의 상면 및 측면을 덮는 투광성의 제1 봉지재;로서 제1 봉지재의 하면이 위로 볼록하여 제1 봉지재에 의해 둘러싸인 캐비티(cavity)를 포함하는 제1 봉지재; 그리고 제1 봉지재의 캐비티 내에 형성되는 빛을 반사하는 제2 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

    Abstract translation:

    本发明中,半导体发光器件芯片的半导体发光元件;一个,多个半导体层和多个半导体层包括用于通过电子 - 空穴复合而发光的有源层 一种具有电连接到其上的电极的半导体发光器件芯片; 透光覆盖所述芯片,所述第一密封材料的上表面和侧面的半导体发光元件;包含该材料当所述第一袋的凸通过将材料在第一密封腔(空腔)材料向上包围的第一袋; 和反射光在空腔中的材料袋上形成的第二密封材料;涉及一种半导体发光器件和一种方法,包括在

    반도체 발광소자
    6.
    发明申请
    반도체 발광소자 审中-公开
    半导体发光器件

    公开(公告)号:WO2017061844A1

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:PCT/KR2016/011326

    申请日:2016-10-10

    Abstract: 본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부와 측벽을 구비하며, 바닥부와 측벽에 의해 형성된 캐비티를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 적어도 캐비티에 구비되어 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

    Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件,包括:主体,其具有底部和侧壁,并且包括由所述底部和所述侧壁形成的空腔,所述底部具有形成在其中的至少一个孔; 位于每个孔处的半导体发光器件芯片,具有用于通过电子 - 空穴复合产生光的多个半导体层,和与多个半导体层电连接的电极; 以及密封剂,其至少设置在所述空腔中以覆盖所述半导体发光器件芯片,其中所述半导体发光器件芯片的电极在朝向所述主体的底部的下表面的方向上暴露。

    반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법

    公开(公告)号:WO2020159270A1

    公开(公告)日:2020-08-06

    申请号:PCT/KR2020/001450

    申请日:2020-01-31

    Abstract: 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 전극을 포함하는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩; 평면상에서 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 일정거리 떨어져 복수의 전극과 각각 대응되는 복수의 패드; 복수의 패드와 동일평면상에 구비되며, 복수의 패드와 복수의 전극 사이를 각각 전기적으로 연결하는 전기적 연결; 그리고, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

    반도체 발광소자의 이송방법
    8.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020149571A1

    公开(公告)日:2020-07-23

    申请号:PCT/KR2020/000358

    申请日:2020-01-09

    Inventor: 김경민 정겨울

    Abstract: 본 개시는 반도체 발광소자의 이송방법에 있어서, 복수의 솔더 범프가 배열되고 복수의 솔더 범프를 덮고 있는 임시 고정층을 포함하는 기판 및 복수의 반도체 발광소자가 배열된 접착 캐리어를 준비하는 단계; 기판의 복수의 솔더 범프 위에 접착 캐리어의 복수의 반도체 발광소자가 대응되도록 정렬하는 단계; 임시 고정층과 복수의 반도체 발광소자가 접촉하도록 기판 및 접착 캐리어 중 하나를 이동하는 단계; 임시 고정층의 온도를 낮추는 단계; 그리고 솔더 범프를 녹여 복수의 반도체 반도체 발광소자를 기판에 본딩(bonding)하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 이송방법에 대한 것이다.

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