公开(公告)号：WO2018071598A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：PCT/US2017/056225

申请日：2017-10-11

申请人： LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： KONKOLA, Paul ,  LEESER, Karl, F. ,  SRINIVASAN, Easwar

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： An assembly used in a process chamber for depositing a film on a wafer. A pedestal assembly includes a pedestal movably mounted to a main frame. A lift pad rests upon the pedestal and moves with the pedestal assembly. A raising mechanism separates the lift pad from the pedestal, and includes a hard stop fixed to the main frame, a roller attached to the pedestal assembly, a slide moveably attached to the pedestal assembly, a lift pad bracket interconnected to the slide and a pad shaft extending from the lift pad, and a lever rotatably attached to the lift pad bracket. The lever rests on the roller when not engaged with the upper hard stop. When the pedestal assembly moves upwards, the lever rotates about a pin when engaging the upper hard stop and roller, and separates the lift pad from the pedestal by a process rotation displacement.

摘要翻译： 用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。 底座组件包括可移动地安装到主框架的底座。 升降垫放置在基座上并与基座组件一起移动。 升降机构将升降垫与基座分开，并且包括固定到主框架的硬止动件，附接到基座组件的滚轮，可移动地附接到基座组件的滑动件，互连到滑动件的升降垫支架和垫 从升降垫延伸的轴以及可旋转地附接到升降垫支架的杆。 当不与上部硬止动器接合时，杠杆靠在滚轮上。 当底座组件向上移动时，杠杆在接合上部硬止动件和滚筒时围绕销旋转，并且通过处理旋转位移将提升垫与底座分开。

公开(公告)号：WO2017218152A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：PCT/US2017/034281

申请日：2017-05-24

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： HANSON, Kyle Moran ,  MCHUGH, Paul, R.

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/042 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： A processing system includes at least one processor having a tank for holding a process liquid. A clean assembly above the tank is provided with an upper housing having at least one upper housing spray nozzle, and a lower housing having at least one lower housing spray nozzle, with the lower housing below the upper housing. A door between the upper housing and the lower housing is movable via an actuator from an open position wherein a load port through the clean assembly is open, to a closed position wherein the load port is closed off. The door largely prevents liquids used in the upper housing from moving down into the process liquid in the tank, and may also improve gas flow in the system.

摘要翻译： 处理系统包括至少一个处理器，处理器具有用于保存处理液的罐。 箱体上方的干净组件设置有具有至少一个上部壳体喷嘴的上部壳体和具有至少一个下部壳体喷嘴的下部壳体，并且下部壳体位于上部壳体下方。 上部壳体和下部壳体之间的门可通过致动器从其中穿过清洁组件的装载口打开的打开位置移动到关闭装载口的关闭位置。 门大大地防止了上部外壳中使用的液体向下移动到储罐中的处理液体中，并且还可以改善系统中的气体流动。

公开(公告)号：WO2017164185A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/JP2017/011264

申请日：2017-03-21

申请人： 株式会社SCREENホールディングス

发明人： 柴山　宣之 ,  江戸　徹 ,  蒲　裕充

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02057 ,  B08B1/002 ,  B08B1/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/04 ,  B08B2203/005 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

摘要： 基板処理方法は、基板保持ユニットに基板を保持させる基板保持工程と、前記基板保持ユニットに保持されている前記基板の一方主面に、フッ酸溶液にオゾンが溶解したオゾン含有フッ酸溶液を供給するオゾン含有フッ酸溶液供給工程と、前記オゾン含有フッ酸溶液供給工程の後に、前記基板の前記一方主面に洗浄ブラシを接触させることにより、当該一方主面を洗浄するブラシ洗浄工程と、前記オゾン含有フッ酸溶液供給工程の後前記ブラシ洗浄工程の開始に先立って、または前記ブラシ洗浄工程に並行して、前記基板の前記一方主面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程を含む。

摘要翻译：

基板处理方法包括在基板保持的基板保持单元上保持的基板，由所述基板保持单元所保持的基板的一个主表面的步骤中，臭氧溶解于氢氟酸溶液 在含臭氧的氢氟酸溶液供给步骤之后，将含臭氧的氢氟酸溶液包含在基板的表面上，以及使清洁刷与基板的一个主表面接触的步骤， 在开始刷子清洁步骤之前将臭氧水供应至基板的一个主表面，或者在含臭氧的氢氟酸溶液供应步骤之后与刷子清洁步骤并行地供应 包括臭氧供水过程。

公开(公告)号：WO2017139353A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：PCT/US2017/016975

申请日：2017-02-08

申请人： WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY

发明人： NOSRATI, Mohammad ,  TOMPKINS, Timothy, B.

IPC分类号： G01K1/02

CPC分类号： H01L21/67248 ,  G01K1/024 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68792

摘要： A semiconductor processing apparatus includes a wafer support assembly, a temperature sensor integrated in the wafer support assembly for measuring a temperature of the wafer support assembly, and a signal transmission device that wirelessly transmits a signal relating to a temperature measurement obtained by the temperature sensor to an external control module.

摘要翻译： 半导体处理设备包括晶片支撑组件，集成在晶片支撑组件中的温度传感器，用于测量晶片支撑组件的温度，以及信号传输设备，无线地传输关于 通过温度传感器获得温度测量值到外部控制模块。

公开(公告)号：WO2017059645A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/CN2015/099858

申请日：2015-12-30

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 张军 ,  武学伟 ,  董博宇 ,  徐宝岗 ,  张鹤南 ,  郭冰亮 ,  张文 ,  刘绍辉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C14/35 ,  C23C14/541 ,  F27D5/0037 ,  F27D2003/0065 ,  F27D2019/0003 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/0047

摘要： 一种加热装置以及加热腔室，包括基板（21）、至少三个支撑柱（22）和加热组件，其中，至少三个支撑柱竖直设置在基板上，且沿基板的周向间隔分布，并且至少三个支撑柱的顶端形成用于支撑被加热件（23）的承载面；加热组件包括加热灯管（24）和热辐射屏蔽组件，其中，加热灯管设置在基板上方，且位于承载面的下方，用于朝向承载面辐射热量，并且由加热灯管均匀分布构成的有效加热区域在基板上的投影覆盖承载面在基板上的投影；热辐射屏蔽组件用于屏蔽由加热灯管朝向周围和底部辐射出的热量。不仅应用范围较大，而且可以提高加热效率和加热均匀性。

公开(公告)号：WO2016179818A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/CN2015/078925

申请日：2015-05-14

申请人： ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.

发明人： WANG, Xi ,  WANG, Hui

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  B05C13/00

CPC分类号： B05C13/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68792

摘要： The present invention provides an apparatus for substrate bevel and backside protection. The apparatus includes a vacuum chuck (103), a protecting apparatus, a gas supplying apparatus (114), a spin actuator (115) and a vertical actuator (113). The vacuum chuck (103) holds and positions a substrate. The protecting apparatus has s base portion and a supporting portion (104). The supporting portion (104) is set close to the substrate (101). The supporting portion (104) has a plurality of injecting ports (107) for delivering gas to the gap (105) and a plurality of releasing ports (108) for releasing the gas out of the gap (105). The base portion has a plurality of gas lines (111) and each gas line (111) is connected to one injecting port (107). The gas supplying apparatus (114) supplies the gas to the gas lines (111) of the protecting apparatus. The plurality of injecting ports (107) delivers the gas to the gap (105) for forming a positive gas pressure in the gap (105), and the gas in the gap(105) serves as a gas curtain to protect the bevel and backside of the substrate(101). The spin actuator (115) drives the vacuum chuck (103) and the protecting apparatus to rotate. The vertical actuator (113) drives the vacuum chuck (103) to move vertically.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于基板斜面和背面保护的装置。 该装置包括真空吸盘（103），保护装置，气体供给装置（114），旋转致动器（115）和垂直致动器（113）。 真空吸盘（103）保持并定位基板。 保护装置具有基部和支撑部（104）。 支撑部分（104）设置成靠近基板（101）。 支撑部分（104）具有用于将气体输送到间隙（105）的多个注入口（107）和用于将气体从间隙（105）释出的多个释放口（108）。 基部具有多个气体管线（111），并且每个气体管路（111）连接到一个喷射口（107）。 气体供给装置（114）将气体供给到保护装置的气体管线（111）。 多个注入口（107）将气体输送到间隙（105），以在间隙（105）中形成正气体压力，间隙（105）中的气体用作气幕，以保护斜面和背面 的基板（101）。 旋转致动器（115）驱动真空吸盘（103）和保护装置旋转。 垂直致动器（113）驱动真空吸盘（103）垂直移动。

公开(公告)号：WO2016178777A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/US2016/026156

申请日：2016-04-06

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： RAJ, Govinda ,  KUMAR, Hanish ,  ZHANG, Lin ,  WU, Stanley

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23F15/00

CPC分类号： F16K41/10 ,  C23C16/4404 ,  F16L11/15 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68792

摘要： Implementations described herein protect a chamber components from corrosive cleaning gases used at high temperatures. In one embodiment, a chamber component includes at least a bellows that includes a top mounting flange coupled to a bottom mounting flange by a tubular accordion structure. A coating is disposed on an exterior surface of at least the tubular accordion structure. The coating includes of at least one of polytetrafluoroethylene, parylene C, parylene D, diamond-like carbon (DLC), yttria stabilized zirconia, nickel, alumina, or aluminum silicon magnesium yttrium oxygen compound. In one embodiment, the chamber component is a valve having an internal bellows.

摘要翻译： 本文所述的实施方案保护室部件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的影响。 在一个实施例中，室部件包括至少一个波纹管，其包括通过管状手风琴结构联接到底部安装凸缘的顶部安装凸缘。 在至少管状手风琴结构的外表面上设置涂层。 涂层包括聚四氟乙烯，聚对二甲苯C，聚对二甲苯D，类金刚石碳（DLC），氧化钇稳定的氧化锆，镍，氧化铝或铝硅镁钇氧化合物中的至少一种。 在一个实施例中，室部件是具有内部波纹管的阀。

公开(公告)号：WO2016009781A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/JP2015/067688

申请日：2015-06-19

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 野沢　俊久

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

摘要： 　プラズマ処理装置は、基板を気密に収容する処理容器と、処理容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波供給部と、処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理容器内において基板を保持する基板保持機構と、処理容器の底面を上下方向に貫通し、基板保持機構の下面を支持する支持軸と、処理容器の外部に設けられ、支持軸を回転させる回転駆動機構と、支持軸と処理容器との間を気密に塞ぐ磁性流体シールと、磁性流体シールよりも上方に設けられ、支持軸と処理容器との間からのマイクロ波の漏洩により磁性流体シールが加熱されることを防止するチョーク機構と、を有する。

摘要翻译： 一种等离子体处理装置，具有：以气密方式容纳基板的处理室; 微波提供单元，其利用微波照射处理室的内部; 处理气体供给单元，其在处理室内供给处理气体; 基板保持机构，其将所述基板保持在所述处理室内; 支撑轴，其沿上/下方向穿过处理室的地板表面并支撑基板保持机构的下表面; 旋转驱动机构，其设置在所述处理室的外部并使所述支撑轴旋转; 磁性流体密封件，以密封方式密封支撑轴和处理室之间的间隔; 以及设置在磁性流体密封件上方的阻塞机构，并且防止由于微波从支撑轴和处理室之间的泄漏而导致的磁性流体密封的加热。

公开(公告)号：WO2015184628A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：PCT/CN2014/079323

申请日：2014-06-06

申请人： ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.

发明人： ZHANG, Xiaoyan ,  WANG, Hui ,  WU, Jun ,  CHENG, Cheng ,  CHEN, Fufa ,  CHEN, Fuping

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/68792 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

摘要： An apparatus and a method for removing a film on edge of backside of a wafer. The apparatus includes a vacuum chuck (110) having an inner groove (111) and an outer groove (1113) defined at the peripheral edge of the vacuum chuck (110), an inner sealing ring (1115) disposed in the inner groove (111); and an outer sealing ring (1116) disposed in the outer groove (1113). When the wafer is put on the vacuum chuck (110), the space defined by the wafer and the area of the vacuum chuck (110) encircled by the inner sealing ring (1115) is vacuumized for holding and positioning the wafer on the vacuum chuck (110), and the space defined by the wafer and the area between the inner sealing ring (1115) and the outer sealing ring (1116) of the vacuum chuck (110) is filled with pressurized gas for making the space defined by the wafer and the area between the inner sealing ring (1115)and the outer sealing ring (1116) of the vacuum chuck (110) maintain positive pressure for preventing liquid from getting into the center area of the backside of the wafer.

摘要翻译： 一种用于去除晶片背面边缘的薄膜的设备和方法。 该装置包括：真空吸盘（110），其具有限定在真空吸盘（110）的周缘的内槽（111）和外槽（1113）;内密封环（1115），设置在内槽 ）; 以及设置在外槽（1113）中的外密封圈（1116）。 当将晶片放在真空吸盘（110）上时，将由晶片限定的空间和由内密封环（1115）包围的真空吸盘（110）的面积抽真空，以将晶片保持并定位在真空吸盘 （110），并且由所述晶片限定的空间和所述真空卡盘（110）的所述内密封环（1115）和所述外密封环（1116）之间的面积填充有用于制造由所述晶片限定的空间的加压气体 并且真空吸盘（110）的内密封环（1115）和外密封圈（1116）之间的面积保持正压，以防止液体进入晶片背面的中心区域。

公开(公告)号：WO2015162194A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/058750

申请日：2015-04-23

申请人： STRUERS A/S

发明人： MATSCHOFSKY, Thomas ,  OPPELSTRUP, Palle

IPC分类号： G01N1/34

CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/10 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

摘要： The present invention relates to a method of, and an apparatus for, rinsing materialographic samples. The method includes the steps of: - arranging one or more materialographic samples in a sample holder; - connecting the sample holder (10) to a rotation head of a rinsing device; - placing the sample holder connected to the rotation head in the vessel of the rinsing device; - rotating the sample holder relative to the vessel; - filling the vessel with a rinsing liquid; and - subjecting the materialographic samples in the sample holder to ultrasonic waves.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于冲洗造像样本的方法和装置。 该方法包括以下步骤： - 将一个或多个地貌样品排列在样品架中; - 将样品架（10）连接到冲洗装置的旋转头; - 将与旋转头连接的样品架放置在漂洗装置的容器中; - 相对于容器旋转样品架; - 用冲洗液填充容器; 以及 - 将样品架中的地质样品经受超声波。