公开(公告)号：WO2014049696A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/JP2012/074626

申请日：2012-09-26

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  寺島 知秀 ,  吉浦 康博 ,  大月 詠子

Inventor： 寺島　知秀 ,  吉浦　康博 ,  大月　詠子

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/30 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/317 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/68

Abstract: 　本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、複数の被処理物を、第１トレイの上と、該第１トレイと接する第２トレイの上に並べる工程と、該第１トレイと該第２トレイが接する接触位置の直上に形成された照射装置から照射物を放出しつつ、該照射装置を該接触位置を横断する方向である第１の方向に沿ってスイングさせ、該第１トレイと該第２トレイを該第１の方向と垂直をなす第２の方向に移動させることで該複数の被処理物に該照射物を照射することを複数回繰り返す複数の照射工程と、該複数の照射工程の間に少なくとも１回実施される、該第１トレイと該第２トレイの該第２の方向に向かう向きを変更せずに該第１トレイと該第２トレイの位置を入れ替える入替工程と、を備える。

Abstract translation: 该半导体器件制造方法具有：将待处理的多个被处理物体设置在与第一托盘接触的第一托盘和第二托盘上的步骤; 多个照射步骤，其中，在从第一托盘和第二托盘彼此接触的接触位置正上方形成的照射装置排出照射材料的同时，照射装置在第一方向上摆动，即， 方向穿过接触位置，并且第一托盘和第二托盘在垂直于第一方向的第二方向上移动，从而使被照射材料多次重复照射的被摄体; 以及在照射步骤之间至少执行一次并且其中第一托盘和第二托盘的位置被互换而不改变第一托盘和第二托盘的移动方向的交换步骤，所述方向为 第二个方向。

公开(公告)号：WO2006133309A3

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：PCT/US2006022164

申请日：2006-06-07

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

Inventor： GUPTA ATUL ,  OLSON JOSEPH C

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1507 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26586

Abstract: A technique for ion beam angle spread control is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for ion beam angle spread control. The method may comprise directing one or more ion beams at a substrate surface at two or more different incident angles, thereby exposing the substrate surface to a controlled spread of ion beam incident angles.

Abstract translation: 公开了一种用于离子束角度扩展控制的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于离子束角度扩展控制的方法。 该方法可以包括以两个或更多个不同的入射角度在衬底表面处引导一个或多个离子束，从而将衬底表面暴露于受控的离子束入射角扩散。

公开(公告)号：WO2006025968A2

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：PCT/US2005/025906

申请日：2005-07-21

Applicant: MOORE, Thomas, M.

Inventor： MOORE, Thomas, M.

IPC: G21K7/00

CPC classification number: H01J37/3178 ,  G21K7/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/30411 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/31744

Abstract: We disclose a gas injection system having at least one crucible, each crucible holding at least one deposition constituent; at least one transfer tube, the number of transfer tubes corresponding to the number of crucibles, each transfer tube being connected to a corresponding crucible. There is at least one metering valve, the number of metering valves corresponding to the number of transfer tubes, each metering valve being connected to a corresponding transfer tube so that the metering valve can measure and adjust vapor flow in the corresponding transfer tube. A sensor is provided capable of sensing reactions between deposition constituents and a focused ion beam A computer is connected to receive the output of the sensor; the computer is also connected to each metering valve to control the operation of the valve, and the computer is programmed to send control signals to each metering valve to control the operation of the valve; the control signals being computed responsive to feedback from the output of the sensor.

Abstract translation: 我们公开了具有至少一个坩埚的气体注入系统，每个坩埚保持至少一个沉积成分; 至少一个传送管，传送管的数量对应于坩埚的数量，每个传送管连接到相应的坩埚。 存在至少一个计量阀，计量阀的数量对应于转移管的数量，每个计量阀连接到相应的转移管，使得计量阀可以测量和调节相应的转移管中的蒸气流。 提供能够感测沉积成分和聚焦离子束之间的反应的传感器。计算机被连接以接收传感器的输出; 计算机还连接到每个计量阀以控制阀的操作，并且计算机被编程为向每个计量阀发送控制信号以控制阀的操作; 响应于来自传感器的输出的反馈来计算控制信号。

公开(公告)号：WO2005042141A3

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/DE2004002436

申请日：2004-10-29

Applicant: ROTH & RAU AG ,  MAI JOACHIM ,  ROTH DIETMAR ,  RAU BERND ,  DITTRICH KARL-HEINZ

Inventor： MAI JOACHIM ,  ROTH DIETMAR ,  RAU BERND ,  DITTRICH KARL-HEINZ

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/2067 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31774

Abstract: The invention relates to a method and device for ion beam processing of surfaces, whereby the substrate is positioned facing an ion beam and a new technologically-defined pattern of properties is established. According to said method, the current geometrical effect pattern of the ion beam on the surface (15) of the substrate (8) is adjusted depending on the known pattern of properties and the new technologically-defined pattern of properties and depending on the progress of the processing, by modifying the beam characteristic and/or by pulsing the ion beam. Said device comprises a substrate support, for holding at least one substrate (8), which can be moved along an Y-axis (4) and an X-axis (6) and an ion beam source (1), for generating an ion beam which is perpendicular to the surface (15) to be processed of the substrate (8) in the Z-axis (11) or which may be arranged in an axis, inclined in relation to the Z-axis. The distance between the ion beam source (1) and the surface (15) to be processed of the substrate (8) may be fixed or variable.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于表面的离子束处理的方法和装置，其中，相对于离子束，并形成一个新的技术定义的特征图案的基板位置。 根据该方法，在衬底（8）的表面（15）上的离子束的电流几何效应图案在所述已知属性模式和新的技术定义的属性模式依赖性，以及在由和/或通过脉冲离子束改变光束特性的过程进度依赖性调节。 该装置包括用于支撑至少一个基片（8）中的Y轴（4）和X轴（6）的可移动的基板支撑件，以及一个离子束源（1），用于产生离子束被加工和垂直于 在Z轴（11）的基板（8）的表面（15）是或者可以被布置在一个倾斜于Z轴。 从基板（8）的编辑表面（15）的离子束源（1）之间的距离可以是固定的或可变的。

公开(公告)号：WO2005042141A2

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：PCT/DE2004/002436

申请日：2004-10-29

Applicant: ROTH & RAU AG ,  MAI, Joachim ,  ROTH, Dietmar ,  RAU, Bernd ,  DITTRICH, Karl-Heinz

Inventor： MAI, Joachim ,  ROTH, Dietmar ,  RAU, Bernd ,  DITTRICH, Karl-Heinz

IPC: B01J

CPC classification number: H01J37/3053 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/2067 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31774

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberflächen, bei denen das Substrat gegenüber einem Ionenstrahl positioniert und ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster ausgebildet wird. Verfahrensgemäß wird das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionenstrahls auf der Oberfläche (15) des Substrates (8) in Abhängigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters und des neuen technologisch definierten Eigenschaftsmusters sowie in Abhängigkeit des Verfahrensfortschrittes durch Veränderung der Strahlcharakteristik und/oder durch Pulsung des Ionenstrahles eingestellt. Die Vorrichtung umfasst einen Substratträger zur Halterung mindestens eines Substrates (8), der in einer Y-Achse (4) und einer X-Achse (6) bewegt werden kann sowie eine Ionenstrahlquelle (1) zur Erzeugung eines Ionenstrahls, der senkrecht zur zu bearbeitenden Oberfläche (15) des Substrates (8) in der Z-Achse (11) steht oder in einem zur Z-Achse geneigten Achse angeordnet werden kann. Der Abstand der Ionenstrahlquelle (1) von der zu bearbeiten Oberfläche (15) des Substrates (8) kann fest oder veränderlich sein.

Abstract translation:

本发明涉及一种用于表面＆AUML的离子束处理的方法和装置;陈，在其上形成对定位在离子束和新的技术定义的特征图案导航用途的基片。 Verfahrensgem＆AUML;大街 在已知的属性模式和新的技术定义的属性模式的依赖性BEAR依赖性基板（8）的表面BEAR表面（15）上的离子束的电流几何效果图案，以及在通过所述光束特性和/或通过版BEAR变化的过程进展依赖BEAR依赖 离子束的脉动被设定。 该装置包括一个Substrattr BEAR可以用于保持至少一个衬底（8）中的Y轴（4）和X轴（6）和用于产生离子束的离子束源（1）中，在垂直于移动GER 待在Z轴（11）中加工基板（8）的表面（15）或者可以布置在相对于Z轴倾斜的轴上。 离子束源（1）与待处理的衬底（8）的表面（15）的距离可以是固定的或可变的。

公开(公告)号：WO2003032360A1

公开(公告)日：2003-04-17

申请号：PCT/JP2002/010277

申请日：2002-10-02

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  MOTOI, Taiko ,  UENO, Rie

Inventor： MOTOI, Taiko ,  UENO, Rie

IPC: H01J37/20

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: The invention provides a cross section evaluating apparatus capable of analyzing the cross sectional structure in a state where the temperature of the specimen is regulated. There is disclosed an information acquisition apparatus comprising a stage for placing the specimen, temperature regulation means for regulating the temperature of the specimen, exposure means for exposing a surface, of which information is desired, of the specimen, and information acquisition means for acquiring information relating to the surface exposed by the exposure means.

Abstract translation: 本发明提供一种横截面评价装置，其能够在调节试样的温度的状态下分析截面结构。 公开了一种信息获取装置，包括用于放置样本的台，用于调节样本的温度的温度调节装置，用于暴露样本的信息的表面的曝光装置，以及用于获取信息的信息获取装置 涉及由曝光装置暴露的表面。

公开(公告)号：WO00062324A2

公开(公告)日：2000-10-19

申请号：PCT/US2000/010038

申请日：2000-04-12

IPC: G03F7/20 ,  G06F19/00 ,  H01J20060101 ,  H01J37/147 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30461

Abstract: An electron beam writing system includes an electron beam patterning machine operable to emit an electron beam to form a pattern on a substrate. A computer control system, coupled to the electron beam patterning machine, has a plurality of pre-computed distortion maps. Each distortion map describes expected distortions of the substrate caused by bulk heating resulting from exposure to the electron beam. The computer control system controls the electron beam patterning machine using the distortion maps in order to adjust for the expected distortions.

Abstract translation: 电子束写入系统包括可操作以发射电子束以在衬底上形成图案的电子束图案形成机。 耦合到电子束图案机的计算机控制系统具有多个预先计算的失真图。 每个失真图描述了由于暴露于电子束而产生的体积加热引起的基板的预期失真。 计算机控制系统使用失真图来控制电子束图形机，以便对预期的失真进行调整。

公开(公告)号：WO2014148096A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/JP2014/051308

申请日：2014-01-22

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 大川　洋平 ,  小澤　英則

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/30455

Abstract: 　荷電粒子線の照射位置を正確に補正し、描画パターンの位置精度を向上させることができる荷電粒子線照射位置の補正プログラム、荷電粒子線照射位置の補正量演算装置、荷電粒子線照射システム、荷電粒子線の照射位置補正方法を提供する。　電子ビームの照射位置の補正プログラムは、制御部２２を、レジストの帯電をレジストＲ及びマスク基板Ｍの界面における面電荷であると置き換え、置き換えた面電荷の電荷密度分布を演算する電荷密度分布演算手段と、電荷密度分布に基づいて荷電粒子の軌道を演算する軌道演算手段と、荷電粒子の軌道に基づいて電子ビームの照射位置の誤差量を演算する誤差量演算手段と、誤差量に基づいて電子ビームの照射位置の補正量を演算する照射位置補正量演算手段として機能させることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供了一种用于校正带电粒子辐射位置的程序，用于计算带电粒子辐射位置的校正程度的装置，带电粒子辐射系统以及用于校正带电粒子辐射位置的方法。 用于校正带电粒子辐射位置的程序能够精确地校正带电粒子辐射的位置，并提高绘图图案的位置精度。 在用于校正电子束辐射的位置的程序中，控制单元（22）用作：将抗蚀剂的充电替代为抗蚀剂界面中的表面电荷的电荷密度分布计算装置 （R）和掩模基板（M），并计算取代的表面电荷的电荷密度分布; 轨迹计算装置，其基于电荷密度分布计算带电粒子的轨迹; 误差量计算装置，其基于带电粒子的轨迹计算电子束辐射位置的误差量; 并且作为基于误差量计算电子束辐射位置的校正量的辐射位置校正量计算装置。

公开(公告)号：WO2012015474A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/US2011/001323

申请日：2011-07-27

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES INC. ,  SATOH, Shu

Inventor： SATOH, Shu

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

Abstract: A glitch duration threshold is determined based on an allowable dose uniformity, a number of passes of a workpiece through an ion beam, a translation velocity, and a beam size. A beam dropout checking routine repeatedly measures beam current during implantation. A beam dropout counter is reset each time beam current is sufficient. On a first observation of beam dropout, a counter is incremented and a position of the workpiece is recorded. On each succeeding measurement, the counter is incremented if beam dropout continues, or reset if beam is sufficient. Thus, the counter indicates a length of each dropout in a unit associated with the measurement interval. The implant routine stops only when the counter exceeds the glitch duration threshold and a repair routine is performed, comprising recalculating the glitch duration threshold based on one fewer translations of the workpiece through the beam, and performing the implant routine starting at the stored position.

Abstract translation: 基于允许的剂量均匀性，通过离子束的工件的通过次数，平移速度和光束尺寸来确定毛刺持续时间阈值。 光束离子检测程序在植入期间重复测量束电流。 每次射束电流足够时，光束压差计数器都被复位。 在第一次观察光束偏移时，计数器递增，并记录工件的位置。 在每次后续的测量中，如果光束失效继续，计数器就会增加，如果光束足够，则重置。 因此，计数器指示与测量间隔相关联的单元中的每个压差的长度。 只有当计数器超过毛刺持续时间阈值并且执行修复例程时，植入程序才停止，包括基于通过束的工件的一个较少的平移重新计算毛刺持续时间阈值，以及从存储位置开始执行注入程序。

公开(公告)号：WO2011139340A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/US2011/000735

申请日：2011-04-27

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES INC. ,  EISNER, Edward ,  VANDERBERG, Bo

Inventor： EISNER, Edward ,  VANDERBERG, Bo

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31703

Abstract: An ion implantation method and system for providing greater throughput is disclosed. An ion beam (112) is scanned across the surface of a workpiece at a first scan rate (V slowScan ) when a cross-sectional area of the ion beam is entirely impingent on the surface of the workpiece; and the first scan rate is increased to a second rate (V FastScan ) at a location (214) where a portion of the cross sectional area of the beam extends beyond the outer edge (140) of the workpiece. Some embodiments use a scan pattern where beam flux measurements are taken off-workpiece during actual implantation, and where the implantation routine can be changed in real-time to account for changes in beam flux.

Abstract translation: 公开了一种用于提供更大吞吐量的离子注入方法和系统。 当离子束的横截面积完全冲击在工件的表面上时，离子束（112）以第一扫描速率（VslowScan）横跨工件的表面扫描; 并且在位置（214）处的第一扫描速率增加到第二速率（VFastScan），其中梁的横截面积的一部分延伸超过工件的外边缘（140）。 一些实施例使用扫描模式，其中在实际植入期间将工件的光束通量测量值取消，并且其中可以实时改变注入程序以考虑光束通量的变化。