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    ＮＴＣサーミスタ磁器、及びＮＴＣサーミスタ磁器の製造方法、並びにＮＴＣサーミスタ
    2.
    发明申请
    ＮＴＣサーミスタ磁器、及びＮＴＣサーミスタ磁器の製造方法、並びにＮＴＣサーミスタ 审中-公开
    NTC热敏电阻器，生产NTC热敏电阻器的工艺和NTC热敏电阻器

    公开(公告)号：WO2009119681A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：PCT/JP2009/055989

    申请日：2009-03-25

    Applicant: 株式会社 村田製作所 ,  古戸 聖浩 ,  熊取谷 誠人

    Inventor： 古戸 聖浩 ,  熊取谷 誠人

    IPC: H01C7/04 ,  H01C17/22

    CPC classification number: H01C7/043 ,  H01C17/06533 ,  H01C17/06553 ,  H01C17/30

    Abstract: 　磁器本体１は、（Ｍｎ，Ｎｉ） ３ Ｏ ４ 系、又は（Ｍｎ，Ｃｏ） ３ Ｏ ４ 系のセラミック材料からなる。第１の相２はスピネル構造を有し、第２の相３は高抵抗の板状結晶からなる。第２の相３は、第１の相中２に分散して存在する。磁器本体１の表面は、レーザ照射により熱印加されて所定パターンの熱印加路４を形成している。この熱印加路４では、第２の相３が消滅し第１の相１と結晶構造的に一体化されている。第２の相３の板状結晶は、焼成工程の降温過程で８００°C又はそれ以下の温度域で析出する。熱印加路４を形成することによりＮＴＣサーミスタの抵抗値の調整が容易になる。これにより焼結後においても抵抗値を容易に低く調整することが可能なＮＴＣサーミスタ磁器、その製造方法、及びＮＴＣサーミスタを実現する。

    Abstract translation: 公开了一种NTC热敏电阻瓷器。 还公开了制造NTC热敏电阻瓷器和NTC热敏电阻的工艺。 NTC热敏电阻瓷器包括由（Mn，Ni）3 O 4型或（Mn，Co）3 O 4型的陶瓷材料形成的瓷体（1）。 构成瓷体（1）的陶瓷材料具有尖晶石结构的第一相（2）和具有高电阻的板状晶体的第二相（3）。 第二相（3）在第一相（2）中以分散状态存在。 瓷体（1）的表面具有通过施加由激光束照射产生的热量而形成的具有预定图案的热施加路径（4）。 在热施加路径（4）中，第二相（3）消失，并且与第一相（2）的晶体结构相结合。 第二阶段（3）中的平板晶体在烧制步骤中的降温过程中在800℃或更低的温度区域中沉淀。 热施加路径（4）的形成有助于调节NTC热敏电阻的电阻值。 上述结构可以实现即使在烧结之后也可以容易地将电阻调节到低值的NTC热敏电阻瓷。

    抵抗器
    3.
    发明申请
    抵抗器 审中-公开
    RESISTOR

    公开(公告)号：WO2003073442A1

    公开(公告)日：2003-09-04

    申请号：PCT/JP2003/002322

    申请日：2003-02-28

    Applicant: 小島化学薬品株式会社 ,  西野 敦 ,  進藤 泰宏 ,  須藤 泰博 ,  岩崎 正雄

    Inventor： 西野 敦 ,  進藤 泰宏 ,  須藤 泰博 ,  岩崎 正雄

    IPC: H01C7/00

    CPC classification number: C04B41/5022 ,  C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/16 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/86 ,  C04B41/90 ,  C04B2111/00844 ,  H01B1/20 ,  H01C7/003 ,  H01C7/023 ,  H01C7/043 ,  H01C7/06 ,  H01C17/06533 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/5072 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5116 ,  C04B35/10

    Abstract: A resistor of excellent acid resistance that enables one-time simultaneous firing of three layers of electrode part, resistance element part and surface coat part and contributes toward global environment is obtained by nonleading a thick-film resistance element paste for resistor. In particular, a resistor provided with substrate (1), resistance element (3), electrode (2) connected to the resistance element (3) and precoat (4) covering the resistance element (3) is produced by using in the formation of resistance element a thick-film resistance element paste comprising, as main components, conductive powder, glass frit and an organic vehicle wherein the glass frit is composed of, in terms of weight ratio, 1% or less of an alkali metal, 10 to 30% of Bi2O3, 25 to 40% of SiO2, 30 to 40% of BaO, 5 to 7% of ZnO, 4 to 7% of Al2O3 and 0.01 to 8% of B2O3 and does not contain PbO.

    Abstract translation: 通过不粘合用于电阻器的厚膜电阻元件膏，可获得具有优异耐酸性的电阻器，其能够一次同时烧制三层电极部件，电阻元件部件和表面涂层部件，并且对全局环境有贡献。 特别地，在形成基板（1），电阻元件（3），与电阻元件（3）连接的电极（2））和覆盖电阻元件（3）的预涂层（4）的电阻器 电阻元件，包括作为主要成分的导电粉末，玻璃料和有机载体的厚膜电阻元件糊料，其中所述玻璃料由重量比1％或更少的碱金属组成，10至30 的Bi 2 O 3，25〜40％的SiO 2，30〜40％的BaO，5〜7％的ZnO，4〜7％的Al 2 O 3和0.01〜8的B 2 O 3，并且不含有PbO。

    THIN FILM NTC THERMISTOR
    5.
    发明申请
    THIN FILM NTC THERMISTOR 审中-公开
    薄膜NTC热敏电阻

    公开(公告)号：WO2002075751A1

    公开(公告)日：2002-09-26

    申请号：PCT/US2001/008899

    申请日：2001-03-20

    Applicant: VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. ,  KHAN, Javed

    Inventor： KHAN, Javed

    IPC: H01C7/04

    CPC classification number: H01C7/043 ,  H01C13/02 ,  H01C17/12

    Abstract: A thin film NTC thermistor having a thin film resistive element of a sputtered mixture of metal oxide film, the thin film resistant element having a negative temperature coefficient is disclosed. Another aspect of the present invention includes a product line of negative temperature coefficient thermistors having the same physical size, but varying value of resistances when at the same temperature. Another aspect of the invention includes a method of manufacturing a thin film negative temperature coefficient thermistor using thin film techniques.

    Abstract translation: 公开了一种具有金属氧化物膜的溅射混合物的薄膜电阻元件的薄膜NTC热敏电阻，该薄膜电阻元件具有负温度系数。 本发明的另一方面包括具有相同物理尺寸但在相同温度下电阻值变化的负温度系数热敏电阻的产品线。 本发明的另一方面包括使用薄膜技术制造薄膜负温度系数热敏电阻的方法。

    HIGHLY REACTIVE BARIUM CARBONATE
    6.
    发明申请
    HIGHLY REACTIVE BARIUM CARBONATE 审中-公开
    高活性碳酸钡

    公开(公告)号：WO0149609A2

    公开(公告)日：2001-07-12

    申请号：PCT/EP0013260

    申请日：2000-12-23

    Applicant: SOLVAY BARIUM STRONTIUM GMBH ,  KOEHLER KARL ,  PARK JAI WON ,  HARDINGHAUS FERDINAND ,  KUEHN ULRICH ,  BIASCI LUCA

    Inventor： KOEHLER KARL ,  PARK JAI WON ,  HARDINGHAUS FERDINAND ,  KUEHN ULRICH ,  BIASCI LUCA

    IPC: C01F11/18 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01G4/12 ,  C01F11/00

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01F11/188 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  H01C7/023 ,  H01C7/043 ,  H01G4/1209

    Abstract: The invention relates to a micronized barium carbonate, which is produced by adding an agent that impedes crystal growth, to a method for the production thereof, and to its use. Due to its extremely high reactivity, the produced micronized barium carbonate having a BET surface of at least 32 m /g is suited, in particular, for producing capacitors, thermistors and other oxide ceramic electrical components, which contain calcium oxide, barium oxide or strontium oxide, as well as for producing high-temperature superconductors. Ammonium salts or alkylammonium salts of carboxylic acids, which comprise a total of 3 to 12 C atoms as well as at least two COOH groups or at least 2 OH groups, e.g. salts of maleic acid or of citric acid are used as the agent that impedes crystal growth.

    Abstract translation: 描述了通过加入晶体生长抑制剂，其制备方法及其用途制备的微粉化碳酸钡。 通过的至少32米<2> / g的BET表面积所产生的微粉化的碳酸钡，是由于其非常高的反应性，特别是用于生产电容器，热敏电阻等氧化钙，氧化锶钡含有氧化氧化物陶瓷的电气部件以及高温超导体的。 作为结晶生长抑制剂是具有总共3至12个碳原子和至少两个-COOH基团或至少2个OH基团，z与羧酸铵或烷基铵盐。 作为使用的马来酸或柠檬酸的盐。

    KERAMISCHES BAUELEMENT MIT SCHUTZSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    KERAMISCHES BAUELEMENT MIT SCHUTZSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    随着对保护涂层方法陶瓷元件及其

    公开(公告)号：WO2014056654A1

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：PCT/EP2013/067165

    申请日：2013-08-16

    Applicant: EPCOS AG

    Inventor： URDL, Peter ,  KLOIBER, Gerald ,  KIRSTEN, Lutz

    IPC: H01C1/032 ,  H01C1/034 ,  H01C7/00

    CPC classification number: C04B41/4853 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/522 ,  C04B41/83 ,  C04B41/88 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  G01K7/22 ,  H01C1/032 ,  H01C1/034 ,  H01C1/1413 ,  H01C7/008 ,  H01C7/022 ,  H01C7/043 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31663

    Abstract: Herkömmliche keramische Bauelemente weisen unter Einsatzbedingungen mit zunehmender Einsatzzeit häufig eine Änderung ihrer spezifischen elektrischen Kenngrössen auf. Ursächlich kann der Kontakt des keramischen Grundkörpers mit Umgebungsmedien sein. Die vorliegende Erfindung gibt ein keramisches Bauelement mit einer inneren Schutzschicht und einer äusseren Schutzschicht zur Verkapselung des Bauelements sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung an. Die erfindungsgemässen Bauelemente weisen unter Einsatzbedingungen eine verbesserte Stabilität und Zuverlässigkeit hinsichtlich ihrer spezifischen elektrischen Kenngrössen auf und eignen sich beispielsweise als NTC-Thermistoren für Automotive-Anwendungen.

    Abstract translation: 随着操作时间的常的其特定的电气特性的变化的操作条件下现有的陶瓷组分显示。 陶瓷基体的接触与周围介质的原因可能是。 本发明提供了具有内部保护层和用于该装置的封装的外保护层和其制造方法的陶瓷组件。 的新颖装置具有操作条件在其特定电参数方面具有改进的稳定性和可靠性下，并且是适合于例如作为用于汽车应用的NTC热敏电阻。

    ＮＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物およびＮＴＣサーミスタ
    8.
    发明申请
    ＮＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物およびＮＴＣサーミスタ 审中-公开
    NTC热敏电阻和NTC热敏电阻的半导体陶瓷组合物

    公开(公告)号：WO2011086850A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：PCT/JP2010/073682

    申请日：2010-12-28

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  三上 三知

    Inventor： 三上　三知

    IPC: C04B35/00 ,  H01C7/04

    CPC classification number: H01C7/043 ,  C04B35/016 ,  C04B35/265 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/96 ,  H01C1/148 ,  H01C7/18

    Abstract: 　焼成温度依存性が低く、かつ抵抗調整操作後の抵抗値のばらつきを小さくすることができ、また、高温環境下での抵抗変動を小さくすることができる、ＮＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物を提供する。　ＮＴＣサーミスタ１の部品本体２を構成するために用いられる半導体磁器組成物であって、Ｍｎ、ＮｉおよびＦｅを含み、ＭｎとＮｉとを合わせて１００モル％としたときのそれぞれの元素のモル比率は、Ｍｎが７０～８０モル％、Ｎｉが２０～３０モル％であり、かつ、ＭｎとＮｉとの総モル量を１００モル部としたとき、Ｆｅの含有量が１５モル部以上かつ２５モル部以下である。好ましくは、ＭｎとＮｉとの総モル量を１００モル部としたとき、Ｃｏを２モル部以上かつ４０モル部以下の範囲でさらに含有する。

    Abstract translation: 公开了一种用于NTC热敏电阻的半导体陶瓷组合物，其对烧制温度的依赖性低，能够在电阻调节操作之后减小电阻值的波动，并且还能够降低高温环境下的电阻变化。 具体公开了可用于制造NTC热敏电阻（1）的组分主体（2）的半导体陶瓷组合物，其包含Mn，Ni和Fe，其中Mn和Ni的摩尔比为70至80mol ％和20〜30摩尔％，相对于总摩尔量（100摩尔％）的Mn和Ni，Fe的含量相对于总摩尔量为15〜25摩尔％（100重量份 摩尔）Mn和Ni。 优选地，Co相对于Mn和Ni的总摩尔量（100摩尔摩尔），另外含有2〜40份（摩尔）含量。

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