公开(公告)号：WO2014157321A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/058504

申请日：2014-03-26

Applicant: 芝浦メカトロニクス株式会社

Inventor： 出村　健介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32715 ,  G03F1/60 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/68757

Abstract: 　還元性ラジカルにより処理が行われる被処理基板を載置する載置台において、前記載置台は、平面視したときに前記被処理基板に覆われる載置面と、前記載置面に隣接する非載置面とを含み、前記非載置面は、少なくとも一部が還元性ラジカルと還元反応を起こさない材料で表面が覆われている。

Abstract translation: 本发明提供一种携带台架，其承载待进行处理的基板，借助于还原自由基来进行处理，并且其中所述承载台包括承载表面，所述载体表面在待处理基板 平面图和与承载表面相邻的不承载表面，并且至少一部分非承载表面的表面被还原反应不会由还原自由基引起的材料覆盖。

公开(公告)号：WO2003036708A1

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/JP2002/010798

申请日：2002-10-17

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  尾﨑 成則 ,  湯浅 珠樹

Inventor： 尾﨑 成則 ,  湯浅 珠樹

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32834

Abstract: A microwave plasma substrate processing device, comprising a processing container forming a processing space for plasma processing, a substrate holding stand installed in the processing space and holding a processed substrate, an exhaust passage formed between the processing container and the substrate holding stand so as to surround the substrate holding stand, an exhaust system connected to the processing container and exhausting gas in the processing space through the exhaust passage, a processing gas feed system for leading the processing gas into the processing space, a microwave window installed so as to face the processed substrate on the holding stand, formed of dielectric material, extending substantially parallel with the processed substrate, and forming a part of the outer wall of the processing container, and a microwave antenna connected to the microwave window, wherein at least a part of the processing space is covered with an insulating layer.

Abstract translation: 一种微波等离子体基板处理装置，包括形成等离子体处理用处理空间的处理容器，设置在处理空间中的保持处理基板的基板保持架，形成在处理容器与基板保持架之间的排气通路， 围绕基板保持架，连接到处理容器的排气系统，并且通过排气通道在处理空间中排出气体，用于将处理气体引导到处理空间的处理气体供给系统，安装成面向 由电介质材料形成的处理过的衬底，与处理过的衬底基本平行地延伸，并形成加工容器的外壁的一部分，以及连接到微波窗的微波天线，其中至少部分 处理空间被绝缘层覆盖。

公开(公告)号：WO2015106318A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/AU2015/050013

申请日：2015-01-15

Applicant: GALLIUM ENTERPRISES PTY LTD

Inventor： MANN, Ian ,  BARIK, Satyanarayan ,  WINTREBERT-FOUQUET, Marie ,  BROWN, Josh ,  DUNNIGAN, Paul

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32486 ,  H01J2237/3321

Abstract: A plasma generator is described which employs a partial PBN liner not only to minimise the loss of energetic gas species during film formation but also to reduce boron impurity levels introduced into the growing film relative to the use of a complete PBN liner. The use of such a plasma generator in a film forming apparatus and method of forming a film is also described.

Abstract translation: 描述了一种使用部分PBN衬垫的等离子体发生器，其不仅使成膜期间能量气体种类的损失最小化，而且还减少了相对于使用完整的PBN衬垫引入生长膜的硼杂质水平。 还描述了在成膜装置中使用这种等离子体发生器和形成膜的方法。

公开(公告)号：WO2008117832A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/JP2008/055763

申请日：2008-03-26

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 ,  石橋 啓次 ,  田中 雅彦 ,  熊谷 晃

Inventor： 石橋 啓次 ,  田中 雅彦 ,  熊谷 晃

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32486 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608

Abstract: 　基板処理装置は、真空処理容器と、導電性材料からなり、真空処理容器の内部を、プラズマを生成するための第１空間と、プラズマにより基板を処理する第２空間と、に分ける隔壁部と、第１空間に配されるプラズマ生成用の高周波電極と、第２空間に配され、前記基板を保持する基板保持機構と、を備え、隔壁部は、第１空間と第２空間とを連通する複数の貫通孔を有し、貫通孔は、導電性材料よりも再結合係数の高い被覆材により被覆されている。

Abstract translation: 基板处理装置设置有真空处理容器; 阻挡部，其由导电材料构成，并且在真空处理容器内分隔成用于产生等离子体的第一空间和用于通过等离子体处理衬底的第二空间; 布置在所述第一空间中用于产生等离子体的高频电极; 以及布置在所述第二空间中用于保持所述基板的基板保持机构。 阻挡部分具有连通第一空间和第二空间的多个通孔，并且通孔具有比导电材料高的复合系数的覆盖材料覆盖。