公开(公告)号：WO2012038483A3

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/EP2011/066458

申请日：2011-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHNEIDER, Markus ,  RAMCHEN, Johann ,  WITTMANN, Michael

Inventor： SCHNEIDER, Markus ,  RAMCHEN, Johann ,  WITTMANN, Michael

IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist; - zumindest ein an der Oberseite (11) angeordnetes strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterbauteils (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung das Halbleiterbauteil (2) verlässt, und - eine strahlungsabsorbierende Schicht (3), die dazu eingerichtet ist, auf das Bauelement (100) auftreffendes Umgebungslicht derart zu absorbieren, dass eine dem Träger (1) abgewandte Außenfläche (101) des Bauelements (100) zumindest stellenweise schwarz erscheint, wobei - die strahlungsabsorbierende Schicht (3) das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (2) in lateraler Richtung (L) vollständig umrandet und mit Seitenflächen (23) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (2) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, und - die Strahlungsaustrittsfläche (6) frei von der strahlungsabsorbierenden Schicht (3) ist.

公开(公告)号：WO2011107343A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/EP2011/052225

申请日：2011-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHNEIDER, Markus

Inventor： SCHNEIDER, Markus

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/44 ,  B60Q11/00 ,  H05B33/08

CPC classification number: G01R31/2635 ,  G01R31/44 ,  H05B33/0842

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Gruppierung oder Kennzeichnung von Lumineszenzdiodenbauelementen (6) angegeben, bei dem eine Vielzahl von Lumineszenzdiodenbauelementen (6) bereitgestellt wird, die zur Erzielung einer vorgegebenen Zielhelligkeit Φ o erforderliche Sollstromstärke I o für jedes der Lumineszenzdiodenbauelemente (6) gemessen wird, und nachfolgend eine Gruppierung oder Kennzeichnung der Lumineszenzdiodenbauelemente (6) anhand der gemessenen Sollstromstärke I o erfolgt. Ferner wird ein Lumineszenzdiodenbauelement (6) angegeben, das mindestens eine Lumineszenzdiode (3) und einen Speicherbaustein (4) aufweist, wobei in dem Speicherbaustein (4) die zur Erzielung einer vorgegebenen Zielhelligkeit Φ o erforderliche Sollstromstärke I o gespeichert ist.

Abstract translation: 其中，（6）设有多个Lumineszenzdiodenbauelementen的所需（6）提供了一种用于分组或Lumineszenzdiodenbauelementen的标识的方法，以实现预定的目标亮度佛目标电流Io为每个Lumineszenzdiodenbauelemente（6）测得的，并且随后 分组所测量的目标电流Io进行或（6）基于Lumineszenzdiodenbauelemente的识别。 此外，Lumineszenzdiodenbauelement（6）被提供，其具有至少一个发光二极管（3）和存储器装置（4），其中，在所述存储芯片（4）需要以达到预定的目标亮度佛目标电流Io被存储。

公开(公告)号：WO2012007245A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/EP2011/060043

申请日：2011-06-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHNEIDER, Markus ,  RACZ, David ,  RAMCHEN, Johann

Inventor： SCHNEIDER, Markus ,  RACZ, David ,  RAMCHEN, Johann

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20). An der Trägeroberseite (20) ist zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Der Halbleiterchip (3) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (32) mit mindestens einer aktiven Schicht zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie ein strahlungsdurchlässiges Substrat (34). Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein reflektierendes Vergussmaterial (4), das, von der Trägeroberseite (20) ausgehend, den Halbleiterchip (3) in einer lateralen Richtung mindestens bis zu einer halben Höhe des Substrats (34) ringsum umgibt.

Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述与载体顶部（20）一种载体（2）。 在载体顶部（20）至少一个光电子半导体芯片（3）安装。 半导体芯片（3）包括至少具有用于产生电磁辐射和辐射透明基板（34）的有源层的半导体层序列（32）。 此外，半导体器件（1）包括从在横向方向上的半导体芯片（3）载体上侧（20）至少到所述衬底（34）周围包围的一半的高度的反射性封装材料（4）。

公开(公告)号：WO2016034480A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/069605

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  RACZ, David ,  SCHNEIDER, Markus

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H04M1/21 ,  H05B33/0872 ,  H05B37/0218 ,  H01L2924/00

Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens vier verschiedene Lichtquellen (11, 12, 13, 14) mit je einem optoelektronischen Halbleiterchip (10). Im Betrieb emittieren die Lichtquellen (11, 12, 13, 14) eine Strahlung mit voneinander verschiedenen Farborten (A, B, C, D) in der CIE-Normfarbtafel. Zumindest zwei der Farborte (A, B, C, D) liegen in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt auf einer gemeinsamen Isothermen (I) oder auf einer gemeinsamen Verlängerungsgeraden (E), die eine Isotherme (I) verlängert. Die Farborte (A, B, C, D) liegen dann mit einer Toleranz von höchstens einer Drei-Schritte-MacAdam-Ellipse auf der Isothermen (I) oder der Verlängerungsgeraden (E). Das Halbleiterbauteil (10) ist außerdem dazu eingerichtet, im Betrieb weißes Licht zu emittieren, wobei eine Farbtemperatur des weißen Lichts veränderbar und durchstimmbar ist.

Abstract translation: 光电子半导体器件（1），其包括至少四个不同的光源（11，12，13，14），每一个具有的光电子半导体芯片（10）。 在操作中，光源（11，12，13，14）发射的辐射具有相互不同的色度坐标（A，B，C，D）的CIE标准比色图表英寸 中的至少两个颜色的位点（A，B，C，D）是在共同的等温线（I）或CIE标准色度优选图上延伸的等温线（I）的公共延长线（E）。 色的位置（A，B，C，D）然后，用不超过上的等温线（I）或延伸线（E）的三阶Macadam椭圆更多的公差反应。 的半导体器件（10）还适于操作期间以发射白光，其中，所述白色光的色温可以变化和可调。

公开(公告)号：WO2013060570A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：PCT/EP2012/069951

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH, Reiner ,  CUI, Hailing ,  KRÄUTER, Gertrud ,  SCHNEIDER, Markus

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/025 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2). Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ein Konversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom Halbleiterchip (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Konversionselement (3) weist mindestens einen Leuchtstoff und Streupartikel auf sowie zumindest ein Matrixmaterial. Die Streupartikel sind in das Matrixmaterial eingebettet. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und einem Material der Streupartikel beträgt bei einer Temperatur von 300 K höchstens 0,15. Der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Material der Streupartikel ist bei einer Temperatur von 380 K größer als bei einer Temperatur von 300 K.

Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述一个光电子半导体芯片（2）。 的半导体器件（1）包括适合于在半导体芯片（2）辐射的发射的至少一部分转换成不同波长的辐射的转换元件（3）。 转换元件（3）具有至少一种磷光体和散射颗粒和至少一种基质材料。 散射颗粒嵌入基质材料中。 的基质材料和散射粒子的材料之间的折射率差是在300°K至多0.15的温度。 基质材料和散射粒子的材料之间的折射率差是在380ķ大于一个温度在300K的温度下

公开(公告)号：WO2006034664A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001402

申请日：2005-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ARNDT, Karlheinz ,  LIM, Huey Ling Rena ,  BOGNER, Georg ,  GRUBER, Stefan ,  SCHNEIDER, Markus

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  LIM, Huey Ling Rena ,  BOGNER, Georg ,  GRUBER, Stefan ,  SCHNEIDER, Markus

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49562 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49174 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Leiterrahmen (1) für mindestens ein elektronisches Bauelement mit mindestens zwei elektrischen Anschlussteilen (2) mit jeweils mindestens einem elektrischen Anschlussstreifen (3) und mindestens einem Haltestreifen (4). Der Leiterrahmen (1) zeichnet sich dadurch aus, dass zwischen dem mindestens einen Haltestreifen (4) und dem Anschlussteils (2) ein Einschnitt (8) vorgesehen ist durch den zwischen dem Haltestreifen (4) und dem benachbarten Bereich des Anschlussteils (2) ein Parallelversatz ausgebildet ist und dass zwischen dem Anschlussteils (2) und dem elektrischen Anschlussstreifen (3) ein weiterer Parallelversatz vorgesehen ist, derart, dass sich der Haltestreifen (4) und der elektrischen Anschlussstreifen (3) in einer gemeinsamen Ebene befinden. Durch den Einschnitt (8) wird ermöglicht, dass der Haltestreifen (4) leicht entfernbar ist, ohne dass ein nachteiliger Stanzspalt zwischen Anschlussteil (2) und Haltestreifen (4) vorzusehen ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种引线框架（1）具有至少两个电连接部分的至少一个电子元件（2）各自具有至少一个电连接带（3）和至少一个保持带（4）。 的引线框架（1）的特征在于，一个切口在所述至少一个保持带（4）和所述连接部件（2）之间穿过所述保持条带（4）和连接部（2）的相邻部分之间（8）提供 平行偏移形成，且进一步的平行的连接部分（2）和电连接条带（3）之间设置偏移设置使得保持条带（4）和电连接条带（3）被设置在一个共同的平面中。 通过切口（8），所述固定条（4）成为可能是易于除去的，而无需（2）和保持带（4）设置在所述连接部之间的不利的冲压间隙。