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    ３次元造形装置、３次元造形装置の制御方法および３次元造形装置の制御プログラム
    1.
    发明申请
    ３次元造形装置、３次元造形装置の制御方法および３次元造形装置の制御プログラム 审中-公开
    三维造型装置，三维造型装置的控制方法，

    公开(公告)号：WO2017126073A1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：PCT/JP2016/051656

    申请日：2016-01-21

    Applicant: 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構

    Inventor： 後藤　和也

    IPC: H01J37/30 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  H01J37/305

    CPC classification number: B22F3/105 ,  B22F3/1055 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2003/1057 ,  B33Y30/00 ,  B33Y40/00 ,  B33Y50/02 ,  C22B9/228 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/305

    Abstract: 電子ビームにより粉体を走査する３次元造形装置において、粉体の過度な蒸発を防止する。　３次元造形装置（１００）は、電子ビーム（１０７）を偏向させる主偏向器（１０３）と、前記電子ビーム（１０７）を偏向させ、前記主偏向器（１０３）よりも偏向範囲が狭く、走査速度が速い副偏向器（１０８）と、前記主偏向器（１０３）及び前記副偏向器（１０８）による偏向方向及び走査速度を制御する制御手段（１１２，１１３）と、を備え、前記主偏向器（１０３）は、前記副偏向器（１０８）の偏向範囲を移動させ、前記副偏向器（１０８）は、前記偏向範囲内において、前記電子ビーム（１０７）により走査および照射する領域である小領域を所定回数に分けて多重に走査かつ照射する。

    Abstract translation: 防止在通过电子束扫描粉末的三维模型设备中粉末过度蒸发。 3-d建模装置（100），用于偏转电子束（107）和（103）的主偏转，所述偏转所述电子束（107），所述主偏转器（103）更窄的偏转范围比扫描 以及控制装置（112,113），用于通过所述主偏转器（103）和所述副偏转器（108）控制偏转方向和扫描速度，其中所述主偏转 容器（103），所述移动的副偏转器（108）的偏转范围，所述在所述偏转范围子偏转器（108）是用于扫描和照射所述电子束（107）小的区域 通过划分预定次数来扫描和照射区域多次。

    荷電粒子線装置、電子顕微鏡および試料の観察方法
    2.
    发明申请
    荷電粒子線装置、電子顕微鏡および試料の観察方法 审中-公开
    充电颗粒光束装置，电子显微镜和样品观测方法

    公开(公告)号：WO2016075759A1

    公开(公告)日：2016-05-19

    申请号：PCT/JP2014/079861

    申请日：2014-11-11

    Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

    Inventor： 大八木　敏行 ,  四辻　貴文 ,  長沖　功

    IPC: H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22

    CPC classification number: H01J37/261 ,  G01N1/28 ,  H01J37/026 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/206 ,  H01J2237/2065

    Abstract: 　試料を変化させるための条件の制約が少なく、比較的簡単な構成で精度の高い試料のその場観察が可能な電子顕微鏡を提供する。　試料を支持する試料ホルダー（３４）と、前記試料ホルダー（３４）上の試料に対し電子線を照射し、前記試料上で前記電子線を走査する第１の光学系と、当該電子線の照射により前記試料から放出される二次電子或いは前記試料を透過する透過電子を検出する電子検出部と、前記試料ホルダー（３４）、前記第１の光学系、前記電子検出部を真空に保持する第１の真空室と、前記電子検出部の出力に基づき、前記試料の顕微鏡像を表示する表示部と、前記試料ホルダーおよび前記第１の光学系の動作を制御する制御部と、を有する電子顕微鏡であって、前記電子顕微鏡は、前記第１の真空室とは異なる第２の真空室（３０）と、前記第２の真空室（３０）に設けられ、前記第１の光学系とは異なる第２の光学系（３３）と、を備え、前記第２の光学系（３３）と前記制御部は、相互に通信可能に接続されており、前記第２の真空室（３０）は、前記試料ホルダー（３４）上の試料の状態を変える状態可変手段（３５）を備えることを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明提供一种电子显微镜，其对于改变样品的条件的限制较少，能够以相对简单的结构对样品进行准确的原位观察。 电子显微镜设有：保持样品的样品架（34） 第一光学系统，其用电子束照射样品保持器（34）上的样品，并用电子束扫描样品; 电子检测单元，其检测由于电子束的照射或透过样品的透射电子而从样品中排出的二次电子; 第一真空室，其在真空气氛中保持所述样品保持器（34），所述第一光学系统和所述电子检测单元; 显示单元，其基于来自电子检测单元的输出显示样本的微观图像; 以及控制单元，其控制样品保持器和第一光学系统的操作。 该电子显微镜设置有与第一真空室不同的第二真空室（30）和设置在第二真空室（30）中并且与第一光学系统不同的第二光学系统（33）。 第二光学系统（33）和控制单元被连接以能够相互通信，并且第二真空室（30）设置有状态改变装置（35），其改变样本保持器上的样本的状态 34）。

    電子ビーム照射装置
    3.
    发明申请
    電子ビーム照射装置 审中-公开
    电子束辐照器件

    公开(公告)号：WO2014156170A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/JP2014/001796

    申请日：2014-03-27

    Applicant: 国立大学法人東北大学

    Inventor： 宮口　裕

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G21K5/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/305

    CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J37/063 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31784

    Abstract: 　電子ビーム照射装置のスループットを向上させる並列度を高め、露光の精度を高めた電子ビーム発生装置を提供すること。　第１の態様においては、複数の電子ビームによる描画パターンを対象物に照射する電子ビーム照射装置であって、複数の電子ビームを出力する複数の電子ビーム発生源が配列された面電子ビーム源と、複数の電子ビーム発生源のそれぞれの電子ビーム出力時間を調整する制御部とを備える電子ビーム照射装置を提供する。

    Abstract translation: 提供一种具有增加的并联度的电子束产生装置，其增加电子束照射装置的生产量，并且具有增加的曝光精度。 本发明的第一实施例提供一种电子束照射装置，其通过多个电子束照射到目标物体上的绘图图形，并包括：具有多个电子束产生源的平面电子束源，其输出多个 的电子束; 以及控制单元，其调整所述多个电子束产生源中的每一个的电子束输出时间。

    METHOD FOR HIGH YIELD RETICLE FORMATION
    5.
    发明申请
    METHOD FOR HIGH YIELD RETICLE FORMATION 审中-公开
    高产量成因方法

    公开(公告)号：WO02029491A1

    公开(公告)日：2002-04-11

    申请号：PCT/US2000/035653

    申请日：2000-12-30

    IPC: G03F1/62 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  H01J37/302 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

    CPC classification number: H01J37/3023 ,  G03F1/36 ,  H01J2237/31769

    Abstract: A system and method for optimizing the production of lithography reticles involves identifying "proximity effect halos" around tight tolerance features in an IC layout data file. Features and defects outside the halos will not have a significant effect on the printing of the tight tolerance features. During reticle formation, the tight tolerance features and associated halos can be carefully written and inspected to ensure accuracy while the other portions of the reticle can be written/inspected less stringently for efficiency. The halo width can be determined empirically or can be estimated by process modeling. If an electron beam tool is used to write the reticle, a small spot size can be used to expose the tight tolerance features and the halos, whereas a large spot size can be used to expose the remainder of the reticle. A reticle production system can include a computer to read an IC layout data file, identify tight tolerance features, and define proximity effect halos. Tight tolerance features can be individually selected or automatically flagged according to user specifications. A graphical user interface can be provided to enable user input and control. The reticle production system can be coupled to a remote IC layout database through a LAN or a WAN. The reticle production system can be coupled to directly send a reticle data file to a reticle-writing tool.

    Abstract translation: 用于优化光刻光罩的生产的系统和方法涉及在IC布局数据文件中识别紧密公差特征之外的“接近效应光晕”。 光晕外的特征和缺陷对打印紧公差特征不会产生显着影响。 在标线形成期间，可以仔细地写入和检查紧密公差特征和相关光晕，以确保准确度，同时不要严格地对掩模版的其他部分进行写入/检查以获得效率。 光晕宽度可以凭经验确定，也可以通过过程建模来估计。 如果使用电子束工具来写入光罩，则可以使用小的光斑尺寸来暴露紧公差特征和光晕，而可以使用大的光斑尺寸来露出掩模版的其余部分。 标线制作系统可包括计算机读取IC布局数据文件，识别紧密公差特征，并定义邻近效应光晕。 可以根据用户规格单独选择或自动标记紧公差特性。 可以提供图形用户界面，以便用户输入和控制。 光罩生产系统可以通过LAN或WAN耦合到远程IC布局数据库。 光栅制作系统可以耦合以将掩模版数据文件直接发送到掩模版书写工具。

    VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINER WIRKUNG EINES PARTIKELSTRAHLS IN EINEM MATERIAL
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINER WIRKUNG EINES PARTIKELSTRAHLS IN EINEM MATERIAL 审中-公开
    一种用于确定粒子束的作用在材料中

    公开(公告)号：WO2010121822A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：PCT/EP2010/002495

    申请日：2010-04-23

    Applicant: GSI HELMHOLTZZENTRUM FÜR SCHWERIONENFORSCHUNG GMBH ,  SCHOLZ, Michael ,  ELSÄSSER, Thilo

    Inventor： SCHOLZ, Michael ,  ELSÄSSER, Thilo

    IPC: A61N5/10

    CPC classification number: A61N5/1031 ,  A61N2005/1034 ,  A61N2005/1087 ,  G21K1/10 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/316

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung einer Wirkung eines Partikelstrahls (34a) in einem zu mindest teilweise bestrahlten oder zu bestrahlenden Material, wobei aus zumindest einem Parameter, der den Partikelstrahl (34a) charakterisiert, und aus zumindest einer Eigenschaft des Materials, die Wirkung des Partikelstrahls in dem Material zumindest teilweise auf Basis einer mikroskopischen Schadenskorrelation bestimmt wird. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zur Bestrahlungsplanung für ein Zielvolumen (44) und ein Verfahren zur Bestrahlung eines Zielvolumens (44) mit einem Partikelstrahl (34a). Die Erfindung betrifft ausserdem eine Bestrahlungsvorrichtung (30,66) mit mindestens einer Strahlmodifikationseinrichtung (32,70), die eine Einheit aufweist, insbesondere eine aktive Strahlmodifikationseinrichtung (32) und/oder eine passive Strahlmodifikationseinrichtung (70), die zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens (200) eingerichtet ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于在确定粒子束（34A）的作用，以至少部分地照射或照射的材料，其表征粒子束（34A）的至少一个参数，并且所述材料的至少一个特性，的效果的 粒子束以基于微观损伤相关的材料至少部分地确定的。 本发明还涉及用于治疗规划目标体积（44）和用于照射粒子射线（34A）的目标体积（44）的方法相应的方法。 本发明还涉及一种照射装置（30,66）与至少一个光束改变装置（32,70），其包括一个单元，特别是有源光束修改装置（32）和/或被动束修改装置（70）（用于执行本发明方法 200）被布置。

    REDUCED IMPLANT VOLTAGE DURING ION IMPLANTATION
    8.
    发明申请
    REDUCED IMPLANT VOLTAGE DURING ION IMPLANTATION 审中-公开
    离子植入期间减少的植入电压

    公开(公告)号：WO2010042494A2

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：PCT/US2009059667

    申请日：2009-10-06

    Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  HATEM CHRISTOPHER R ,  GODET LUDOVIC

    Inventor： HATEM CHRISTOPHER R ,  GODET LUDOVIC

    IPC: H01L21/265

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

    Abstract: A method for ion implantation is disclosed which includes decreasing the implant energy level as the implant process is ongoing. In this way, either a box-like profile or a profile with higher retained dose can be achieved, enabling enhanced activation at the same junction depth. In one embodiment, the initial implant energy is used to implant about 25% of the dose. The implant energy level is then reduced and an additional 50% of the dose is implanted. The implant energy is subsequently decreased again and the remainder of the dose is implanted. The initial portion of the dose can optionally be performed at cold, such as cryogenic temperatures, to maximize amorphization of the substrate.

    Abstract translation: 公开了一种用于离子注入的方法，其包括当植入过程正在进行时降低植入能量水平。 以这种方式，可以实现具有更高保留剂量的盒状轮廓或轮廓，使得能够在相同的结深处增强激活。 在一个实施例中，初始植入能量用于植入约25％的剂量。 然后植入能量水平降低，另外50％的剂量被植入。 随后植入能量再次减少，并且植入其余的剂量。 剂量的初始部分可以任选地在冷的温度下进行，例如低温，以使底物的非晶化最大化。

    荷電粒子ビーム装置
    9.
    发明申请
    荷電粒子ビーム装置 审中-公开
    充电颗粒光束装置

    公开(公告)号：WO2008023558A1

    公开(公告)日：2008-02-28

    申请号：PCT/JP2007/065236

    申请日：2007-08-03

    Applicant: エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 ,  小川 貴志

    Inventor： 小川 貴志

    IPC: H01J37/12 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/026 ,  H01J37/153 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/1202 ,  H01J2237/1534 ,  H01J2237/31749

    Abstract: A charged particle beam apparatus capable of applying a charged particle beam to a specimen with a reduced aberration and without causing electric discharge even when gas is introduced onto the surface of the specimen. A charged particle beam apparatus (1) comprises a charged particle source (9) for emitting a charged particle beam (I), correcting/deflecting means (19) for correcting/deflecting the charged particle beam (I), a charged particle beam optical system (11) having an objective (16) composed of two outer electrodes (16a, 16b) and at least one intermediate electrode (16c) interposed between the outer electrodes (16a, 16b) the three arranged in the application direction and used for converging the charged particle beam (I) and applying it to a specimen (M), and an objective control power supply (36) for applying a voltage to the intermediate electrode (16c) to cause a positive or negative potential difference with respect to the outer electrodes (16a, 16b) by changing the voltage.

    Abstract translation: 一种带电粒子束装置，其能够将具有降低的像差的带电粒子束施加到样本，并且即使当气体被引入到样本的表面上也不引起放电。 带电粒子束装置（1）包括用于发射带电粒子束（I）的带电粒子源（9），用于校正/偏转带电粒子束（I）的校正/偏转装置（19），带电粒子束光 系统（11）具有由两个外部电极（16a，16b）构成的物镜（16）和插入在外部电极（16a，16b）之间的至少一个中间电极（16c），该两个外部电极沿着应用方向布置并用于会聚 带电粒子束（I）并将其施加到样本（M）上;以及物镜控制电源（36），用于向中间电极（16c）施加电压以引起相对于外部电极的正或负电位差 电极（16a，16b）通过改变电压。

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