DISPOSITIF DE CHARGEMENT ET INSTALLATION POUR LA DENSIFICATION DE PRÉFORMES POREUSES TRONCONIQUES EMPILABLES.
    1.
    发明申请
    DISPOSITIF DE CHARGEMENT ET INSTALLATION POUR LA DENSIFICATION DE PRÉFORMES POREUSES TRONCONIQUES EMPILABLES. 审中-公开
    充电装置和安装用于扩大堆叠式多孔预制件

    公开(公告)号:WO2014006324A1

    公开(公告)日:2014-01-09

    申请号:PCT/FR2013/051562

    申请日:2013-07-03

    Applicant: HERAKLES

    Abstract: Dispositif de chargement (100) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de préformes poreuses (160-163) de forme empilable, le dispositif comprenant : - un plateau support (110), - un premier empilement d'une pluralité de couronnes inférieures (140-144) disposé sur le plateau support (110) et comportant une pluralité d'orifices d'injection s'étendant entre la périphérie externe et la périphérie interne de chaque couronne, - un deuxième empilement d'une pluralité de couronnes supérieures (150-154) comportant une pluralité d'orifices d'évacuation s'étendant entre la périphérie externe et la périphérie interne de chaque couronne, - une première paroi non poreuse (130) de forme et de dimensions identiques à celles des préformes poreuses à densifier (160- 163) disposée sur le plateau support (110) à l'intérieur des couronnes inférieures (140-144) du premier empilement, ladite première paroi non poreuse s'étendant entre le plateau support et la couronne supérieure située à la base du deuxième empilement, - une deuxième paroi non poreuse (170) de forme et de dimensions identiques à celles des préformes poreuses à densifier (160- 163), ladite deuxième paroi non poreuse s'étendant entre la couronne inférieure (143) située au sommet du premier empilement et la couronne supérieure (154) située au sommet du deuxième empilement.

    Abstract translation: 一种用于通过受控流化学气相渗透在渗透炉的反应室中致密化多层预型件(160-163)的充电装置(100),所述装置包括: - 支撑板(110), - 第一堆叠 多个下环(140-144)放置在支撑板(110)上并且包括在每个环的外周和内周之间延伸的多个注入孔, - 多个上环(150- 154),包括在每个环的外周和内周之间延伸的多个排放孔; - 第一无孔壁(130),其形状和尺寸与多孔预型件(160-163)的形状和尺寸相同, 被致密化并布置在第一堆叠的下环(140-144)内的支撑板(110)上,所述第一无孔壁在支撑板和位于第二堆叠的基部的上环之间延伸, - 第二无孔壁(170) 形状和尺寸与要被致密化的多孔预成型件(160-163)的形状和尺寸相同,所述第二无孔壁在位于第一堆叠的顶部的下环(143)和上环之间延伸( 154)位于第二堆叠的顶部。

    PIÈCE EN MATÉRIAU CMC
    2.
    发明申请
    PIÈCE EN MATÉRIAU CMC 审中-公开
    CMC部分

    公开(公告)号:WO2013088015A1

    公开(公告)日:2013-06-20

    申请号:PCT/FR2012/052702

    申请日:2012-11-22

    Abstract: Pièce en matériau composite à matrice céramique comprenant un renfort fibreux en fibres de carbone ou de céramique, et une matrice séquencée majoritairement en céramique comportant des premières couches de matrice en matériau déviateur de fissure alternant avec des deuxièmes couches de matrice en matériau céramique. Un revêtement d'interphase est interposé entre les fibres et la matrice, le revêtement d'interphase adhérant aux fibres et à la matrice et étant formé d'au moins une séquence constituée d'une première couche élémentaire en carbone éventuellement dopé au bore surmontée d'une deuxième couche élémentaire en céramique, la couche élémentaire externe du revêtement d'interphase étant une couche en céramique dont la surface externe est formée par des grains de céramique dont la taille est comprise essentiellement entre 20 nanomètres et 200 nanomètres, avec présence de grains de taille supérieure à 50 nanomètres conférant à la surface externe une rugosité assurant un accrochage mécanique avec la phase de matrice adjacente.

    Abstract translation: 本发明涉及由包含由碳或陶瓷纤维制成的纤维增强材料的陶瓷基复合材料制成的部件,以及主要是陶瓷排序的基体,其包括由与由陶瓷制成的第二基质层交替的裂纹偏转器制成的第一基体层。 在纤维和基体之间插入相间涂层,界面涂层粘附到纤维和基体上,并且由至少一个由至少一个由碳构成的第一元素组成的序列形成,该第一元素层任选地掺杂有硼,其上覆盖有 由陶瓷制成的第二基本层,所述相间涂层的外部元素层是其外表面由其大小基本上在20纳米和200纳米之间的陶瓷晶粒形成的陶瓷层,其中晶粒的存在较大 尺寸超过50纳米,为外表面提供粗糙度,确保与相邻基体相的机械粘合。

    INSTALLATION INDUSTRIELLE POUR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE DE SUBSTRATS POREUX AVEC CIRCUIT DE REFROIDISSEMENT ACCELERE
    3.
    发明申请
    INSTALLATION INDUSTRIELLE POUR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE DE SUBSTRATS POREUX AVEC CIRCUIT DE REFROIDISSEMENT ACCELERE 审中-公开
    具有加速冷却电路的多孔基材的化学气相渗透工业设备

    公开(公告)号:WO2015044562A1

    公开(公告)日:2015-04-02

    申请号:PCT/FR2014/052317

    申请日:2014-09-17

    Applicant: HERAKLES

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/4412 C23C16/45593 C23C16/463

    Abstract: Une installation industrielle (500) pour l'infiltration chimique en phase gazeuse de substrats poreux comprenant une chambre de réaction étanche (110), un circuit d'alimentation (400), un circuit d'évacuation (200) reliés à la chambre de réaction (110) et un échangeur thermique (210). L'installation comprend en outre : - un circuit de refroidissement accéléré (300) comprenant au moins une entrée (301a) en communication sélective avec la sortie de l'échangeur thermique (210), et une sortie (301b) en communication sélective avec le circuit d'alimentation (400), - des premiers moyens de connexion (2110; 2030) pour relier le circuit d'évacuation (200) à l'entrée de l'échangeur thermique (210), - des deuxièmes moyens de connexion (3010) pour relier directement ou indirectement l'entrée (301a) du circuit de refroidissement accéléré (300) à la sortie de l'échangeur thermique (210) lorsque la chambre de réaction (110) est alimentée avec ledit au moins un gaz de refroidissement.

    Abstract translation: 一种用于多孔基材的化学气相渗透的工业设备(500),包括密封反应室(110),供应回路(400),连接到反应室(110)的排放回路(200)和热交换器(210) 。 该设备还包括: - 加速冷却回路(300),包括与热交换器(210)的出口选择性连通的至少一个入口(301a)和与供应回路(400)选择性连通的出口(301b) ), - 用于将放电电路(200)连接到热交换器(210)的入口的第一连接装置(2110; 2030), - 第二连接装置(3010),用于直接或间接地连接加速 当反应室(110)被供应有所述至少一个冷却气体时,冷却回路(300)到热交换器(210)的出口。

    INSTALLATION D'INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À HAUTE CAPACITÉ DE CHARGEMENT
    4.
    发明申请
    INSTALLATION D'INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À HAUTE CAPACITÉ DE CHARGEMENT 审中-公开
    具有高负载能力的化学气相沉积装置

    公开(公告)号:WO2014013168A1

    公开(公告)日:2014-01-23

    申请号:PCT/FR2013/051674

    申请日:2013-07-12

    Applicant: HERAKLES

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/26 C23C16/458 C23C16/46

    Abstract: Installation d'infiltration chimique en phase vapeur (600) de préformes poreuses (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, l'installation comprenant : - une chambre de réaction (610) de forme parallélépipédique, les parois latérales (612, 613) de la chambre de réaction comprenant des moyens de chauffage (615), - une pluralité de piles (50) de dispositifs de chargement (10) disposées dans la chambre de réaction (610), chaque dispositif de chargement (10) étant formé d'une enceinte parallélépipédique munie d'éléments de support destinés à recevoir des préformes poreuses (20) à infiltrer.

    Abstract translation: 用于渗透主要沿纵向方向延伸的三维多孔预型件(20)的化学气相渗透装置(600),该装置包括:平行六面体反应室(610),反应室的侧壁(612,613)包括加热 (615); 以及放置在反应室(610)中的多个装载装置(10)的堆叠(50),每个装载装置(10)由平行六面体接收器形成,该平行六面体容器装备有用于容纳多孔预型件(20)的支撑元件 渗透。

    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE
    5.
    发明申请
    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE 审中-公开
    通过三维多孔基板的方向流中的蒸汽相中的化学浸渗进行浓缩的装载装置

    公开(公告)号:WO2013045788A1

    公开(公告)日:2013-04-04

    申请号:PCT/FR2012/052066

    申请日:2012-09-14

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/455

    Abstract: Dispositif de chargement (10) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de substrats poreux (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, le dispositif comprenant un étage de chargement annulaire (11) formé par des première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) disposées concentriquement l'une par rapport à l'autre et délimitant entre elles un espace de chargement annulaire (13) pour les substrats poreux à densifier. Des premier et deuxième plateaux (112, 113) couvrent respectivement la partie inférieure et la partie supérieure de l'espace de chargement annulaire (13). Les première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) comprennent chacune des éléments de support (1100, 1110) répartis dans l'espace de chargement annulaire (13) de manière à définir entre eux des cellules de chargement unitaire (14) destinées à recevoir chacune un substrat à densifier. Le dispositif comprend en outre des orifices d'alimentation en gaz (1102) et des orifices d'évacuation de gaz (1112) au voisinage de chaque cellule de chargement unitaire (14).

    Abstract translation: 装载装置(10)用于通过在蒸汽相中的化学渗透通过化学渗透在主要在纵向方向上延伸的三维多孔基材(20)的入渗炉的反应室中进行致密化,所述装置包括环状载荷水平 由第一和第二环形垂直单元(110,111)形成,第一和第二环形垂直单元(110,111)相对于彼此同心地分布并且在彼此之间限定用于多孔基底的致密化的环形加载区域(13)。 第一和第二板(112,113)分别覆盖下部元件和环形装载区域(13)的上部元件。 第一和第二环形垂直单元(110,111)各自包括分布在环形加载区域(13)中的支撑构件(1100,1110),以便在它们之间限定单元加载单元(14),每个单元加载单元 旨在用于接收待致密化的基底。 该装置还包括在每个单元装载单元(14)附近的气体供应孔(1102)和排气孔(1112)。

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PIECE EN CMC
    6.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PIECE EN CMC 审中-公开
    制造CMC部件的方法

    公开(公告)号:WO2014049221A1

    公开(公告)日:2014-04-03

    申请号:PCT/FR2013/052110

    申请日:2013-09-13

    Applicant: HERAKLES

    Abstract: Une pièce en matériau composite à matrice au moins majoritairement en céramique est fabriquée par un procédé comprenant : la réalisation d'une préforme fibreuse à partir de fibres de carbure de silicium contenant moins de l%at d'oxygène; le dépôt sur les fibres de la préforme d'une interphase en nitrure de bore, le dépôt étant effectué par infiltration chimique en phase gazeuse avec une cinétique de dépôt inférieure à 0,3um/h; la réalisation d'un traitement thermique de stabilisation du nitrure de bore de l'interphase, après dépôt de l'interphase, sans exposition préalable de celle-ci à une atmosphère oxydante et avant dépôt de couche de matrice sur l'interphase, le traitement thermique étant réalisé à une température supérieure à 1300°C et au moins égale à la température maximale rencontrée ensuite jusqu'à achèvement de la densification de la préforme par la matrice; et ensuite, la densification de la préforme par une matrice au moins majoritairement en céramique.

    Abstract translation: 由至少主要由陶瓷制成的基质复合材料制成的部分通过以下方法制造:包括:由含有小于1at%的氧的碳化硅纤维制备纤维预制品; 在预型体的纤维上沉积氮化硼相间,沉积物通过气相化学浸渗以沉积速率低于0.3um / h进行; 进行热处理以使相间的氮化硼稳定,在相间沉积之后,在相之间淀积基质层之前,不先将其暴露于氧化气氛,在1300℃以上的温度下进行热处理 并且至少等于随后遇到的最大温度,直到通过基质致密化预成型体为止; 接下来,通过至少主要由陶瓷制成的基体致密化预成型体。

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