公开(公告)号：WO2010126675A2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/US2010/029562

申请日：2010-04-01

Applicant: ASM AMERICA, INC.

Inventor： RAGHAVAN , Srini ,  SHERO, Eric ,  VERGHESE , Mohith

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C09K13/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/45525 ,  C23G1/18 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22

Abstract: Compositions, methods, and systems permit selectively etching metal oxide from reactor metal parts (e.g., titanium and/or titanium alloys). The etching composition comprises an alkali metal hydroxide and gallic acid. The method is useful for cleaning reaction chambers used in the deposition of metal oxide films such as aluminum oxide.

Abstract translation: 组合物，方法和系统允许从反应器金属部件（例如钛和/或钛合金）中选择性地蚀刻金属氧化物。 蚀刻组合物包含碱金属氢氧化物和没食子酸。 该方法对于用于沉积金属氧化物膜如氧化铝的反应室是有用的。

公开(公告)号：WO2008144501A8

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/US2008063885

申请日：2008-05-16

Applicant: ADVANCED TECH MATERIALS ,  ZHANG PENG ,  BARNES JEFFREY ,  SONTHALIA PRERNA ,  COOPER EMANUEL ,  BOGGS KARL

Inventor： ZHANG PENG ,  BARNES JEFFREY ,  SONTHALIA PRERNA ,  COOPER EMANUEL ,  BOGGS KARL

IPC: C11D1/00 ,  C09K13/00 ,  C11D1/62 ,  C11D3/30

CPC classification number: C23F11/10 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/0084 ,  C11D3/30 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L31/18

Abstract: An cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include novel corrosion inhibitors. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

Abstract translation: 一种清洁组合物和用于从具有所述残留物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。

公开(公告)号：WO2007122056A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/EP2007/052867

申请日：2007-03-26

Applicant: CHEMETALL GMBH ,  BAUEROCHSE, Stella ,  KOMP, Carola ,  BERG VAN DEN, Ralph ,  CLAUDE, Peter ,  DRESSLER, Franz ,  GELDNER, Joachim ,  YÜKSEL, Zafer ,  SCHÖNFELDER, Eckart

Inventor： BAUEROCHSE, Stella ,  KOMP, Carola ,  BERG VAN DEN, Ralph ,  CLAUDE, Peter ,  DRESSLER, Franz ,  GELDNER, Joachim ,  YÜKSEL, Zafer ,  SCHÖNFELDER, Eckart

IPC: C23G1/14

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D1/835 ,  C11D11/0029 ,  C23C22/78 ,  C23G1/14 ,  C23G1/18 ,  C23G1/19 ,  C23G5/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur demulgierenden Reinigung von metallischen Oberflächen, die gegebenenfalls mit Öl(en), mit mindestens einer weiteren unpolaren organischen Verbindung, mit Fett(en), mit Seife(n), mit Partikelschmutz oder/und mit mindestens einer anionischen organischen Verbindung verschmutzt sind, mit einer wässerigen, alkalischen, Tensidhaltigen Badlösung, wobei das Bad beim Reinigen der metallischen Oberflächen mit Öl(en), mit mindestens einer weiteren unpolaren organischen Verbindung, mit Fett(en), mit Seife(n), mit Partikelschmutz oder/und mit mindestens einer anionischen organischen Verbindung verschmutzt wird, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Bad mindestens ein demulgierendes Tensid enthält oder/und dieses dem Bad zugesetzt wird, dass das Bad außerdem mindestens eine kationische organische Verbindung enthält oder/und diese dem Bad zugesetzt wird und dass das Bad auch bei zunehmender Verschmutzung insbesondere mit mindestens einer anionischen organischen Verbindung in einem demulgierenden Zustand gehalten wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于破乳金属表面的清洁，任选地与油（S），与至少一种其它非极性有机化合物，具有脂肪（S），用肥皂（或多个）与颗粒污垢和/或与至少一种阴离子有机 化合物清洗油（多个）金属表面的，与至少一种其它非极性有机化合物，具有脂肪（S），用肥皂（或多个）与颗粒污垢或期间被污染用含水，碱性，含表面活性剂浴溶液，所述浴 /和被污染与至少一种阴离子有机化合物，其特征在于，所述浴包含至少一种破乳表面活性剂和/或该被添加到浴中，该浴还含有至少一种阳离子有机化合物和/或那些加到浴 是和浴阴离子也与具有至少一个特别是增加了污染 n个有机化合物在抗乳化状态下被保持。

公开(公告)号：WO2007078642A2

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/US2006/047119

申请日：2006-12-08

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION ,  FREER, Erik, M. ,  DE LARIOS, John, M. ,  MIKHAYLICHENKO, Katrina ,  RAVKIN, Michael ,  KOROLIK, Mikhail ,  REDEKER, Fred, C. ,  THOMAS, Clint ,  PARKS, John

Inventor： FREER, Erik, M. ,  DE LARIOS, John, M. ,  MIKHAYLICHENKO, Katrina ,  RAVKIN, Michael ,  KOROLIK, Mikhail ,  REDEKER, Fred, C. ,  THOMAS, Clint ,  PARKS, John

IPC: C23G1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/04 ,  B08B3/00 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B05D3/10 ,  B08B7/02 ,  C11D1/04 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/18 ,  C11D3/2079 ,  C11D3/222 ,  C11D3/225 ,  C11D3/3765 ,  C11D9/00 ,  C11D9/02 ,  C11D9/267 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/0017 ,  C11D17/003 ,  C11D17/041 ,  C23G1/00 ,  C23G1/18 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086

Abstract: A cleaning material is disposed over a substrate. The cleaning material includes solid components dispersed within a liquid medium. A force is applied to the solid components within the liquid medium to bring the solid components within proximity to contaminants present on the substrate. The force applied to the solid components can be exerted by an immiscible component within the liquid medium. When the solid components are brought within sufficient proximity to the contaminants, an interaction is established between the solid components and the contaminants. Then, the solid components are moved away from the substrate such that the contaminants having interacted with the solid components are removed from the substrate.

Abstract translation: 清洁材料设置在基板上。 清洁材料包括分散在液体介质中的固体组分。 将力施加到液体介质中的固体组分以使固体组分接近存在于基底上的污染物。 施加到固体组分的力可以通过液体介质中的不混溶组分施加。 当固体组分被充分接近污染物时，在固体组分和污染物之间建立了相互作用。 然后，将固体组分从衬底移开，使得与固体组分相互作用的污染物从衬底上除去。

公开(公告)号：WO2003104900A2

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：PCT/US2003/016828

申请日：2003-05-27

Applicant: MALLINCKRODT BAKER INC. ,  HSU, Chien-Pin, Sherman

Inventor： HSU, Chien-Pin, Sherman

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C23G1/061 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D3/3454 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/261 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133

Abstract: Cleaning compositions suitable for cleaning microelectronic structures having silicon dioxide, low-k or high-k dielectrics and copper or aluminum metallizations contain an oxidizing agent and a polar organic solvent selected from amides, sulfones, sulfolenes, selenones and saturated alcohols, and optionally other components.

Abstract translation: 适用于清洁具有二氧化硅，低k或高k电介质和铜或铝金属化物的微电子结构的清洁组合物含有氧化剂和选自酰胺，砜，环丁砜，硒酮和饱和醇的极性有机溶剂，以及任选的其它组分 。

公开(公告)号：WO0213242A3

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：PCT/US0124515

申请日：2001-08-03

Applicant: EKC TECHNOLOGY INC

Inventor： SMALL ROBERT J ,  LEE JOO-YUN

IPC: C11D1/68 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D11/00 ,  C23G1/06 ,  C23G1/18 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C11D1/66 ,  C11D3/02 ,  C11D7/26

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/061 ,  C23G1/18

Abstract: The present invention relates to chemical compositions and methods of use for cleaning CMP equipment, including the interiors of delivery conduits carrying CMP slurry to the necessary sites. The chemical compositions of the present invention are also useful for post-CMP cleaning of the wafer itself. Three classes of cleaning compositions are described, all of which are aqueous solutions. One class operates in a preferable pH range from about 11 to about 12 and preferably contains one or more non-ionic surfactants, one or more simple amines, a surfactant or sticking agent such as one or more soluble dialcohol organic compounds and one or more quaternary amines. A second class of cleaning composition operates in a preferable pH range of approximately 8.5 and contains citric acid and oxalic acid. A third class of compositions is acidic, having a preferable pH range from about 1.5 to about 3, preferably containing at least one oxidizing acid, at least one chelating agent, at least one sticking agent and at least one anionic surfactant. HF and KOH are substantially absent from the preferred compositions of the present invention. Some compositions of the present invention are shown to be advantageously used for cleaning the slurry distribution system of CMP apparatus.

Abstract translation: 本发明涉及用于清洁CMP设备的化学组成和方法，包括将CMP浆料输送到必要场所的输送管道的内部。 本发明的化学组成也可用于晶片本身的CMP后清洗。 描述了三类清洁组合物，所有这些都是水溶液。 一类在约11至约12的优选pH范围内操作，并且优选含有一种或多种非离子表面活性剂，一种或多种简单胺，表面活性剂或粘着剂，例如一种或多种可溶性二醇有机化合物和一种或多种季铵 胺。 第二类清洁组合物在约8.5的优选pH范围内操作，并且含有柠檬酸和草酸。 第三类组合物是酸性的，具有约1.5至约3的优选pH范围，优选含有至少一种氧化酸，至少一种螯合剂，至少一种粘着剂和至少一种阴离子表面活性剂。 HF和KOH基本上不存在于本发明的优选组合物中。 显示出本发明的一些组合物有利地用于清洁CMP装置的浆料分配系统。

公开(公告)号：WO2016105941A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/US2015/064593

申请日：2015-12-09

Applicant: ECOLAB USA INC.

Inventor： POPOVIC, Zoran ,  NIEBUR, Sebastian ,  FRIEDRICH, Isabelle ,  JAEGER, Stefan

IPC: C23F11/167 ,  C23G1/18 ,  C11D3/36

CPC classification number: C23F11/10 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/361 ,  C11D3/362 ,  C11D11/0029 ,  C23G1/18

Abstract: There is presented an alkaline corrosion inhibitor composition comprising ascorbic acid or a salt thereof, alkaline cleaning compositions comprising the alkaline corrosion inhibitor composition, and methods of using the same.

Abstract translation: 提出了包含抗坏血酸或其盐的碱性缓蚀剂组合物，包含碱性缓蚀剂组合物的碱性清洁组合物及其使用方法。

公开(公告)号：WO2014151361A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/025563

申请日：2014-03-13

Applicant: CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： KO, Cheng-Yuan

IPC: C23G1/00

CPC classification number: C11D7/3281 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/26 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D3/361 ,  C11D3/364 ,  C11D3/365 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

Abstract: An aqueous cleaning composition for post copper chemical mechanical planarization is provided. The composition comprises an organic base, a copper etchant, an organic ligand, a corrosion inhibitor, and water, wherein the organic base is in a concentration of at least 200 ppm, the copper etchant is in a concentration of at least 200 ppm, the organic ligand is in a concentration of at least 50 ppm, and the corrosion inhibitor is in a concentration of at least 10 ppm. When used in the post copper chemical mechanical planarization cleaning procedure, the aqueous cleaning composition can effectively remove the residual contaminants from the wafer surface and reduce the defect counts on the wafer surface, while simultaneously, impart the wafers with a better surface roughness.

Abstract translation: 提供了用于后铜化学机械平面化的水性清洁组合物。 组合物包含有机碱，铜蚀刻剂，有机配体，腐蚀抑制剂和水，其中有机碱的浓度至少为200ppm，铜蚀刻剂的浓度至少为200ppm， 有机配体浓度至少为50ppm，腐蚀抑制剂的浓度至少为10ppm。 当用于后期铜化学机械平面化清洁程序时，水性清洁组合物可以有效地从晶片表面去除残留的污染物并减少晶片表面上的缺陷计数，同时赋予晶片更好的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2010126675A3

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/US2010029562

申请日：2010-04-01

Applicant: ASM INC

Inventor： RAGHAVAN SRINI ,  SHERO ERIC ,  VERGHESE MOHITH

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C09K13/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/45525 ,  C23G1/18 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22

Abstract: Compositions, methods, and systems permit selectively etching metal oxide from reactor metal parts (e.g., titanium and/or titanium alloys). The etching composition comprises an alkali metal hydroxide and gallic acid. The method is useful for cleaning reaction chambers used in the deposition of metal oxide films such as aluminum oxide.

Abstract translation: 组合物，方法和系统允许从反应器金属部件（例如钛和/或钛合金）中选择性地蚀刻金属氧化物。 蚀刻组合物包含碱金属氢氧化物和没食子酸。 该方法对于用于沉积金属氧化物膜如氧化铝的反应室是有用的。

公开(公告)号：WO2010151641A2

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：PCT/US2010/039785

申请日：2010-06-24

Applicant: HENKEL AG & CO. KGAA ,  MCCORMICK, David, R. ,  DUBS, Ronald, F.

Inventor： MCCORMICK, David, R. ,  DUBS, Ronald, F.

IPC: C23F11/10 ,  C23F11/173 ,  C23G1/04

CPC classification number: C23G1/06 ,  C11D1/72 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D3/349 ,  C11D3/3707 ,  C11D11/0029 ,  C23F1/44 ,  C23F11/10 ,  C23G1/088 ,  C23G1/18 ,  C23G1/19

Abstract: In one embodiment, a metal loss inhibitor concentrate is provided which contains water, (A) an amount of a component of dissolved organic compounds and polymers that contain at least two hydroxy moieties per molecule and an average of at least 0.4 hydroxy moieties per carbon atom: (B) an amount of a thiourea component; and (C) an amount of a dissolved component containing aryl and quaternary ammonium moieties; and, optionally: (D) an amount of a wetting agent, such as a component of an ethoxylate of an alcohol having Formula R?1#191-OH wherein R?1#191 is a saturated or unsaturated, straight-chain or branched aliphatic having from 12 to 80 carbon atoms. Such solutions form useful inhibitor concentrates when combined with aqueous chelating cleaning solutions, wherein such solutions, when contacted with a metal surface, are effective in removing scale, smut and other deposits from the metal surface but exhibit a reduced tendency to attack or unduly etch the metal itself, or to inhibit the subsequent desired oxidation and dissolution of metallic copper deposits.

Abstract translation: 在一个实施方案中，提供含有水的金属损失抑制剂浓缩物，（A）每分子含有至少两个羟基部分的溶解有机化合物和聚合物的组分的量，每个碳原子平均至少0.4个羟基部分 ：（B）硫脲成分的量; 和（C）含有芳基和季铵部分的溶解成分的量; 任选地：（D）一定量的润湿剂，例如具有式R 1＃191-OH的醇的乙氧基化物的组分，其中R 1＃191是饱和或不饱和的直链或支链 具有12至80个碳原子的脂族基。 当与水性螯合清洁溶液组合时，这样的溶液形成有用的抑制剂浓缩物，其中当与金属表面接触时，这种溶液有效地从金属表面去除垢，污迹和其它沉积物，但是表现出降低的侵蚀倾向或过度蚀刻 金属本身，或抑制随后期望的金属铜沉积物的氧化和溶解。