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    感放射線性樹脂組成物
    2.
    发明申请
    感放射線性樹脂組成物 审中-公开
    辐射敏感性树脂组合物

    公开(公告)号：WO2008056796A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：PCT/JP2007/071850

    申请日：2007-11-09

    Applicant: JSR株式会社 ,  永井 智樹 ,  江畑 琢磨 ,  志水 誠

    Inventor： 永井 智樹 ,  江畑 琢磨 ,  志水 誠

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

    Abstract: 　感放射線性酸発生剤として優れた機能を有し、環境や人体に対する悪影響が低い樹脂を含有し、かつ、高い解像性能及び良好なレジストパターンを得ることができるレジスト被膜を形成可能であり、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂及び溶剤を含有する感放射線性樹脂組成物。 （前記一般式（１）中、Ｒ １ は水素原子等を表し、Ｍ ＋ は所定のカチオンを表し、ｎは１～５の整数を表す）

    Abstract translation: 本发明提供了作为辐射敏感性酸发生剂具有优异功能的辐射敏感性树脂组合物，其含有对环境和人体没有显着不利影响的树脂，并且可以形成能够实现高水平的抗蚀剂膜 分辨率性能和良好的抗蚀剂图案。 辐射敏感性树脂组合物包含含有由通式（1）表示的重复单元和溶剂：（1）的树脂，其中R 1表示氢原子等; M + +表示预定的阳离子; n为1〜5的整数。

    新規化合物および重合体、ならびに樹脂組成物
    3.
    发明申请
    新規化合物および重合体、ならびに樹脂組成物 审中-公开
    新型化合物，聚合物和树脂组合物

    公开(公告)号：WO2007069640A1

    公开(公告)日：2007-06-21

    申请号：PCT/JP2006/324836

    申请日：2006-12-13

    Applicant: JSR株式会社 ,  永井 智樹 ,  江畑 琢磨 ,  松村 信司

    Inventor： 永井 智樹 ,  江畑 琢磨 ,  松村 信司

    IPC: C07C381/12 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/06 ,  C07C309/19 ,  C07C381/12 ,  C07C2602/42 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0397

    Abstract: 　放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に解像性能に優れ、ＤＯＦ、ＬＥＲに優れ、さらに液浸耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、その組成物に利用できる重合体およびこの重合体合成に用いられる新規化合物、ならびにその製造方法を提供する。新規化合物は下記式（１）で表され、液浸耐性に優れる感放射線性樹脂組成物がえられる。 　式（１）において、Ｒ 1 はメチル基または水素原子を表し、Ｒ 2 、Ｒ 3 、またはＲ 4 はそれぞれ独立に置換基を有してもよい炭素数１～１０の１価の有機基を表し、ｎは０～３の整数を表し、Ａはメチレン基、直鎖状もしくは分岐状の炭素数２～１０アルキレン基またはアリーレン基を表し、Ｘ － はＳ ＋ の対イオンを表す。

    Abstract translation: 对辐射具有高透明度的辐射敏感性树脂组合物，抗敏剂所需的基本性能如灵敏度，分辨率和图案轮廓，特别是分辨率性能优异，DOF，LER和耐浸渍性更优异 曝光; 可用于组合物中的聚合物; 用于合成聚合物的新型化合物; 和该化合物的制造方法。 该新化合物由下式（1）表示，得到耐浸浸性优异的辐射敏感性树脂组合物。 （1）式（1）中，R 1表示甲基或氢; R 2，R 3和R 4各自独立地表示任选取代的一价C 1-10 - 有机基团 组; n为0-3的整数; A表示亚甲基，直链或支链C 2-10亚烷基或亚芳基; 而X - > - 表示S + +的反离子。

    微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法
    7.
    发明申请
    微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法 审中-公开
    用于形成精细图案的树脂组合物和形成细小图案的方法

    公开(公告)号：WO2009041407A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/JP2008/067143

    申请日：2008-09-24

    Applicant: JSR株式会社 ,  安陪 毅由 ,  杉浦 誠 ,  永井 智樹 ,  中村 敦 ,  若松 剛史 ,  庵野 祐亮

    Inventor： 安陪 毅由 ,  杉浦 誠 ,  永井 智樹 ,  中村 敦 ,  若松 剛史 ,  庵野 祐亮

    IPC: G03F7/40 ,  C08L101/04 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/40 ,  C08F214/18 ,  C08F220/58 ,  C08F212/14 ,  C08F2220/387 ,  C08F220/22

    Abstract: 熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る。樹脂と、架橋成分と、アルコール溶媒とを含み、レジストパターンを微細化するための微細パターン形成用樹脂組成物であって、上記樹脂が下記式（２）で表される側鎖を有する繰り返し単位（Ｉ）と、水酸基を側鎖に有する繰り返し単位（ＩＩ）と、スチレン誘導体である繰り返し単位（ＩＩＩ）とを含有する。 Ｒ、Ｒ'、またはＲ''は、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、またはフェニル基を表し、Ａは、単結合、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、またはオキシカルボニル基を表し、Ｂは、単結合、または炭素数１～２０の２価の有機基を表し、Ｒfは少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１～８の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す。

    Abstract translation: 公开了通过热处理能够使抗蚀剂图案平滑收缩的树脂组合物，并且可以通过用碱水溶液处理容易地除去。 具体公开了用于形成精细图案的树脂组合物，其旨在用于制造精细抗蚀剂图案并且包括树脂，交联组分和醇溶剂，其中树脂具有侧面的重复单元（I） 由式（1）表示的链，具有羟基作为侧链的重复单元（II）和作为苯乙烯衍生物的重复单元（III）。 （1）其中R，R'和R“独立地表示氢原子，具有1-10个碳原子的烷基，羟甲基，三氟甲基或苯基; A表示单键，氧原子，羰基，羰氧基或氧羰基; B表示单键或碳原子数1〜20的2价有机基团。 Rf表示碳原子数1〜8的直链状或支链状的烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代。

    レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
    8.
    发明申请
    レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物 审中-公开
    耐蚀图案形成方法和可剥离抗蚀剂图案的树脂组合物

    公开(公告)号：WO2008114644A1

    公开(公告)日：2008-09-25

    申请号：PCT/JP2008/054343

    申请日：2008-03-11

    Applicant: JSR株式会社 ,  中村 敦 ,  永井 智樹 ,  安陪 毅由 ,  柿澤 友洋

    Inventor： 中村 敦 ,  永井 智樹 ,  安陪 毅由 ,  柿澤 友洋

    IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

    Abstract: 　（１）第一のレジスト層にマスクを介して選択的に露光した後、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、（２）第一のレジストパターン上に、第一のレジストパターンを不要化することが可能なレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はＵＶキュア後、現像して、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、（３）不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層にマスクを介して選択的に露光する工程と、（４）現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法である。

    Abstract translation: 公开了形成抗蚀剂图案的方法，其包括以下步骤：（1）通过掩模选择性地将第一抗蚀剂层暴露于光并显影抗蚀剂层以形成第一抗蚀剂图案; （2）将能够使抗蚀剂图案（树脂组合物可以使第一抗蚀剂图案不溶解）的树脂组合物施加到第一抗蚀剂图案上，烘烤或UV固化组合物，并显影组合物，从而将第一抗蚀剂图案 到不溶性抗蚀剂图案; （3）在不溶化抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂层，并通过掩模选择性地将第二抗蚀剂层曝光; 和（4）显影第二抗蚀剂层，从而形成第二抗蚀剂图案。

    感放射線性樹脂組成物
    9.
    发明申请
    感放射線性樹脂組成物 审中-公开
    辐射敏感性树脂组合物

    公开(公告)号：WO2008149701A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：PCT/JP2008/059625

    申请日：2008-05-26

    Applicant: JSR株式会社 ,  榊原 宏和 ,  志水 誠 ,  成岡 岳彦 ,  永井 智樹 ,  大泉 芳史

    Inventor： 榊原 宏和 ,  志水 誠 ,  成岡 岳彦 ,  永井 智樹 ,  大泉 芳史

    IPC: G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F2220/1808 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392

    Abstract: 感度に優れると共に、ＭＥＥＦを良好に維持することができる。下記式（１－１）で示される繰り返し単位および下記式（１－２）で示される繰り返し単位からなる樹脂（Ａ１）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有するマスクエラーファクターを小さくできる感放射線性樹脂組成物。 　Ｒ 1 、Ｒ 2 、Ｒ 3 はそれぞれ炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ 4 は、水素原子、炭素数２～４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、または、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、ｑは０～３の整数を表す。

    Abstract translation: 公开了具有优异的灵敏度并且可以使MEEF值保持在令人满意的水平的辐射敏感性树脂组合物。 具体公开的是一种辐射敏感性树脂组合物，其包含：具有由式（1-1）表示的重复单元的树脂（A1）和由式（1-2）表示的重复单元; 和辐射敏感的酸发生剂（B），并且能够减少掩模误差因子。 （1-1）（1-2）其中R1，R2和R3独立地表示具有1至4个碳原子的直链或支链烷基; R4表示氢原子，碳原子数2〜4的直链或支链烷基，碳原子数1〜4的直链或支链氟代烷基，碳原子数1〜4的直链或支链烷氧基。 q表示0〜3的整数。

    レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
    10.
    发明申请
    レジスト下層膜用組成物およびその製造方法 审中-公开
    用于制造它们的电阻膜及其制备方法的组合物

    公开(公告)号：WO2006093057A1

    公开(公告)日：2006-09-08

    申请号：PCT/JP2006/303492

    申请日：2006-02-24

    Applicant: JSR株式会社 ,  今野 圭二 ,  田中 正人 ,  石井 桃子 ,  高橋 純一 ,  永井 智樹

    Inventor： 今野 圭二 ,  田中 正人 ,  石井 桃子 ,  高橋 純一 ,  永井 智樹

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

    Abstract: 　本発明の課題は、レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液およびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、かつ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することにある。 　本発明に係るレジスト下層膜用組成物は、下記式（Ａ）で表されるシラン化合物の加水分解物および／またはその縮合物を含有することを特徴とする。 　Ｒ 1 b Ｒ 2 c Ｓｉ（ＯＲ 3 ） 4-a 　・・・（Ａ） ［式中、Ｒ 1 は少なくとも一つの不飽和結合を有する１価の有機基を示し、Ｒ 2 は独立に水素原子、ハロゲン原子または１価の有機基を示し、Ｒ 3 は独立に１価の有機基を示し、Ｒ 1 はＯＲ 3 基以外の基であり、ａは１～３の整数を示し、ｂは１～３の整数を示し、ｃは０～２の整数を示し、かつ、ａ＝ｂ＋ｃである。］                                                                                       

    Abstract translation: 本发明提供了一种能够形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜的组合物，其对抗蚀剂膜具有优异的粘附性，可提高抗蚀剂图案的再现性，并且耐受用于显影等中的碱性液体 ，以及除去抗蚀剂中的氧灰化，同时具有优异的储存稳定性。 抗蚀剂下层膜的组合物的特征在于含有下式（A）表示的硅烷化合物和/或其缩合物的水解物。 R＆lt; 1＆gt; b＆lt; b＆gt;

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