走査プローブ顕微鏡およびこれを用いた試料の観察方法
    1.
    发明申请
    走査プローブ顕微鏡およびこれを用いた試料の観察方法 审中-公开
    扫描探针显微镜和使用相同的样品观察方法

    公开(公告)号:WO2014115391A1

    公开(公告)日:2014-07-31

    申请号:PCT/JP2013/079063

    申请日:2013-10-28

    CPC classification number: G01Q60/22 B82Y20/00 B82Y35/00 G01Q30/14

    Abstract:  本発明の目的は、近接場走査顕微鏡を液中計測に適用するに際し、液中にて測定探針と検査対象試料との間に発生した近接場光の検出光量を増加させ、近接場光画像のSN比及び測定再現性を向上させることにある。 本発明は、検査対象試料上を相対的に走査する測定探針と、前記測定探針にレーザ光を照射するレーザ光照射系と、レーザ光の照射により前記測定探針と前記検査対象試料との間で発生した近接場光の散乱光を透過し、前記検査対象試料を保持する試料セルと、前記試料セルを透過した散乱光を検出する検出器とを備えた走査プローブ顕微鏡を提供する。

    Abstract translation: 本发明的目的是增加在使用近场扫描显微镜时在测量探针和待检样品之间的液体中产生的近场光的检测光量 用于液体中的测量,并提高近场光图像的测量重现性和SN比。 本发明提供了一种扫描探针显微镜,其包括:在被检样品上相对扫描的测量探针; 激光束照射系统,其用激光束照射测量探针; 保持要检查的样本并且通过激光束照射在测量探针和要被检测的样本之间产生的近场光的散射光的样品池; 以及检测器,其检测已经通过样品池的散射光。

    走査プローブ顕微鏡
    3.
    发明申请
    走査プローブ顕微鏡 审中-公开
    扫描探针显微镜

    公开(公告)号:WO2014006999A1

    公开(公告)日:2014-01-09

    申请号:PCT/JP2013/064569

    申请日:2013-05-27

    CPC classification number: G01Q60/18 G01Q60/22 G01Q70/10 G01Q70/14

    Abstract:  本発明は、プラズモンの励起効率を向上させて、その結果として近接場光の励起効率を向上させた走査プローブ顕微鏡を提供することを目的とする。 本発明は、プローブを測定対象に対して走査するカンチレバーと、前記カンチレバーに励起光を入射する光源と、前記カンチレバー励起光により励起されたプラズモンによって前記プローブの先端から発生し、前記測定対象の表面から散乱した近接場光を検出する近接場光検出センサとを備え、前記カンチレバーの前記励起光が照射される部分に前記励起光を前記プラズモンの励起点に導く微小構造を設けることを特徴とする走査プローブ顕微鏡を提供する。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种扫描探针显微镜,其中等离子激元激发的效率已得到改善,其结果是对近场光具有改善的激发效率。 本发明提供了一种扫描探针显微镜,其特征在于配备有:包括扫描被检体的探针的悬臂; 使激发光进入悬臂的光源; 以及近场光检测传感器,其通过用悬臂激发光激发的等离子体激元,检测在探针的尖端处产生的并且被被检查物体的表面散射的近场光。 显微镜的特征还在于,将激发光引导到等离子体激发点的微结构已经设置在要被照射激发光的悬臂的部分中。

    MICROSPHERE SUPERLENS BASED SUPERRESOLUTION IMAGING PLATFORM
    4.
    发明申请
    MICROSPHERE SUPERLENS BASED SUPERRESOLUTION IMAGING PLATFORM 审中-公开
    基于MICROSPHERE SUPERLENS的超级成像平台

    公开(公告)号:WO2013043818A1

    公开(公告)日:2013-03-28

    申请号:PCT/US2012/056252

    申请日:2012-09-20

    CPC classification number: G02B27/58 G01N2201/0639 G01Q60/06 G01Q60/22

    Abstract: Systems and methods for imaging a surface, including a nano-positioning device including a cantilever with an optically transparent microsphere lens coupled to the distal end of the cantilever. An optical component can focusing light on at least a portion of the surface through the microsphere lens, and focus light, if any, reflected from the surface through the microsphere lens. A control unit communicatively coupled with the nano-positioning device can be configured to position the microsphere lens at a predetermined distance above the surface.

    Abstract translation: 用于对表面进行成像的系统和方法,包括纳米定位装置,该纳米定位装置包括与悬臂的远端连接的光学透明微球透镜的悬臂。 光学部件可以将光聚焦到通过微球透镜的表面的至少一部分上,并且聚焦通过微球透镜从表面反射的光(如果有的话)。 与纳米定位装置通信地联接的控制单元可以被配置为将微球透镜定位在表面上方预定距离处。

    走査プローブ顕微鏡およびこれを用いた測定方法
    5.
    发明申请
    走査プローブ顕微鏡およびこれを用いた測定方法 审中-公开
    扫描探针显微镜和使用相同的测量方法

    公开(公告)号:WO2012137491A1

    公开(公告)日:2012-10-11

    申请号:PCT/JP2012/002336

    申请日:2012-04-04

    Abstract:  本発明はプラズモン伝播形光SPMにおいて、信号対雑音比が低下させずに近接場光を用いて試料の形状と光学特性を測定する走査プローブ顕微鏡の測定方法を提供することを目的とする。 上記課題を解決するため、本発明は、近接場光を励起させ、近接場光と試料の相対位置を走査し、試料による近接場光の散乱光を検出することにより、試料の形状と光学特性を観察する走査プローブ顕微鏡の測定方法であって、近接場光を変調させ、近接場光と試料の相対位置を周期的に変動させ、近接場光に印加した変調の周波数と、近接場光と試料の相対位置を変動させる周波数によって発生する干渉信号を選択的に抽出することを特徴とする走査プローブ顕微鏡の測定方法を提供する。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种扫描探针显微镜的测量方法,用于使用近场光测量样品的形状和光学性质,而在等离子体激元传播型光学SPM中信噪比没有降低 。 为了解决上述问题,本发明提供一种扫描探针显微镜的测量方法,用于通过激发近场光来观察样品的形状和光学特性,扫描近场光和样品的相对位置,以及 检测由近场光的样本散射的光,所述方法的特征在于,近场光被调制以周期性地改变近场光和样本的相对位置,并且将调制的频率应用于 选择性地提取近场光和在近场光和样本的相对位置改变的频率处产生的干涉信号。

    欠陥検査方法及び欠陥検査装置
    6.
    发明申请
    欠陥検査方法及び欠陥検査装置 审中-公开
    用于检查缺陷的方法和装置

    公开(公告)号:WO2012014357A1

    公开(公告)日:2012-02-02

    申请号:PCT/JP2011/002809

    申请日:2011-05-20

    Abstract:  試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。

    Abstract translation: 提供了一种用于检查样品表面的缺陷的方法,其包括:预扫描缺陷检查步骤,包括用于用光照射样品的表面的预扫描照射步骤,用于检测散射光的预扫描检测步骤,以及预扫描 缺陷信息收集步骤,用于基于散射光获得关于样品表面上存在的特定缺陷的信息; 近场缺陷检查步骤,包括用于调整样品表面与近场头之间的距离的近场照射步骤以照射样品的表面;近场检测步骤,用于检测近场光响应 以及近场缺陷信息收集步骤,用于基于近场光获取关于特定缺陷的信息; 以及用于合并关于特定缺陷的信息以检查样品表面上的缺陷的合并步骤。

    近接場プローブ、および近接場導入・検出装置
    7.
    发明申请
    近接場プローブ、および近接場導入・検出装置 审中-公开
    近场探测和近场介绍/检测设备

    公开(公告)号:WO2011033925A1

    公开(公告)日:2011-03-24

    申请号:PCT/JP2010/064687

    申请日:2010-08-30

    Inventor: 大澤 耕

    CPC classification number: G01Q60/22 G02B6/107 G02B6/1226

    Abstract:  本発明は、良好に近接場を形成および検出できる近接場プローブおよび近接場導入・検出装置を提供することを特徴とする。 近接場プローブ30は、主として、基板31と、下部クラッド32と、上部クラッド33と、外部コア35と、細線コア40と、プラズモンヘッド50(50a、50b)と、を有している。また、これら要素のうち、下部および上部クラッド32、33、並びに細線コア40によって、光導波路30aが構成される。プラズモンヘッド50は、光導波路30aの先端側での平面視において、上部クラッド33と、細線コア40と、の境界を跨ぐように配置されている。

    Abstract translation: 公开了一种近场探针,其可以优异地形成和检测近场,以及近场引入/检测装置。 近场探针(30)主要具有基板(31),下包层(32),上包层(33),外芯(35),细芯芯(40)和等离子体激元 50(50a,50b))。 此外,在上述元件中,通过下层和上层(32,33)和细线芯(40)构成光波导(30a)。 等离子体激元头(50)从光波导(30a)的前端侧的平面视图中设置在上包层(33)和细线芯(40)之间的边界上。

    EVANESCENT MICROWAVE MICROSCOPY PROBE AND METHODOLOGY
    8.
    发明申请
    EVANESCENT MICROWAVE MICROSCOPY PROBE AND METHODOLOGY 审中-公开
    历史微波微观探测与方法论

    公开(公告)号:WO2009158598A3

    公开(公告)日:2010-03-25

    申请号:PCT/US2009048824

    申请日:2009-06-26

    CPC classification number: G01Q60/22 B82Y20/00 B82Y35/00

    Abstract: The present disclosure generally relates to an evanescent microwave microscopy probe and methods for making and using the same. Some embodiments relate to a probe which is constructed of silver. Other embodiments relate to a method of measuring an unknown property a target material, comprising moving the probe away from the target material, taking a first measurement, moving the probe such that it touches the target material, taking a second measurement, and comparing the first and second measurements in order to measure the unknown property.

    Abstract translation: 本公开一般涉及消逝的微波显微镜探针及其制造和使用方法。 一些实施例涉及由银构成的探针。 其他实施例涉及一种测量目标材料的未知性质的方法,包括将探针远离目标材料移动,进行第一测量,移动探针使得其接触目标材料,进行第二测量,并且比较第一 和第二次测量以便测量未知属性。

    露光ヘッド、露光装置および露光ヘッド製造方法
    9.
    发明申请
    露光ヘッド、露光装置および露光ヘッド製造方法 审中-公开
    曝光头,曝光装置和曝光头制造方法

    公开(公告)号:WO2009118883A1

    公开(公告)日:2009-10-01

    申请号:PCT/JP2008/056051

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: G03F7/7035 G01Q60/22 G01Q80/00

    Abstract:  本願の開示する技術は、近接場光を用いて露光処理を実行する手段を安価に提供することを課題とする。この課題を解決するため、露光ヘッド(20)は、電極間に放電を発生させることにより光を発生させる放電部(21)と、放電部(21)において発生させられた光を光源として、光出射口(114)から近接場光(3)を生じさせる露光部(22)とを備える。このように放電により生じる光を光源とすることにより、装置を小型化し、コストを低減させることが可能になる。

    Abstract translation: 该技术的一个目的是提供使用近场光以低成本进行曝光处理的装置。 为了实现该目的,曝光头(20)包括用于在电极之间产生放电从而产生光的放电部分(21)和用于允许从场景光(3)产生近场光(3)的曝光部分(22) 使用在放电部(21)中产生的光作为光源的发光口(114)。 该装置可以小型化,并且通过使用由放电产生的光作为如上所述的光源可以降低成本。

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