Abstract:
We disclose herein a thermal IR detector array device comprising a dielectric membrane (2), supported by a substrate, the membrane having an array of IR detectors (4, 5), where the array size is at least 3 by 3 or larger, and there are tracks (3) embedded within the membrane layers to separate each element of the array, the tracks also acting as heatsinks and/or cold junction regions.
Abstract:
A controller comprising: an output for controlling one or more outdoor lighting device to illuminate an outdoor environment; an input for receiving temperature information from a temperature sensor comprising a plurality of temperature sensing elements; and a control module. The control module is configured to: use the temperature information received from the temperature sensor to detect motion in a sensing region of the temperature sensor and control the one or more lighting device based on the detected motion, and additionally use the temperature information received from the temperature sensor to detect conditions of the environment in the sensing region and further control the one or more lighting device based on the detected conditions.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen thermischen Infrarot-Sensorarray im WLP mit mindestens einem in Siliziummikromechanik hergestellten Infrarot sensitiven Pixel, mit einer wärmeisolierenden Grube in einem Siliziumsubstrat, die durch einen Siliziumrand umgeben ist, sowie einer dünnen Membran, die mittels dünner Beams mit dem Siliziumrand verbunden ist, wobei sich die Grube durch das Siliziumsubstrat bis zur Membran erstreckt, wobei sich zwischen der Membran, den Beams und dem Siliziumrand Schlitze befinden. Durch die Erfindung ist es, einen hochempfindlichen Sensor in einem WLP mit einer einfachen CMOS-kompatiblen Prozesstechnik für einen Sensorwafer selbst und einem vakuumdichten Verschluss anzugeben, bei dem Gettermittel räumlich getrennt von den Filterschichten eines Deckelwafers aufgebracht werden kann. Erreicht wird das dadurch, dass eine Mehrzahl von Infrarot sensitiven Einzelpixeln (14) in Zeilen- oder Arrayform angeordnet und in einem CMOS-Stapel (10) auf einer dielektrischen Schicht (10'), die Membran (12) bildend, ausgebildet sind, zwischen mindestens einem kappenartig ausgebildeten, eine Kavität (20) aufweisenden Deckelwafer (1) und einem Bodenwafer (11) angeordnet sind, wobei der Deckelwafer (1), das Siliziumsubstrat (3) und der Bodenwafer (11) vakuumdicht, ein Gas-Vakuum einschließend, miteinander verbunden sind.
Abstract:
A thermoelectric infrared detector. The detector has an absorption platform comprising a material that increases in temperature in response to incident infrared radiation and the platform covering substantially an entire area of the detector. The detector includes a thermocouple substantially suspended from contact with a substrate by at least one arm connected to the substrate.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Infrarotsensor (10) mit einer Mikrostruktur aus mehreren, von einem Sensorboden (16) abstehenden, achsparallel zueinander angeordneten Sensorstäben (12), wobei jeder der Sensorstäbe (12) als Thermoelement ausgestaltet ist, indem ein am Sensorboden (16) angeordnetes erstes Stabende (32) mit einem gegenüberliegenden freien zweiten Stabende (34) sowohl durch ein erstes als auch durch ein zweites elektrisch leitfähiges Stabelement elektrisch verbunden ist, wobei die beiden Stabelemente (26, 28) einen unterschiedlichen Seebeck-Koeffizienten aufweisen, und wobei das erste Stabelement als Hohlprofil ausgebildet ist und das zweite Stabelement in dem ersten Stabelement angeordnet ist, so dass jedes Thermoelement als einzelner Stab mit einer kleinen Aufstandsfläche auf dem Sensorboden (16) ausgebildet ist.
Abstract:
A thermoelectric infrared detector. The detector has an absorption platform comprising a material that increases in temperature in response to incident infrared radiation and the platform covering substantially an entire area of the detector. The detector includes a thermocouple substantially suspended from contact with a substrate by at least one arm connected to the substrate.
Abstract:
We disclose an array of Infra-Red (IR) detectors comprising at least one dielectric membrane (2, 3) formed on a semiconductor substrate comprising an etched portion; at least two IR detectors (4, 5), and at least one patterned layer (7) formed within or on one or both sides of the said dielectric membrane for controlling the IR absorption of at least one of the IR detectors. The patterned layer comprises laterally spaced structures.