OPTICAL MICRO CANTILEVER, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND MICRO CANTILEVER HOLDER
    6.
    发明申请
    OPTICAL MICRO CANTILEVER, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND MICRO CANTILEVER HOLDER 审中-公开
    光学微型灯,其制造方法和微型灯座

    公开(公告)号:WO00055597A1

    公开(公告)日:2000-09-21

    申请号:PCT/JP2000/001361

    申请日:2000-03-06

    CPC classification number: G01Q60/38 G01Q60/06 G01Q60/22

    Abstract: A low-loss optical micro cantilever (10) comprises a support (1), an optical waveguide (2), an opaque film (3), a reflective film (4), a chip (5) with a pointed end, a minute opening (6) in the pointed of the chip (5), and a reflective mirror (7) for directing the light (H) from an optical input/output end (8) of the optical waveguide (2) toward the minute opening (6).

    Abstract translation: 低损耗光学微悬臂(10)包括支撑件(1),光波导(2),不透明膜(3),反射膜(4),具有尖端的芯片(5),分钟 在芯片(5)的尖端的开口(6)和用于将光(H)从光波导(2)的光输入/输出端(8)引向微小开口的反射镜(7) 6)。

    SYSTEM FOR SCANNING PROBE MICROSCOPY APPLICATIONS AND METHOD FOR OBTAINING SAID SYSTEM

    公开(公告)号:WO2020053358A1

    公开(公告)日:2020-03-19

    申请号:PCT/EP2019/074419

    申请日:2019-09-12

    Abstract: The invention relates to a system suitable for its use in scanning probe microscopy, such as tip-enhanced Raman spectroscopy or magnetic force microscopy, that comprises: a tip (1) comprising an apex (1'); a plurality of nanoparticles (2, 2') attached to the tip (1); having a size between 0.5 and 100 nm. Advantageously, the plurality of nanoparticles (2, 2') comprises a cluster (2") of one or more nanoparticles (2') disposed at the apex (T) of the tip (1), wherein the cluster (2") is spaced from any other nanoparticle (2) of the tip (1) at least a distance d of 0.5 nm. The invention also relates to a method for obtaining such system through a controlled thermal treatment that exploits the intrinsic properties of nanoparticles.

    APERTURE IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND THE PRODUCTION AND USE THEREOF
    9.
    发明申请
    APERTURE IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND THE PRODUCTION AND USE THEREOF 审中-公开
    孔径的半导体材料和生产光圈和使用

    公开(公告)号:WO00015544A1

    公开(公告)日:2000-03-23

    申请号:PCT/EP1999/006685

    申请日:1999-09-10

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) mit folgenden Schritten beschrieben: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (14), beispielsweise eines (100)-orientierten Siliziumwafers mit einer Oberfläche (16) und einer Unterfläche (18), Erzeugen einer Vertiefung (20) mit einer Seitenwand (22) in der Oberfläche (16) des Halbleiterwafers (14) durch partielles Anätzen der Oberfläche (16), wobei die Vertiefung (20) einen der Unterfläche (18) zugewandten, geschlossenen Bodenbereich (24) bevorzugt mit insbesondere einer konvexen oder insbesondere einer konkaven Ecke oder Kante oder dergleichen Krümmung aufweist. Nach Aufbringen einer Oxidschicht (26) auf dem Halbleitermaterial (12) wenigstens im Bereich der Vertiefung (20) durch Oxidation des Halbleitermaterials (12), wobei die Oxidschicht (26) im Bodenbereich (24) bevorzugt eine Inhomogenität (28) aufweist, wird das Halbleitermaterial (14) an der Unterfläche (18) des Halbleiterwafers (14) selektiv bis zum Freilegen wenigstens der im Bodenbereich (24) befindlichen Oxidschicht (26) rückgeätzt. Anschliessend wird die freigelegte Oxidschicht (26) bis wenigstens zu deren Durchtrennung angeätzt. Weiterhin sind auch eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) sowie verschiedene Verwendungen einer solchen Apertur (10) beschrieben.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在半导体材料内孔(10)(12)的制造包括以下步骤:准备一个半导体晶片(14),例如,具有上表面(100)取向的硅晶片(16 )和下表面(18); 通过部分地蚀刻所述上表面(16),由此所述腔(20)包括一封闭的底部区域(24制造具有在所述半导体晶片(14)的上表面(16)的侧壁(22)的空腔(20) )面向下表面(18)和其优选地具有,尤其是凸形或,特别地,凹角或边缘或这种类型的曲率。 氧化物层(26)上的半导体材料(12)至少在所述空腔(20)的区域中由半导体材料(12),氧化沉积后由此氧化物层(26)优选的不均匀性包括:(28) 的底部区域(24),半导体材料(14)被选择性地蚀刻背面的半导体晶片(14)的下表面(18)上,直到至少位于所述底部区域中的氧化层(26)(24)被暴露 , 然后,暴露的氧化层(26)进行蚀刻,直到它被至少切断。 此外,本发明涉及在半导体材料内孔(10)(12)的爱尤其产生雅丁到本发明的方法,和向寻求孔(10)的不同的用途。

    OPTICAL WAVEGUIDE PROBE AND ITS MANUFACTURING METHOD
    10.
    发明申请
    OPTICAL WAVEGUIDE PROBE AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    光波探测器及其制造方法

    公开(公告)号:WO99031514A1

    公开(公告)日:1999-06-24

    申请号:PCT/JP1998/005664

    申请日:1998-12-15

    Abstract: An optical waveguide probe which is formed into a hook shape by a manufacturing method using a silicon process and which emits a light from its tip for detection, comprising an optical waveguide (1) which is formed into a hook shape, the probe needle part (5) of which is sharpened and which is made of dielectric, and a board (2) supporting the optical waveguide (1) laminated on the board (2). The optical waveguide (1) is composed of a core (8) through which a light is transmitted and a cladding (9) whose refractive index is smaller than that of the core (8).

    Abstract translation: 一种光波导探针,其通过使用硅工艺的制造方法形成为钩状,并且从其顶端发射光以进行检测,包括形成为钩形的光波导(1),探针针部 5),其由电介质构成,并且支撑层叠在基板(2)上的光波导(1)的基板(2)。 光波导(1)由透射光的芯(8)和折射率小于芯(8)的折射率的包层(9)组成。

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