公开(公告)号：WO2017059645A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/CN2015/099858

申请日：2015-12-30

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 张军 ,  武学伟 ,  董博宇 ,  徐宝岗 ,  张鹤南 ,  郭冰亮 ,  张文 ,  刘绍辉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C14/35 ,  C23C14/541 ,  F27D5/0037 ,  F27D2003/0065 ,  F27D2019/0003 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/0047

摘要： 一种加热装置以及加热腔室，包括基板（21）、至少三个支撑柱（22）和加热组件，其中，至少三个支撑柱竖直设置在基板上，且沿基板的周向间隔分布，并且至少三个支撑柱的顶端形成用于支撑被加热件（23）的承载面；加热组件包括加热灯管（24）和热辐射屏蔽组件，其中，加热灯管设置在基板上方，且位于承载面的下方，用于朝向承载面辐射热量，并且由加热灯管均匀分布构成的有效加热区域在基板上的投影覆盖承载面在基板上的投影；热辐射屏蔽组件用于屏蔽由加热灯管朝向周围和底部辐射出的热量。不仅应用范围较大，而且可以提高加热效率和加热均匀性。

公开(公告)号：WO2014037777A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/IB2013/001824

申请日：2013-08-20

申请人： SOITEC

发明人： GOURDEL, Christophe ,  BARTHELEMY, Alexandre

IPC分类号： F27D5/00

CPC分类号： F27D5/0037

摘要： This support device has a central axis and includes: - three uprights (130), (131) and (132) extending substantially parallel to the central axis, - a plurality of series of support members spaced along the central axis, each series of support members comprising three support members (140), (141) and (142) adapted to support one wafer (W) of the plurality of wafers and extending in different essentially longitudinal directions transverse to the central axis, each support member (140), (141) and (142) being mounted directly on a separate upright, this support device being remarkable in that the directions of the three support members (140), (141) and (142) of each series of support members (135) are concurrent at a point on the central axis.

摘要翻译： 该支撑装置具有中心轴线，并且包括： - 基本上平行于中心轴线延伸的三个立柱（130），（131）和（132）， - 沿着中心轴线间隔开的多个一系列支撑构件，每一系列支撑件 包括三个支撑构件（140），（141）和（142）的构件，其适于支撑所述多个晶片中的一个晶片（W）并且沿与所述中心轴线横截的不同的基本纵向方向延伸，每个支撑构件（140）， 141）和（142）直接安装在单独的直立上，该支撑装置是显着的，因为每个系列支撑构件（135）的三个支撑构件（140），（141）和（142）的方向是同时的 在中心轴上的一点。

公开(公告)号：WO2005124839A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：PCT/JP2005/011137

申请日：2005-06-17

申请人： 株式会社SUMCO ,  足立 尚志

发明人： 足立 尚志

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L21/67306 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67323

摘要： 　半導体シリコン基板と接触し保持して、縦型熱処理炉の熱処理ボートに搭載される熱処理治具であって、治具形状がリング構造または円板構造であり、その厚さが１．５ｍｍ以上、６．０ｍｍ以下で、前記熱処理ボートに搭載された際の前記半導体シリコン基板と接触する領域の撓み変位量を１００μｍ以下とし、前記半導体シリコン基板と接触し保持する治具の外径が当該半導体シリコン基板の直径の６５％以上であり、前記半導体シリコン基板と接触する面の表面粗さ（Ｒａ値）が１．０μｍ以上、１００μｍ以下である半導体シリコン基板用熱処理治具である。この熱処理治具によれば、スリップの発生を有効に低減させると同時に、基板裏面における熱酸化膜の成長抑制を回避し、デバイス製造でのフォトリソグラフィ工程でデフォーカスの原因となる表面段差をなくすことができる。これにより、半導体シリコン基板の高品質を維持することができるとともに、デバイス歩留まりを大幅に向上させることが可能となる。

摘要翻译： 用于与半导体硅衬底接触以保持衬底的半导体硅衬底的热处理夹具将被安装在立式热处理炉中的热处理舟皿上。 夹具具有环形结构或盘状结构，其厚度为1.5mm以上且6.0mm以下，挠曲位移量为100mum以下，在与半导体硅基板接触的区域中，当安装在热处理 船。 与保持基板的半导体硅基板接触的夹具的外径为半导体硅基板的直径的65％以上，与半导体硅基板接触的面的表面粗糙度（Ra值）为1.0 妈妈或更多，但不超过100mum。 热处理夹具有效地减少了滑动，并且同时防止了在基板背面上的热氧化膜的生长抑制，并且消除了在器件制造中在光刻工艺中引起散焦的前平面步骤。 因此，可以保持半导体硅衬底的高质量，并且可以显着提高器件产量。

公开(公告)号：WO1991010759A1

公开(公告)日：1991-07-25

申请号：PCT/US1991000182

申请日：1991-01-09

申请人： SEMITHERM

发明人： SEMITHERM ,  HEIDT, Donald, W. ,  THOMPSON, Steve ,  LUND, Worm ,  THOMPSON, Raymon, F. ,  BEASLEY, Larry, Michael

IPC分类号： C30B35/00

CPC分类号： F27D5/0037

摘要： Semiconductor wafers (11) within a supporting vertical wafer tower are positioned within a vertical process chamber (12) through a lower gate valve (20) fixed to a supporting framework (37). The gate valve (20) is sealed to a similar gate (50) valve at the upper end of a movable load lock (40, 45) on the framework, within which the wafers (11) are subjected to pre-treatment and post-treatment processes. Two load locks (40, 45) are alternately used in conjunction with the process chamber (12) and a wafer loading station above an aperture (91) on the framework. In addition, a cleaning element (110) is movably mounted on the framework (37) for periodically maintaining the interior surfaces (15) of the process tube (13) within the process chamber (12).

公开(公告)号：WO2012115907A2

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/US2012/025818

申请日：2012-02-20

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  KOELMEL, Blake ,  RANISH, Joseph M. ,  MAYUR, Abhilash J.

发明人： KOELMEL, Blake ,  RANISH, Joseph M. ,  MAYUR, Abhilash J.

CPC分类号： H01L21/67346 ,  F27D5/0037 ,  F27D11/12 ,  F27D2005/0081 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

摘要： Embodiments of the present invention provide an edge ring for supporting a substrate with increased temperature uniformity. More particularly, embodiments of the present invention provide an edge ring having one or more surface area increasing structures formed on an energy receiving surface of the edge ring.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于支撑具有增加的温度均匀性的基板的边缘环。 更具体地，本发明的实施例提供一种边缘环，其具有形成在边缘环的能量接收表面上的一个或多个表面积增加结构。

公开(公告)号：WO2010045237A2

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：PCT/US2009060512

申请日：2009-10-13

申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS ,  SHIVE LARRY WAYNE ,  GILMORE BRIAN LAWRENCE ,  SNYDER TIMOTHY JOHN

发明人： SHIVE LARRY WAYNE ,  GILMORE BRIAN LAWRENCE ,  SNYDER TIMOTHY JOHN

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68735 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67306 ,  H01L21/67309

摘要： A wafer support for supporting a semiconductor wafer during a process including varied temperature. The wafer support includes a body having a top surface adapted to receive the semiconductor wafer so a portion of the top surface supports the wafer. The top surface has a recessed area including an inclined surface rising from a bottom of the recessed area. The inclined surface has an incline angle that is no more than about ten degrees.

摘要翻译： 一种用于在包括不同温度的工艺过程中支撑半导体晶片的晶片支架。 晶片支撑件包括具有适于接收半导体晶片的顶表面的主体，使得顶表面的一部分支撑晶片。 顶表面具有包括从凹陷区域的底部上升的倾斜表面的凹陷区域。 倾斜面的倾斜角度不大于约十度。

公开(公告)号：WO2006128018A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/US2006020497

申请日：2006-05-25

申请人： MATTSON TECH INC ,  ASCHNER HELMUT ,  SCHMID PATRICK ,  THEILER THOMAS ,  HEUDORFER OTTMAR

发明人： ASCHNER HELMUT ,  SCHMID PATRICK ,  THEILER THOMAS ,  HEUDORFER OTTMAR

IPC分类号： C23C16/00 ,  A21B2/00 ,  F26B3/30

CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68792

摘要： A device and a method for reducing particle exposure to substrates during thermal treatment are disclosed. Semiconductor wafers may be rotated on a device within a process chamber divided into two partial chambers such that a first partial chamber contains the substrate to be thermally treated and a second partial chamber contains at least parts of the rotation device. Between the partial chambers, a flow of gas is set such that gas from the second partial chamber is substantially prevented from passing into the first partial chamber. In this way, particles which are produced by rotation abrasion in the second partial chamber are largely prevented from passing onto the substrate to be thermally treated. This device and this method are particularly advantageous if the rotation is realized by means of a gas drive, wherein the gas used for the rotation can be introduced directly into the second partial chamber.

摘要翻译： 公开了一种用于在热处理期间减少颗粒暴露于基板的装置和方法。 半导体晶片可以在分成两个部分室的处理室内的装置上旋转，使得第一部分室包含待热处理的基板，并且第二部分室至少包含旋转装置的一部分。 在部分室之间，设置气流，使得基本上防止来自第二部分室的气体进入第一部分室。 以这种方式，通过第二部分室中的旋转磨损产生的颗粒被大大地防止被传递到待热处理的基板上。 如果通过气体驱动实现旋转，则该装置和该方法是特别有利的，其中用于旋转的气体可以直接引入第二部分室。

公开(公告)号：WO2006081104A2

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：PCT/US2006/001619

申请日：2006-01-17

申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. ,  GUPTA, Puneet ,  SHIVE, Larry, Wayne ,  GILMORE, Brian, Lawrence

发明人： GUPTA, Puneet ,  SHIVE, Larry, Wayne ,  GILMORE, Brian, Lawrence

IPC分类号： C23C16/458 ,  C30B31/14 ,  C30B25/12 ,  H01L21/673 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67309 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  F27D5/0037

摘要： A wafer boat for use in heat treatment of semiconductor wafers in a vertical furnace comprises support rods extending generally vertically when the wafer boat is placed in the vertical furnace. Fingers are supported by and extend along vertical extent of the support rods. Wafer holder platforms are adapted to be supported by groups of fingers lying in generally different common horizontal planes. The fingers are adapted to underlie the wafer holder platforms and support the platforms at the support locations. The fingers and wafer holder platforms each have a respective first overall maximum thickness. The support location of at least one of the fingers and the wafer holder platforms have a second maximum thickness less than the first overall maximum thickness.

摘要翻译： 用于在垂直炉中对半导体晶片进行热处理的晶片舟包括当晶片舟放置在立式炉中时大致垂直延伸的支撑杆。 手指由支撑杆的垂直方向支撑并延伸。 晶片支架平台适于由位于通常不同的共同水平面中的手指组支撑。 手指适合于晶片支架平台的下面，并在支撑位置支撑平台。 手指和晶片支架平台各自具有相应的第一总体最大厚度。 指状物和晶片保持器平台中的至少一个的支撑位置具有小于第一总体最大厚度的第二最大厚度。

公开(公告)号：WO2004088744A1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/JP2004/004508

申请日：2004-03-30

申请人： 三菱住友シリコン株式会社 ,  中田 嘉信 ,  白木 弘幸 ,  長谷川 健

发明人： 中田 嘉信 ,  白木 弘幸 ,  長谷川 健

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

摘要： このシリコンウェーハ熱処理治具および方法は、支持粋から互いに間隔をあけて中心点に向けて突出する3つの支持腕部の上側に支持突起を有し、シリコンウェーハを前記支持突起の上に載せて処理炉内で熱処理する際、支持突起の全てがシリコンウェーハの同一円周上でシリコンウェーハ半径の外側方向85～99.5%の範囲内に位置し、各支持腕部がそれぞれ中心点に対して120゜の角を為すように配置されることで、ピン跡から入る転位のフリー深さをデバイス形成領域より深くするとともに、このようなウェーハ表面にスリップがないスリップフリー領域を最も広くする。

摘要翻译： 在硅晶片热处理夹具和方法中，从支撑框架朝向中心点彼此间隔开并突出的三个支撑臂在其上侧具有支撑突起。 当将硅晶片放置在支撑突起上并在处理炉中进行热处理时，所有的支撑突起都位于晶片的相同圆周上，并且在所示的硅晶片的半径的85-99.5％的范围内 径向向外的单个支撑臂相对于中心点形成120°的角度。 结果，从引脚位置开始的无变形深度大于器件形成区域，并且在这种晶片表面上没有滑动的无滑动区域被最大化。

公开(公告)号：WO2017152958A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/EP2016/054909

申请日：2016-03-08

申请人： EVATEC AG

发明人： LODDER, Rogier ,  SCHÄFER, Martin ,  WEICHART, Jürgen

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/5806 ,  F27D5/0037 ,  F27D9/00 ,  F27D2009/007 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

摘要： A heater and/or cooler chamber (1) comprises a heat storage block or chunk (3). In the block a multitude of parallel, stacked slit pockets (17) each dimensioned to accommodate a single plate shaped workpiece. Workpiece handling openings (11) of the slit pockets (7) are freed and respectively covered by a door arrangement (13). The slit pockets (7) are tailored to snuggly surround the plate shaped workpieces therein so as to establish an efficient heat transfer between the heat storage block or chunk (3) and the workpieces to be cooled or heated.

摘要翻译： 加热器和/或冷却器室（1）包括蓄热块或块（3）。 在该块中，多个平行的堆叠狭缝凹坑（17）各自的尺寸被设计成容纳单个板形工件。 狭槽（7）的工件搬运开口（11）被释放并分别由门装置（13）覆盖。 狭槽（7）适合紧贴地围绕其中的板形工件，以便在蓄热块或块（3）与要被冷却或加热的工件之间建立有效的热传递。