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    半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
    3.
    发明申请
    半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 审中-公开
    半导体器件及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2015049773A1

    公开(公告)日：2015-04-09

    申请号：PCT/JP2013/077002

    申请日：2013-10-03

    Applicant: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記

    Inventor： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記

    IPC: H01L27/105

    CPC classification number: H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  C30B29/46 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/76208 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    Abstract: 　半導体装置は、第１の柱状半導体層（１２９、１３１、１３２、１３４）と、第１の柱状半導体層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜（１６２）と、第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された、金属からなるゲート電極（１６８ａ、１７０ａ）と、ゲート電極に接続された、金属からなるゲート配線（１６８ｂ、１７０ｂ）と、第１の柱状半導体層の上部周囲に形成された第２のゲート絶縁膜（１７３）と、第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された、第１の金属材料からなる第１のコンタクト（１７９ａ、１７９ｂ、１８１ａ、１８１ｂ）と、第１のコンタクトの上部と第１の柱状半導体層の上部とを接続する、第２の金属材料からなる第２のコンタクト（１８３ａ、１８３ｂ、１８５ａ、１８５ｂ）と、第１の柱状半導体層の下部に形成された第２の拡散層（１４３ａ、１４３ｂ）と、第２のコンタクト上に形成された柱状絶縁体層（２０２、２０３、２０４、２０５）と、柱状絶縁体層の上部周囲に形成された、抵抗が変化する膜（２１１、２１２、２１３、２１４）と、柱状絶縁体層の下部周囲に形成された、抵抗が変化する膜と接続される下部電極（２０６、２０７、２０８、２０９）と、を有する。

    Abstract translation: 该半导体器件具有第一柱状半导体层（129,131,132,134），形成在第一柱状半导体层周围的第一栅极绝缘膜（162），形成在第一栅极绝缘膜周围的金属栅电极（168a，170a） ，连接到所述栅极的金属栅极布线（168b，170b），形成在所述第一柱状半导体层的顶部周围的第二栅极绝缘膜（173），包括第一金属的第一触点（179a，179b，181a，181b） 并且围绕第二栅极绝缘膜形成第二触点（183a，183b，185a，185b），第二触点（183a，183b，185a，185b）包括第二金属材料并将第一触点的顶部连接到第一柱状半导体层的顶部，第二扩散 形成在第一柱状半导体层的底部周围的层（143a，143b），形成在第二触点顶部的柱状绝缘体层（202,203,204,205），形成的膜（211,212,213,214） 不要蜘蛛 所述柱状绝缘体层的顶部部分和电阻变化;以及底部电极（206,207,208,209），其形成在柱状绝缘体层的底部部分周围并连接到电阻变化的膜。

    CYCLIC METAL AMIDES AND VAPOR DEPOSITION USING THEM
    4.
    发明申请
    CYCLIC METAL AMIDES AND VAPOR DEPOSITION USING THEM 审中-公开
    循环金属粉末和蒸气沉积使用它们

    公开(公告)号：WO2011123675A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：PCT/US2011/030771

    申请日：2011-03-31

    Applicant: PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE ,  GORDON, Roy Gerald ,  HOCK, Adam S. ,  HEO, Jaeyeong ,  SINSERMSUKSAKUL, Prasert

    Inventor： GORDON, Roy Gerald ,  HOCK, Adam S. ,  HEO, Jaeyeong ,  SINSERMSUKSAKUL, Prasert

    IPC: C07C211/09 ,  C07F7/22 ,  C07F7/24 ,  C23C16/30

    CPC classification number: C07F7/003 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553

    Abstract: Novel cyclic amides containing tin or lead are disclosed. These cyclic amides can be used for atomic layer deposition or chemical vapor deposition of tin or lead as well as their oxides, sulfides, selenides, nitrides, phosphides, carbides, silicides or borides or other compounds. Tin(TV) oxide, SnO 2 , films were deposited by reaction of a cyclic tin amide/vapor and H 2 O 2 or NO 2 as oxygen sources. The films have high purity, smoothness, transparency, electrical conductivity, density, and uniform thickness even inside very narrow holes or trenches. Deposition temperatures are low enough for thermally sensitive substrates such as plastics. Suitable applications of these films include displays, light-emitting diodes, solar cells and gas sensors. Doping SnO 2 with aluminum was used to reduce its conductivity, making material suitable as the active semiconductor layer in electron multipliers or transparent transistors. Deposition Using the same tin precursor and H 2 S deposited tin monosulfide, SnS, a material suitable for solar cells. The figure shows the preferred tin compound.

    Abstract translation: 公开了含有锡或铅的新型环状酰胺。 这些环状酰胺可用于锡或铅及其氧化物，硫化物，硒化物，氮化物，磷化物，碳化物，硅化物或硼化物或其它化合物的原子层沉积或化学气相沉积。 通过环状锡酰胺/蒸气和H 2 O 2或NO 2作为氧源的反应沉积氧化锡（TV），SnO 2，膜。 即使在非常狭窄的孔或沟槽内，这些膜也具有高纯度，平滑度，透明度，导电性，密度和均匀的厚度。 沉积温度对于热敏基材如塑料来说足够低。 这些膜的合适应用包括显示器，发光二极管，太阳能电池和气体传感器。 使用铝掺杂SnO2以降低其导电性，使得材料适合作为电子倍增器或透明晶体管中的有源半导体层。 沉积使用相同的锡前体和H2S沉积锡一硫化物SnS，适合太阳能电池的材料。 该图显示了优选的锡化合物。

    LOW TEMPERATURE GST PROCESS
    5.
    发明申请
    LOW TEMPERATURE GST PROCESS 审中-公开
    低温GST工艺

    公开(公告)号：WO2010135702A2

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：PCT/US2010035851

    申请日：2010-05-21

    Applicant: ADVANCED TECH MATERIALS ,  ZHENG JUN-FEI

    Inventor： ZHENG JUN-FEI

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/144 ,  C23C16/305 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1616

    Abstract: A deposition process to form a conformal phase change material film on the surface of a substrate to produce a memory device wafer comprises providing a substrate to a chamber of a deposition system; providing an activation region; introducing one or more precursors into the chamber upstream of the substrate; optionally introducing one or more co-reactants upstream of the substrate; activating the one or more precursors; heating the substrate; and depositing the phase change material film on the substrate from the one or more precursors by chemical vapor deposition. The deposited phase change material film comprises GexSbyTezAm in which A is a dopant selected from the group of N, C, In, Sn, and Se. In one implementation, the process is carried out to form GST films doped with carbon and nitrogen, to impart beneficial film growth and performance properties to the film.

    Abstract translation: 在衬底的表面上形成保形相变材料膜以产生存储器件晶片的沉积工艺包括将衬底提供到沉积系统的腔室; 提供激活区域; 将一种或多种前体引入所述基底的上游的腔室中; 任选地在基底上游引入一种或多种共反应物; 活化一种或多种前体; 加热基板; 以及通过化学气相沉积从所述一种或多种前体将所述相变材料膜沉积在所述衬底上。 沉积的相变材料膜包括GexSbyTezAm，其中A是选自N，C，In，Sn和Se的掺杂剂。 在一个实施方案中，进行该方法以形成掺杂有碳和氮的GST膜，以赋予膜有利的膜生长和性能。

    HIGH CONCENTRATION NITROGEN-CONTAINING GERMANIUM TELLURIDE BASED MEMORY DEVICES AND PROCESSES OF MAKING
    7.
    发明申请
    HIGH CONCENTRATION NITROGEN-CONTAINING GERMANIUM TELLURIDE BASED MEMORY DEVICES AND PROCESSES OF MAKING 审中-公开
    高浓度含氮碲化镉记忆装置及其制备工艺

    公开(公告)号：WO2010065874A3

    公开(公告)日：2010-09-10

    申请号：PCT/US2009066805

    申请日：2009-12-04

    Applicant: ATMI ,  ZHENG JUN-FEI ,  ROEDER JEFFREY R ,  LI WEIMIN ,  CHEN PHIL

    Inventor： ZHENG JUN-FEI ,  ROEDER JEFFREY R ,  LI WEIMIN ,  CHEN PHIL

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/205 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/1683 ,  C23C16/305 ,  C23C16/34 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

    Abstract: A PCM device has the composition GexTeyNzAm deposited onto a substrate, where x is about 40% to about 60%, y is about 30% to about 49%, and z is about 5% to about 20% and more preferably about 5% to about 40%. The component represented as A is optional and representative of an element of Sb, Sn, In, Ga, or Zn, and m is up to about 15%. The composition is in the form of a film, and the nitrogen allows for the substantially conformal deposition of the film onto the substrate. A CVD process for depositing the PCM comprises delivering a Ge-based precursor and a Te-based precursor in vapor form to a CVD chamber, heating and pressurizing the chamber, and depositing the film onto a substrate. In making a phase change device using this process, the film is annealed and polished.

    Abstract translation: PCM器件具有沉积在衬底上的组成GexTeyNzAm，其中x为约40％至约60％，y为约30％至约49％，z为约5％至约20％，并且更优选为约5％至 约40％。 表示为A的组分是可选的并且代表Sb，Sn，In，Ga或Zn中的元素，并且m高达约15％。 该组合物为膜的形式，并且氮允许将膜基本共形地沉积到基底上。 用于沉积PCM的CVD工艺包括将蒸气形式的Ge基前体和Te基前体递送到CVD室，加热和加压该室，并将该膜沉积到基底上。 在使用该工艺制造相变装置时，薄膜被退火并抛光。

    METHOD OF FORMING CHALCOGENIDE THIN FILM
    8.
    发明申请
    METHOD OF FORMING CHALCOGENIDE THIN FILM 审中-公开
    形成聚乙烯薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2009128655A3

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：PCT/KR2009001959

    申请日：2009-04-16

    Applicant: IPS LTD ,  LEE KI-HOON ,  LEE JUNG-WOOK ,  YOU DONG-HO

    Inventor： LEE KI-HOON ,  LEE JUNG-WOOK ,  YOU DONG-HO

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C16/042 ,  C23C16/45527

    Abstract: The present invention concerns a method of forming a chalcogenide thin film for a phase-change memory. In the method of forming a chalcogenide thin film according to the present invention, a substrate with a pattern formed is loaded into a reactor, and a source gas is supplied onto the substrate. Here, the source gas includes at least one source gas selected from germanium (Ge) source gas, gallium (Ga) source gas, indium (In) source gas, selenium (Se) source gas, antimony (Sb) source gas, tellurium (Te) source gas, tin (Sn) source gas, silver (Ag) source gas, and sulfur (S) source gas. A first purge gas is supplied onto the substrate in order to purge the source gas supplied onto the substrate, a reaction gas for reducing the source gas is then supplied onto the substrate, and a second purge gas is supplied onto the substrate in order to purge the reaction gas supplied onto the substrate. At least one operation, namely changing the supply time of the first purge gas and/or adjusting the internal pressure of the reactor is performed in such a way as to ensure that the deposition rate at an inner portion of the pattern is greater than the deposition rate at an upper portion of the pattern. According to the present invention, it is possible to form a chalcogenide thin film having an excellent gap-fill property by changing the purge time of the source gas or adjusting the internal pressure of the reactor in such a way as to ensure that the film forming rate at the inner portion of the pattern is greater than the film forming rate at the upper portion of the pattern.

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成用于相变存储器的硫族化物薄膜的方法。 在根据本发明的形成硫族化物薄膜的方法中，将形成有图案的基板装载到反应器中，并将源气体供应到基板上。 这里，源气体包括选自锗（Ge）源气体，镓（Ga）源气体，铟（In）源气体，硒（Se）源气体，锑（Sb）源气体，碲（ Te）源气体，锡（Sn）源气体，银（Ag）源气体和硫（S）源气体。 为了清洗供给到基板上的源气体，将第一吹扫气体供给到基板上，然后将用于还原原料气体的反应气体供给到基板上，向基板供给第二吹扫气体以便吹扫 供给到基板上的反应气体。 执行至少一种操作，即改变第一吹扫气体的供应时间和/或调节反应器的内部压力，以确保图案内部的沉积速率大于沉积物的沉积速率 速率在图案的上部。 根据本发明，可以通过改变源气体的吹扫时间或调节反应器的内部压力来形成具有优异间隙填充性质的硫族化物薄膜，以确保成膜 在图案的内部的速率大于图案上部的成膜速率。

    VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG EINER N-HALBLEITENDEN INDIUMSULFID-DÜNNSCHICHT
    9.
    发明申请
    VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG EINER N-HALBLEITENDEN INDIUMSULFID-DÜNNSCHICHT 审中-公开
    方法和系统生产N- HALF官员铟薄

    公开(公告)号：WO2009121318A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/DE2009/000353

    申请日：2009-03-14

    Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH ,  ALLSOP, Nicholas ,  FISCHER, Christian-Herbert ,  GLEDHILL, Sophie ,  LUX-STEINER, Martha, Christina

    Inventor： ALLSOP, Nicholas ,  FISCHER, Christian-Herbert ,  GLEDHILL, Sophie ,  LUX-STEINER, Martha, Christina

    IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C16/45527

    Abstract: Zur Herstellung von Indiumsulfid-Dünnschichten ist das so genannte „Sprüh- ILGAR-Verfahren" bekannt, welches aus einer Verfahrensphase I (Deposition eines festen Indium-Precursors am Substrat) und einer sequenziellen Verfahrensphase Il (lonenaustausch-Reaktion des Indium-Precursors mit Schwefelwasserstoffgas) besteht und durchgängig bei Atmosphärendruck arbeitet. Erfindungsgemäß ist zur weiteren Verbesserung von Sprüh-ILGAR unter Beibehaltung von dessen Vorteilen vorgesehen, dass in der Verfahrensphase I simultan ein CVD-Schritt mit einer Überströmung des Substrats (SU) durchgeführt wird, der zur zusätzlichen Deposition von reaktionsfähigem Indium auf dem Substrat (SU) führt. Dazu wird simultan eine solche Menge von Schwefelwasserstoff (H 2 S) zum gelösten oder gasförmigen Indium enthaltenden Precursor (PR ln(g/fl) ) zugeführt, dass sich eine absolute Konzentration des Schwefelwasserstoffs (H 2 S) gleich oder weniger als 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP)ergibt. In der Verfahrensphase I wird das Substrat (SU) auf eine Temperatur zwischen 100°C und 275°C geheizt, sodass keine störende Pulverbildung in der Gasphase auftreten kann. In speziellen Batch- oder Inline-Anordnungen werden sehr kompakte, homogene Indiumsulfid-Dünnschichten hergestellt, die besonders vorteilhaft als Pufferschichten in Solarzellen eingesetzt werden können.

    Abstract translation: 用于生产铟薄膜的是所谓的“喷ILGAR方法”是公知的，其由相I（固体铟前体到基底的沉积）和顺序过程II期（铟前体与硫化氢气体的离子交换反应）的 是和一贯的大气压力。 本发明提供了喷雾ILGAR的进一步提高，同时保持其优点，即在相位进行予同时一个CVD步骤与所述衬底上的衬底上的流动（SU），无功铟的额外沉积的（SU） 线索。 用于此目的（H2S）变成溶解或气态含铟前体（PRln（克/升））同时，馈送这种硫化氢的量，即硫化氢（H 2 S）的绝对浓度等于或小于1％（体积）（以混合MP ）的结果。 在第一阶段中，衬底（SU）中加热至100℃和275℃之间的温度，以便在气相中可能会出现没有干扰粉末形成。 在特定批次或在线安排非常紧凑的，均匀的硫化铟薄膜中产生，其可以特别有利地用作太阳能电池中的缓冲层。

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CUINXGA1-X(SEYS1-Y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF
    10.
    发明申请
    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CUINXGA1-X(SEYS1-Y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF 审中-公开
    CUINXGA1-X（SEYS1-Y）2薄膜的化学气相沉积及其用途

    公开(公告)号：WO2008151067A3

    公开(公告)日：2009-02-19

    申请号：PCT/US2008065400

    申请日：2008-05-30

    Applicant: UNIV FLORIDA ,  KIM W K ,  ANDERSON TIM

    Inventor： KIM W K ,  ANDERSON TIM

    IPC: C23C16/18 ,  C23C16/06

    CPC classification number: C23C16/305 ,  Y10T428/31678

    Abstract: The subject application relates to a chemical vapor (CV) deposition technique to form CuInxGa1-x(SeySi-y)2 compounds. As a copper source, solid copper can be used with a HCl transport gas and Cu3Cl3 is expected to be a major Cu-containing vapor species in this system. Liquid indium and HCl transport gas are appropriate for the indium source to provide InCl vapor species. Since selenium and sulphur are relatively highly volatile, their vapor can be carried by an inert gas without an additional transport gas, although H2Se and H2S can be used. Each source temperature can be controlled separately so as to provide a sufficient and stable vapor flux. Also provided by the subject application are CV-deposited substrates and devices, such as electronic devices or solar cells, that contain CV-deposited CuInxGaI- x(SeySi-y)2 substrates.

    Abstract translation: 本申请涉及形成CuInxGa1-x（SeySi-y）2化合物的化学蒸气（CV）沉积技术。 作为铜源，固体铜可以与HCl输送气体一起使用，并且预期Cu 3 Cl 3在该体系中是主要的含Cu蒸气物质。 液态铟和HCl输送气体适用于铟源提供InCl蒸气物质。 由于硒和硫的挥发性相对较高，所以尽管可以使用H2Se和H2S，但它们的蒸气可以通过惰性气体进行运输，而不需要额外的运输气体。 可以分别控制每个源温度，以便提供足够和稳定的蒸气通量。 由本申请提供的还有CV沉积的衬底和诸如电子器件或太阳能电池的器件，其包含CV沉积的CuIn x Ga 1-x（SeySi-y）2衬底。

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