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    METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING, USING, AND INDICATING ION BEAM WORKING PROPERTIES
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DETERMINING, USING, AND INDICATING ION BEAM WORKING PROPERTIES 审中-公开
    用于确定，使用和指示离子束工作特性的方法和装置

    公开(公告)号：WO2016061175A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：PCT/US2015/055444

    申请日：2015-10-14

    申请人： HUNT, John Andrew ,  COYLE, Steven Thomas ,  HASSEL-SHEARER, Michael Patrick ,  HOSMAN, Thijs C.

    发明人： HUNT, John Andrew ,  COYLE, Steven Thomas ,  HASSEL-SHEARER, Michael Patrick ,  HOSMAN, Thijs C.

    IPC分类号： H01J37/20

    CPC分类号： H01J37/243 ,  G01N1/44 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/3151 ,  H01J2237/316

    摘要： Disclosed are methods and apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties in an apparatus that performs ion beam sample preparation and coating. A beam probe may be used to measure one or more working properties of a portion of the ion beam, generating a probe signal in a known relationship to the one or more working properties. The beam probe may generate a signal in a known relationship to one or more properties of a sputtered coating reaching a sample. The ion beam apparatus may modulate one or more characteristics of the ion beam in response to receiving a signal from the beam probe. The probe signal may be used in the ion beam apparatus to indicate one or more ion beam working properties. Related apparatus and methods also permit the measurement of the known relationship between probe signal and ion beam working properties.

    摘要翻译： 公开了用于在执行离子束样品制备和涂覆的装置中确定，使用和指示离子束工作特性的方法和装置。 光束探测器可用于测量离子束的一部分的一个或多个工作特性，产生与一个或多个工作特性已知关系的探测信号。 光束探测器可以产生与已达到样品的溅射涂层的一个或多个特性有已知关系的信号。 离子束装置可以响应于接收来自束探针的信号而调制离子束的一个或多个特性。 探针信号可以用于离子束装置中以指示一个或多个离子束工作特性。 相关的装置和方法还允许测量探测信号和离子束工作特性之间的已知关系。

    電子線源、該電子線源を用いた電子線照射装置及びＸ線管、該Ｘ線管が配置されたＸ線照射装置、並びに電子線源の製造方法
    5.
    发明申请
    電子線源、該電子線源を用いた電子線照射装置及びＸ線管、該Ｘ線管が配置されたＸ線照射装置、並びに電子線源の製造方法 审中-公开
    使用电子束光源的电子束光源，电子束辐射器和X射线管，X射线管安装的X射线辐射器，以及制造电子束源的方法

    公开(公告)号：WO2009060762A1

    公开(公告)日：2009-05-14

    申请号：PCT/JP2008/069553

    申请日：2008-10-28

    申请人： 浜松ホトニクス株式会社 ,  河合 浩司

    发明人： 河合 浩司

    IPC分类号： H01J37/06 ,  G21K1/00 ,  G21K5/04 ,  H01J1/15 ,  H01J1/16 ,  H01J9/04 ,  H01J35/06

    CPC分类号： H01J1/14 ,  H01J1/15 ,  H01J9/04 ,  H01J37/065 ,  H01J2235/06 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/31

    摘要： 　本発明は、電子線照射装置、Ｘ線照射装置、電子顕微鏡等の線源として用いられる電子線源及びその製造方法に関する。 カソード（１５３）は、タングステンで形成された給電部材（１５８）と、タンタルで形成された線材である電子放出部材（１５９）と、を備えている。また、隣接する電子放出部材（１５９）の外周面が互いに接触するように、電子放出部材（１５９）が給電部材（１５８）に巻き回されている。また、タンタルを含む合金からなる線材を、タングステンを含む合金からなる基材に当該基材が覆われるように巻き回し、複合構造体を形成する。そして、複合構造体の線材に炭化処理を施すことで、基材を給電部材として形成すると共に線材を電子放出部材として形成する。

    摘要翻译： 公开了电子束照射器，X射线照射器，用作电子显微镜的光束源的电子束源等，以及这种电子束源的制造方法。 阴极（153）具有由钨形成的供电部件（158）和作为由钽形成的线的电子发射部件（159）。 电子发射部件159围绕供电部件158缠绕，使得邻接的电子发射部件159的外周面彼此接触。 由含有钽的合金构成的线缠绕在由含有钨的合金构成的基材上，以覆盖基材，从而形成复合结构。 最后，在复合结构的导线上进行碳化，由此将基材形成为电源部件，并将电线形成为电子发射部件。

    METHOD AND SYSTEM FOR CONTINUOUS LARGE-AREA SCANNING IMPLANTATION PROCESS
    6.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR CONTINUOUS LARGE-AREA SCANNING IMPLANTATION PROCESS 审中-公开
    连续大面积扫描植入过程的方法与系统

    公开(公告)号：WO2008014339A2

    公开(公告)日：2008-01-31

    申请号：PCT/US2007/074352

    申请日：2007-07-25

    申请人： SILICON GENESIS CORPORATION ,  HENLEY, Francois, J.

    发明人： HENLEY, Francois, J.

    IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/677

    CPC分类号： H01L21/67754 ,  H01J37/185 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/30 ,  H01J2237/31 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method for manufacturing doped substrates using a continuous large area scanning implantation process is disclosed. In one embodiment, the method includes providing a movable track member. The movable track member is provided in a chamber. The chamber includes an inlet and an outlet. In a specific embodiment, the movable track member can include one or more rollers, air bearings, belt member, and/or movable beam member to provide one or more substrates for a scanning process. The method may also include providing a first substrate. The first substrate includes a first plurality of tiles. The method maintains the first substrate including the first plurality of tiles in a vacuum. The method includes transferring the first substrate including the first plurality of tiles from the inlet port onto the movable track member. The first plurality of tiles are subjected to a scanning implant process. The method also includes maintaining a second substrate including a second plurality of tiles in the vacuum. The method includes transferring the second substrate including a second plurality of tiles from the inlet port onto the movable track member. The method includes subjecting the second plurality of tiles to an implant process using the scanning implant process.

    摘要翻译： 公开了一种使用连续大面积扫描注入工艺制造掺杂衬底的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供可移动轨道构件。 可移动轨道构件设置在腔室中。 该室包括入口和出口。 在具体实施例中，可移动轨道构件可以包括一个或多个辊，空气轴承，带构件和/或可移动梁构件，以提供用于扫描过程的一个或多个基板。 该方法还可以包括提供第一衬底。 第一基板包括第一多个瓦片。 该方法在真空中保持包括第一多个瓦片的第一基板。 该方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动轨道构件上。 对第一多个瓷砖进行扫描注入工艺。 该方法还包括在真空中维持包括第二多个瓦片的第二基板。 该方法包括将包括第二多个瓦片的第二基板从入口传送到可移动轨道构件上。 该方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓷砖进行植入工艺。

    ELECTRON BEAM GUN WITH GROUNDED SHIELD TO PREVENT ARC DOWN
    7.
    发明申请
    ELECTRON BEAM GUN WITH GROUNDED SHIELD TO PREVENT ARC DOWN 审中-公开
    电子束枪接地防护罩防止掉电

    公开(公告)号：WO1993018538A1

    公开(公告)日：1993-09-16

    申请号：PCT/US1993001830

    申请日：1993-02-26

    申请人： HANKS, Charles, W.

    IPC分类号： H01J37/305

    CPC分类号： H01J37/241 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/31

    摘要： A grounded metallic shield (31) which comprises an electrode enclosing the filament leads (21, 22) and emitters (26, 27) of an e-Gun in a high vacuum chamber (11) of the type used in melting and casting metals and other materials and evaporation sources. The shield is spaced from the filament leads and emitters a distance in the order of the electron mean free path for the pressure uses within the high vacuum chamber. The structure and method of use thereof suppresses or eliminates arc-downs or glow discharges.

    WORKPIECE PROCESSING TECHNIQUE
    8.
    发明申请
    WORKPIECE PROCESSING TECHNIQUE 审中-公开
    工件加工技术

    公开(公告)号：WO2017003864A1

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：PCT/US2016/039259

    申请日：2016-06-24

    申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

    发明人： EVANS, Morgan D. ,  ANGLIN, Kevin ,  BANDY, Ross

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L21/28506 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    摘要： Methods for processing of a workpiece are disclosed. The actual rate at which different portions of an ion beam can process a workpiece, referred to as the processing rate profile, is determined by measuring the amount of material removed from, or added to, a workpiece by the ion beam as a function of ion beam position. An initial thickness profile of a workpiece to be processed is determined. Based on the initial thickness profile, a target thickness profile, and the processing rate profile of the ion beam, a first set of processing parameters are determined. The workpiece is then processed using this first set of processing parameters. In some embodiments, an updated thickness profile is determined after the first process and a second set of processing parameters are determined. A second process is performed using the second set of processing parameters. Optimizations to improve throughput are also disclosed.

    摘要翻译： 公开了加工工件的方法。 离子束的不同部分可以处理工件的实际速率（称为加工速率曲线）通过测量离子束作为离子的函数从工件移除或添加到工件中的量来确定 光束位置。 确定要处理的工件的初始厚度分布。 基于初始厚度分布，目标厚度分布和离子束的处理速率分布，确定第一组处理参数。 然后使用该第一组处理参数处理工件。 在一些实施例中，在第一过程和第二组处理参数被确定之后确定更新的厚度分布。 使用第二组处理参数来执行第二处理。 还公开了提高吞吐量的优化。