高純度Ru合金ターゲット及びその製造方法並びにスパッタ膜
    2.
    发明申请
    高純度Ru合金ターゲット及びその製造方法並びにスパッタ膜 审中-公开
    高纯度钌合金靶,其生产方法和溅射薄膜

    公开(公告)号:WO2007043215A1

    公开(公告)日:2007-04-19

    申请号:PCT/JP2006/312216

    申请日:2006-06-19

    CPC classification number: C23C14/3414 C22C5/04 H01L28/65

    Abstract: 【課題】 有害物質を極力低減させるとともに、極力結晶粒を微細化して成膜時の膜厚分布を均一にし、さらにSi基板との密着性を劣化させない、半導体メモリーのキャパシタ用電極材形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該Ru合金ターゲットをスパッタリングして得られた高純度Ru合金スパッタ膜を提供する。 【解決手段】 Ru以外の白金族元素の含有量が15~200wtppmであり、残部Ru及び不可避的不純物からなることを特徴とする高純度Ru合金ターゲット。純度99.9%以上のRu粉とRu以外の白金族元素の粉を混合した後にプレス成型して成形体を得、これを電子ビーム溶解してインゴットとし、このインゴットを鍛造加工してターゲットとすることを特徴とするRu以外の白金族元素の含有量が15~200wtppmであり、残部Ru及び不可避的不純物からなる高純度Ru合金ターゲットの製造方法。

    Abstract translation: [问题]为了提供不仅最小化有害物质而且最小化晶粒的溅射靶,从而使成膜时的膜厚​​分布均匀化,并且不会劣化对Si基板的粘附性,适用于 形成半导体存储器的电容器电极材料。 此外,提供通过溅射Ru合金靶而获得的制造方法和高纯度Ru合金溅射膜。 [解决问题的手段]提供了一种高纯度Ru合金靶,其特征在于由15〜200重量ppm的非Ru铂族元素,余量为Ru和不可避免的杂质构成。 另外,提供了由15〜200重量ppm的非Ru铂族元素和余量为Ru以及不可避免的杂质构成的高纯度Ru合金靶的制造方法,其特征在于,首先将99.9%以上的纯度的Ru粉末和非 - 将铂族元素粉末在一起,将混合物压制成模制品,通过电子束将模制品熔化成锭,并将锭锻造成靶。

    製剤における滑沢剤成分の混合状態をモニターする方法
    3.
    发明申请
    製剤における滑沢剤成分の混合状態をモニターする方法 审中-公开
    监测药物制剂中润滑剂成分混合状态的方法

    公开(公告)号:WO2009144974A1

    公开(公告)日:2009-12-03

    申请号:PCT/JP2009/052578

    申请日:2009-02-16

    CPC classification number: A61K9/0019 A61K9/145 A61K9/2013 G01N21/359

    Abstract:  医薬品の製剤化プロセスのうち、滑沢剤混合工程における最適混合終点を検出する方法を提供する。  製剤における滑沢剤成分の混合量、混合均一性及び展延状態をリアルタイムもしくはオフラインでモニターする方法であって、前記滑沢剤成分に特徴的な吸収波長を含む波長領域における吸光度の合計値を測定し、その値を指標として製剤における滑沢剤成分の混合量、混合均一性及び展延状態を評価することを含む前記方法。

    Abstract translation: 提供了在制备药物产品的方法中在润滑剂混合步骤中检测最佳混合终点的方法。 该方法用于相对于混合的成分的量和制剂中成分的混合均匀度和扩散状态实时或离线地监测药物制剂中的润滑剂成分。 该方法包括测定包括润滑剂成分的吸收波长特性的波长范围内的吸光度的总值,并使用该值作为指标,以评价混合成分的量和混合均匀度以及成分在 药用制剂。

    高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
    4.
    发明申请
    高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 审中-公开
    高纯度的LANTHANUM,包含高纯度兰花的溅射目标和主要由高纯度LANTHANUM组成的金属盖膜

    公开(公告)号:WO2009084318A1

    公开(公告)日:2009-07-09

    申请号:PCT/JP2008/069854

    申请日:2008-10-31

    Abstract:  希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、ランタン中のアルミニウム、鉄及び銅が、それぞれ100wtppm以下であることを特徴とする高純度ランタン、並びに希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、ランタン中のアルミニウム、鉄及び銅がそれぞれ100wtppm以下、かつ酸素含有量が1500wtppm以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の各元素がそれぞれ1wtppm以下、上記以外の遷移金属及び高融点金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下であることを特徴とする高純度ランタン。高純度ランタン、高純度材料ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料ランタンを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。 

    Abstract translation: 公开了高纯度的镧,其纯度为4N以上,通过排除任何稀土元素或其任何气体组分,并且其含有量为100重量ppm以下的铝,铁和铜来测定。 还公开了高纯度的镧,其纯度为4N或更高,通过排除任何含有铝,铁和铜的稀土元素或其任何气体组分,其含量为100重量ppm以下,含有氧 其含量为1重量ppm以下的碱金属元素和碱土金属元素的含量为1500重量ppm以下,其含有除所述之外的过渡金属元素和高熔点金属元素 高于10重量ppm以下,含有10重量ppm以下的放射性元素。 进一步公开了一种高效稳定地提供高纯度镧的溅射靶,包括高纯镧材料的溅射靶和主要由高纯镧材料构成的金属栅极薄膜。

    変数決定方法、変数決定装置、プログラム及び記録媒体
    5.
    发明申请
    変数決定方法、変数決定装置、プログラム及び記録媒体 审中-公开
    变量决定方法,变量决定设备,程序和记录介质

    公开(公告)号:WO2007139088A1

    公开(公告)日:2007-12-06

    申请号:PCT/JP2007/060862

    申请日:2007-05-29

    CPC classification number: G05B13/048 G05B13/042 G05B17/02

    Abstract:  時間情報を適切に用いたモデル構築を行うことができ、また予測性能を改善することが可能な変数決定方法、変数決定装置、プログラム及び記録媒体を提供する。変数決定装置は、バッチプロセス運転後の操作変数u i  を受け付ける(ステップS21)。そして、この読み出した操作変数u i に対するウェーブレット係数を算出する(ステップS24)。選択手段は、算出したウェーブレット係数の中から、所定の条件を満たすウェーブレット係数を選択する(ステップS25)。そして、このようにして選択したウェーブレット係数を入力すべき操作変数に関する値として出力手段により出力する。

    Abstract translation: 可以提供一种可变决定方法,可变判定装置,程序和记录介质,其可以使用时间信息适当地构建模型并提高预测性能。 变量判定装置在批量处理操作之后接收操作变量u(i)(步骤S21),并且计算已被读出的操作变量u i i i的小波系数( 步骤S24)。 选择装置从所计算的小波系数中选择满足预定条件的小波系数(步骤S25)。 这样选择的小波系数由输出装置输出作为要输入的操作系数的值。

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