公开(公告)号：WO2018046350A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：PCT/EP2017/071630

申请日：2017-08-29

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH

Inventor： MARSOLLEK, Pascal ,  ZWEERING, Ralf ,  WITHALM, Martin

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/00

CPC classification number: G03F7/70891 ,  G02B5/006 ,  G02B7/005 ,  G03F7/7025 ,  G03F7/70825

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein optisches System (200), insbesondere Lithographieanlage (100A, 100B), aufweisend einen Strahlengang (216), ein Blendenelement (218, 218-1, 218-2), welches dazu eingerichtet ist, einen Teil des Strahlengangs (216) abzudecken, eine Positioniereinrichtung (220), welche dazu eingerichtet ist, das Blendenelement (218, 218-1, 218-2) in Richtung (x, y, z, R x , R y , R z ) zumindest eines Freiheitsgrads zu positionieren, eine Sensoreinrichtung (224), welche dazu eingerichtet ist, eine Position des Blendenelements (218, 218- 1, 218-2) in Richtung (x, y, z, R x , R y , R z ) des zumindest einen Freiheitsgrads zu erfassen, und eine Steuereinrichtung (226), welche dazu eingerichtet ist, die Positioniereinrichtung (220) in Abhängigkeit von der erfassten Position des Blendenelements (218, 218-1, 218-2) zur Positionierung desselben in Richtung (x, y, z, R x , R y , R z ) des zumindest einen Freiheitsgrads anzusteuern.

Abstract translation:

本发明提供一种光学系统（200），特别是光刻系统（100A，100B），其包括一个光路（216），隔膜元件（218，218-1，218-2），这是为了 被布置成覆盖所述光束路径（216），其适于将所述孔径元件（218，218-1，218-2）的定位装置（220）的一部分（在方向X，Y，Z，R <子> X ，R <子>ý，至少一个自由度的位置r <子>ž），其适于将所述孔径元件（218的位置的传感器装置（224），218 - 1，218-2）（在方向X，Y，Z，R <子> X ，R <子>ÿ自由的至少一个度，R <子>ž） 检测和控制装置（226），其依赖BEAR依赖适于所述定位装置（220）上的孔元件（218，218-1，218-2）的检测到的位置在方向上定位（X，Y ，z，R _{，，， RZ ）至少有一个自由度。}

公开(公告)号：WO2012055833A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：PCT/EP2011/068587

申请日：2011-10-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  POLESEL, Jerôme

Inventor： POLESEL, Jerôme

IPC: G03F7/20 ,  G02B15/14 ,  G02B21/02

CPC classification number: G03F7/7055 ,  G02B15/163 ,  G02B21/0016 ,  G02B21/025 ,  G02B21/06 ,  G02B21/082 ,  G02B21/086 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/7025

Abstract: L'invention concerne un dispositif de projection homothétique d'un motif à la surface d'un échantillon (21) comportant une zone photosensible. Le dispositif comporte des moyens permettant de projeter un motif à la surface de l'échantillon et un système optique (12) permettant de contrôler de façon continue l'étendue du motif projeté à la surface de l'échantillon. L'invention concerne également un procédé de photolithographie utilisant un tel dispositif de projection, ainsi qu'un procédé de transformation d'un microscope optique en un tel dispositif de projection, ainsi qu'un kit de transformation d'un microscope optique en un tel dispositif de projection.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将图案均匀地投影到包含感光区的样品（21）的表面上的装置。 该装置包括允许将图案投影到样品的表面上的装置，以及允许连续控制投影在样品表面上的图案尺寸的光学系统（12）。 本发明还涉及使用这种投影装置的光刻方法，以及将光学显微镜转换成这种投影装置的方法和试剂盒。

公开(公告)号：WO2011095209A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：PCT/EP2010/051303

申请日：2010-02-03

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  GÖHNERMEIER, Aksel ,  FIOLKA, Damian ,  GRUNER, Toralf

Inventor： GÖHNERMEIER, Aksel ,  FIOLKA, Damian ,  GRUNER, Toralf

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7025 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70566

Abstract: Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600) mit einer Beleuchtungseinrichtung (601) und einem Projektionsobjektiv (602), wobei die Beleuchtungseinrichtung (601) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (602) eine Objektebene OP des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene (W) abbildet, wobei die Beleuchtung der Objektebene mit linear polarisiertem Licht erfolgt, dessen Wellenlänge kleiner als 15 Nanometer (nm) ist, und wobei das Projektionsobjektiv wenigstens eine Pupille (110, 210, 310, 410, 510) aufweist, wobei wenigstens eine Begrenzungslinie dieser Pupille eine von einer Kreisform abweichende Geometrie aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及具有照明装置（601）以及投影透镜（602），其中所述照明装置（601）照射所述投射物镜的物平面OP中的投影曝光装置（602）的操作的微光刻投射曝光设备（600）和在该对象平面上的投影透镜（图像平面 W）映射，其中，所述物体面的照明与直线偏振光的波长是小于15纳米（nm），并且其中，所述投射物镜中，至少一个光瞳（110，210，310，410，510），所述进行至少一个边界线 此光瞳的形状从圆形形状的几何形状偏离。

公开(公告)号：WO2010091840A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/EP2010/000795

申请日：2010-02-10

Applicant: CARL ZEISS SMT AG ,  MANN, Hans-Jürgen ,  SHAFER, David

Inventor： MANN, Hans-Jürgen ,  SHAFER, David

IPC: G03F7/20 ,  G02B17/06

CPC classification number: G03F7/70233 ,  G02B17/0647 ,  G02B17/0652 ,  G02B17/0663 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/7025

Abstract: An imaging optical system (7) has a plurality of mirrors (Ml to M6), which via a beam path for imaging light (3) image an object field (4) in an object plane (5) into an image field (8) in an image plane (9). The imaging optical system (7) has an exit pupil obscuration. At least one of the mirrors (Ml to M4) has no opening for passage of the imaging light (3). The fourth last mirror (M3) in the beam path is concave. Result is an imaging optical system having improved imaging properties without compromise in throughput.

Abstract translation: 成像光学系统（7）具有多个反射镜（M1至M6），其经由用于成像光的光束路径（3）将物平面（5）中的物场（4）成像为图像场（8） 在图像平面（9）中。 成像光学系统（7）具有出射光瞳遮蔽。 至少一个反射镜（M1至M4）没有用于成像光（3）通过的开口。 光束路径中的第四个后视镜（M3）是凹的。 结果是成像光学系统具有改进的成像特性，而不会影响生产量。

公开(公告)号：WO2006131242A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/EP2006/005168

申请日：2006-05-31

Applicant: CARL ZEISS SMT AG ,  KAISER, Winfried ,  ULRICH, Wilhelm ,  FELDMANN, Heiko ,  DODOC, Aurelian

Inventor： KAISER, Winfried ,  ULRICH, Wilhelm ,  FELDMANN, Heiko ,  DODOC, Aurelian

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/70066 ,  G03F7/7025

Abstract: In the case of a projection exposure method for exposing substrates, arranged in the region of an image plane of a projection objective, with at least one image of a pattern, arranged in the region of an object plane of the projection objective, of a mask, a first exposure configuration is optionally set for exposing a substrate given a first image-side numerical aperture NA1 in a first image field with a first image field size IFS1, or a second exposure configuration is optionally set for exposing substrates given a second image-side numerical aperture NA2, differing from the first image-side numerical aperture NA1, in a second image field with a second image field size IFS2 differing from the first image field size.

Abstract translation: 在曝光基板的投影曝光方法的情况下，其布置在投影物镜的像面的区域中，具有布置在投影物镜的物平面的区域中的图案的至少一个图像的掩模 可选地，第一曝光配置被设置用于在具有第一图像场尺寸IFS1的第一图像场中暴露给定第一图像侧数值孔径NA1的基板，或者可选地设置第二曝光配置以曝光给定第二图像 - 在与第一图像场尺寸不同的第二图像场尺寸IFS2的第二图像场中，与第一图像侧数值孔径NA1不同的边侧数值孔径NA2。

公开(公告)号：WO2006094729A2

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：PCT/EP2006/002005

申请日：2006-03-04

Applicant: CARL ZEISS SMT AG ,  MANN, Hans-Jürgen

Inventor： MANN, Hans-Jürgen

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70058 ,  G02B17/0647 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/7025 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/708

Abstract: The invention relates to a microlithography projection lens for wavelengths ≤ 248 nm ≤, preferably ≤ 193 mm, in particular EUV lithography for wavelengths ranging from 1 - 30 nm for imaging an object field in an object plane onto an image field in an image plane, the microlithography projection lens developed in such a manner that provision is made for an accessible diaphragm plane, into which for instance an iris diaphragm can be introduced.

Abstract translation: 本发明涉及用于波长= 248nm =，优选= 193mm的微光刻投影透镜，特别是用于波长范围为1至30nm的EUV光刻，用于将物平面中的物场成像到图像平面中的图像场上， 该微光刻投影透镜以对可访问的光阑平面进行设置的方式展开，其中可以引入例如虹膜光阑。

公开(公告)号：WO2019048191A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/EP2018/071944

申请日：2018-08-13

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH

Inventor： DEUFEL, Peter ,  XALTER, Stefan ,  KULITZKI, Viktor

IPC: G03F7/20 ,  G02B17/06

CPC classification number: G03F7/7025 ,  G02B5/005 ,  G02B5/0891 ,  G02B7/003 ,  G02B27/108 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70825

Abstract: Offenbart wird ein optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit einem ersten Spiegel (202), einem zweiten Spiegel (206), der einen Strahlengang (204) zusammen mit dem ersten Spiegel (202) definiert und ferner einen Durchbruch (208) aufweist, wobei das optische System (200) dazu eingerichtet ist, dass Arbeitslicht (210) durch den Durchbruch (208) auf den ersten Spiegel (202) fällt, wobei Arbeitslicht (210) von dem ersten Spiegel (202) auf den zweiten Spiegel (206) und von dem zweiten Spiegel (206) zu einem Zielobjekt (212) reflektierbar ist, einer Obskurationsblende (222), welche innerhalb des Strahlengangs (204) zwischen dem ersten Spiegel (202) und dem zweiten Spiegel (206) angeordnet ist, und einer Aperturblende (224), welche ein erstes Aperturblendensegment (226) und ein zweites Aperturblendensegment (228) aufweist, wobei das erste Aperturblendensegment (226) dazu eingerichtet ist, teilumfänglich Arbeitslicht (210), das von dem ersten Spiegel (202) zu dem zweiten Spiegel (206) reflektierbar ist, und das zweite Aperturblendensegment (228) dazu eingerichtet ist, teilumfänglich Arbeitslicht (210), das von dem zweiten Spiegel (206) zu dem Zielobjekt (212) reflektierbar ist, abzuschatten, wobei das erste Aperturblendensegment (226) und das zweite Aperturblendensegment (228) in Richtung (R1) von dem ersten Spiegel (202) zu dem zweiten Spiegel (206) beabstandet voneinander sind.

公开(公告)号：WO2013158543A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/US2013/036582

申请日：2013-04-15

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

Inventor： GUO, Lingjie Jay

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7025 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/133548 ,  G03F7/24 ,  G03F7/30 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549

Abstract: Methods of micro- and nano-patterning substrates to form transparent conductive electrode structures or polarizers by continuous near-field optical nanolithography methods using a roll-type photomask or phase-shift mask are provided. In such methods, a near-field optical nanolithography technique uses a phase-shift or photo-mask roller that comprises a rigid patterned externally exposed surface that transfers a pattern to an underlying substrate. The roller device may have an internally disposed radiation source that generates radiation that passes through the rigid patterned surface to the substrate during the patterning process. Sub-wavelength resolution is achieved using near-field exposure of photoresist material through the cylindrical rigid phase-mask, allowing dynamic and high throughput continuous patterning.

Abstract translation: 提供了通过使用辊式光掩模或相移掩模的连续近场光学纳米光刻方法来形成透明导电电极结构或偏振器的微型和纳米图案化衬底的方法。 在这种方法中，近场光学纳米光刻技术使用相移或光掩模辊，其包括将图案转移到下面的基底的刚性图案化外露表面。 辊装置可以具有内部设置的辐射源，其在图案化过程期间产生通过刚性图案化表面到基底的辐射。 使用光致抗蚀剂材料通过圆柱形刚性相位掩模的近场曝光来实现亚波长分辨率，允许动态和高通量的连续图案化。

公开(公告)号：WO2012123000A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：PCT/EP2011/001264

申请日：2011-03-15

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  BITTNER, Boris ,  VON HODENBERG, Martin ,  SCHNEIDER, Sonja

Inventor： BITTNER, Boris ,  VON HODENBERG, Martin ,  SCHNEIDER, Sonja

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/708 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/7025 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70891

Abstract: A method of operating a microlithographic projection exposure apparatus comprising the steps of : providing an illumination system (12) having an illumination pupil plane (38); providing a projection objective (18) having an objective pupil plane (58), which is optically conjugate to the illumination pupil plane (38); providing a mask (14) containing structures (15); determining a target spatial irradiance distribution of projection light (28) in the illumination pupil plane (38); illuminating a portion of the mask (14) with projection light that produces in the illumination pupil plane (38) a modified spatial irradiance distribution, wherein there is an excess area (70) in the illumination pupil plane which is irradiated in the modified spatial irradiance distribution, but is not irradiated in the target spatial irradiance distribution; and stopping those light rays (36c), which pass the excess area (70) in the illumination pupil plane (38), from reaching a light sensitive surface (20) by using a stop (66; 166; 266) that is arranged in the projection pupil plane (58).

Abstract translation: 一种操作微光刻投影曝光装置的方法，包括以下步骤：提供具有照明光瞳平面（38）的照明系统（12）; 提供具有与所述照明光瞳平面（38）光学共轭的物镜光瞳平面（58）的投影物镜（18）。 提供包含结构（15）的掩模（14）; 确定所述照明光瞳平面（38）中的投影光（28）的目标空间辐照度分布; 用在照明光瞳平面（38）中产生的改变的空间辐照度分布的投影光照射面罩（14）的一部分，其中在照明光瞳平面中存在以修改的空间辐照度照射的多余面积（70） 分布，但不照射在目标空间辐照度分布中; 并且使通过所述照明光瞳平面（38）中的所述多余区域（70）的那些光线（36c）通过使用布置在所述光阑（66; 166; 266）中的光阑（66; 166; 266）而到达感光表面 投影光瞳平面（58）。

公开(公告)号：WO2012028303A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/004373

申请日：2011-08-31

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  MANN, Hans-Jürgen ,  LÖRING, Ulrich ,  LAYH, Michael ,  RUOFF, Johannes

Inventor： MANN, Hans-Jürgen ,  LÖRING, Ulrich ,  LAYH, Michael ,  RUOFF, Johannes

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7025 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70216

Abstract: Optical system for EUV projection microlithography comprising lighting optics (4) for illuminating a lighting field (5) in a reticle plane (6) comprising at least one facet mirror (18) with a plurality of facet elements (24) for producing different light channels, wherein by means of the light channels a specific lighting setting (25) of the lighting field (5) can be produced, and a projection optics (9) for projecting the lighting field (5) along a projection direction (27) into an image field (10) in an image plane (11) with at least one first obscuration (30; 42) wherein the first obscuration is arranged in a first position relative to the projection direction (27), and wherein the first obscuration (30; 42) and the lighting setting (25) are adjusted to one another such that an intensity of at least one predetermined order of diffraction of an image of at least of one light channel of the lighting setting (25) in the region of the first position has a maximum intensity I max and a limit intensity I lim max , and the area in which the intensity of the order of movement is greater than the limit intensity I lim , and the area of the first obscuration (30; 42) are non-overlapping.

Abstract translation: 用于EUV投影微光刻的光学系统，包括用于照亮标线板平面（6）中的照明场（5）的照明光学器件（4），其包括具有多个小面元件（24）的至少一个小面反射镜（18），用于产生不同的光通道 ，其中通过所述光通道可以产生所述照明场（5）的特定照明设置（25），以及用于将所述照明场（5）沿着投影方向（27）投影到投影光学元件（9）中的投影光学元件（9） 在具有至少一个第一遮蔽（30; 42）的图像平面（11）中的图像场（10），其中所述第一遮挡被布置在相对于所述投影方向（27）的第一位置，并且其中所述第一遮蔽（30; 42）和照明设置（25）彼此调节，使得在第一位置的区域中至少一个照明设置（25）的一个光通道的图像的至少一个预定的衍射次数的强度 具有最大强度Imax和li 最大强度Ilim max，以及运动顺序强度大于极限强度Ilim的面积，以及第一遮蔽面积（30; 42）是不重叠的。