公开(公告)号：WO2014125898A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/051505

申请日：2014-01-24

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 寺地　誠喜 ,  西井　洸人 ,  渡邉　太一 ,  山本　祐輔 ,  河村　和典 ,  峯元　高志 ,  チャンタナ　ジャカパン

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  C01B19/04 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 　表面の酸化を抑制することができるＣＩＧＳ膜、およびそのＣＩＧＳ膜を用いて変換効率の低下とばらつきとを抑制したＣＩＧＳ太陽電池を提供する。そのＣＩＧＳ太陽電池の光吸収層として用いられるＣＩＧＳ膜は、その裏面から所定の第１厚み位置まで厚くなるにつれてＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が徐々に減少する第１領域と、この第１領域上から所定の第１厚み位置まで厚くなるにつれて上記Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が徐々に増加する第２領域とを有し、さらに、上記第２領域上に、表面に向かって上記Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比が徐々に減少する第３領域を有している。

Abstract translation: 提供了可以抑制表面氧化的CIGS膜，CIGS太阳能电池使用所述CIGS膜来最小化转换效率的降低和变化。 用作所述CIGS太阳能电池中的光吸收层的所述CIGS膜具有以下区域：Ga /（In + Ga）比率随着距离CIGS的底面的距离的增加而逐渐减小的第一区域 胶片，直到规定的第一厚度位置; 其中Ga /（In + Ga）比率随着距离第一区域的距离的增加而逐渐增加，直到规定的第二厚度方向位置的第二区域; 和Ga /（In + Ga）比从CIGS膜的第二区域的顶部逐渐减小到第三区域。

公开(公告)号：WO2014080639A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/JP2013/006909

申请日：2013-11-25

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 橋本　泰宏 ,  根上　卓之 ,  樋口　洋

IPC: H01L31/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03928 ,  Y02E10/541

Abstract: 　開示される太陽電池１０は、第１の電極層１２と、第２の電極層１５と、それらの間に配置されたｐ形半導体層１３と、ｐ形半導体層１３と第２の電極層１５との間に配置されたｎ形半導体層１４とを含む。ｐ形半導体層１３は、１１族元素、１３族元素、および１６族元素を含み、カルコパイライト構造を有する化合物半導体からなる。ｐ形半導体層１３は１３族元素としてＩｎおよびＧａを含む。ｐ形半導体層１３の厚さは０．５～０．７μｍの範囲にある。ｐ形半導体層１３におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）比は、ｎ形半導体層１４側から電極層１２側に向かって増加している。ｎ形半導体層１４側の主面における上記Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）比は０．２２５～０．３２５の範囲にある。電極層１２側の主面における上記Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）比は０．３７５～０．５４２の範囲にある。

Abstract translation: 该太阳能电池（10）包括设置在电极层之间的第一电极层（12），第二电极层（15），p型半导体层（13）和设置在电极层之间的n型半导体层（14） p型半导体层（13）和第二电极层（15）。 p型半导体层（13）包括11族元素​​，13族元素和16族元素，并且包含具有黄铜矿结构的化合物半导体。 p型半导体层（13）包括In和Ga作为第13族元素。 p型半导体层（13）的厚度在0.5〜0.7μm的范围内。 p型半导体层（13）中的Ga /（Ga + In）比从n型半导体层（14）向电极层（12）增加。 n型半导体层（14）的主表面的Ga /（Ga + In）比在0.225〜0.325的范围内。 电极层（12）的主面的Ga /（Ga + In）比在0.375〜0.542的范围内。

公开(公告)号：WO2013005427A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/JP2012/004327

申请日：2012-07-04

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  河野 哲夫

Inventor： 河野　哲夫

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02628 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02557 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】ＣＢＤ法によるバッファ層の成膜において、密着性の良好なバッファ層を、粒子状固形物の生成を抑制し、生産性良く製造する。 【解決手段】 【解決手段】基板（１０）上に、下部電極層（２０）と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層（３０）と、バッファ層（４０）と、透光性導電層（５０）が積層された光電変換素子（１，１'）におけるバッファ層（４０）の製造方法において、光電変換半導体層（３０）上に金属塩水和物を含む前駆体層（４０Ｒ）を塗布成膜する工程（Ａ）と、前駆体層（４０Ｒ）を不溶化処理する工程（Ｂ）と、不溶化処理された基板（１０）の少なくとも前駆体層（４０Ｐ）側の表面を、硫黄源を含むアルカリ性の反応液（Ｌ１，Ｌ２）に浸漬させて、バッファ層（４０）を化学浴析出法により形成する工程（Ｃ）とを備える。

Abstract translation: [问题]通过CBD法在抑制缓冲层成膜的同时抑制颗粒固体的产生，生产出具有良好粘附性的缓冲层。 [解决方案]一种在光电转换元件（1,1'）中制造缓冲层（40）的方法，其中主要由化合物半导体（1）组成的下电极层（20），光电转换半导体层（30） ，缓冲层（40）和透光性导电层（50）层叠在基板（10）上。 该方法包括：步骤（A），其中通过涂覆在光电转换半导体层（30）上形成含有金属盐水合物的前体层（40R）; 步骤（B），其中所述前体层（40R）不溶; 以及步骤（C），其中至少将不溶解基材（10）的前体层（40P）侧表面浸渍在含有硫源的碱性反应液（L1，L2）中，从而形成缓冲层（40 ）通过化学浴沉积法。

公开(公告)号：WO2012175761A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/ES2012/000133

申请日：2012-05-10

Applicant: UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID ,  ANTOLÍN FERNÁNDEZ, Elisa ,  MARTÍ VEGA, Antonio ,  LUQUE LÓPEZ, Antonio ,  RAMIRO GONZÁLEZ, Íñigo ,  GARCÍA-LINARES FONTES, Pablo

Inventor： ANTOLÍN FERNÁNDEZ, Elisa ,  MARTÍ VEGA, Antonio ,  LUQUE LÓPEZ, Antonio ,  RAMIRO GONZÁLEZ, Íñigo ,  GARCÍA-LINARES FONTES, Pablo

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/06 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia (3) consiste en una colección de puntos cuánticos (12) de un material semiconductor A inmersos en un volumen (13) de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos (12) se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa (3) de material de banda intermedia no presenta acumulación de tensión mecánica.

Abstract translation: 本发明涉及具有中间带的太阳能电池，所述中间带（3）由半导体材料A的量子点（12）的集合组成，浸没在另一半导体B的体积（13）中。材料A 其特征在于其具有岩盐型结晶结构，而材料B具有闪锌矿结构。 量子点（12）通过材料B中材料A的不混溶性产生。因此，可以以这样的方式选择具有非常相似的晶格常数的材料A和B的组合，使得中间带材料层（3） 没有机械应力的积累。

公开(公告)号：WO2012055737A2

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：PCT/EP2011/068254

申请日：2011-10-19

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  WANG, Kejia ,  SUPRATIK, Guha

Inventor： WANG, Kejia ,  SUPRATIK, Guha

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: A Kesterite film is vacuum deposited and annealed on a substrate. Deposition is conducted at low temperature to provide good composition control and efficient use of metals. Annealing is conducted at a high temperature for a short period of time. Thermal evaporation, E-beam evaporation or sputtering in a high vacuum environment may be employed as part of a deposition process.

Abstract translation: 将Kesterite膜真空沉积并在基材上退火。 在低温下进行沉积以提供良好的组成控制和金属的有效使用。 退火在很短的时间内在高温下进行。 在高真空环境中的热蒸发，电子束蒸发或溅射可以用作沉积工艺的一部分。

公开(公告)号：WO2011137216A3

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011034269

申请日：2011-04-28

Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC ,  BRYDEN TODD R ,  FENTON JEFFREY L JR ,  MITCHELL GARY E ,  THOMPSON KIRK R ,  MILLS MICHAEL E ,  PARRILLO DAVID J

Inventor： BRYDEN TODD R ,  FENTON JEFFREY L JR ,  MITCHELL GARY E ,  THOMPSON KIRK R ,  MILLS MICHAEL E ,  PARRILLO DAVID J

IPC: H01L31/0749 ,  C23C14/06 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention is a method of forming a cadmium sulfide based buffer on a copper chalcogenide based absorber in making a photovoltaic cell. The buffer is sputtered at relatively high pressures. The resulting cell has good efficiency and according to one embodiment is characterized by a narrow interface between the absorber and buffer layers. The buffer is further characterized according to a second embodiment by a relatively high oxygen content.

Abstract translation: 本发明是一种在制造光伏电池的同时在铜硫属元素化物系吸收体上形成硫化镉基缓冲剂的方法。 缓冲液在相对高的压力下溅射。 所得到的电池具有良好的效率，并且根据一个实施例的特征在于吸收体和缓冲层之间的窄界面。 根据第二实施方案，缓冲剂通过相对高的氧含量被进一步表征。

公开(公告)号：WO2016114895A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/US2015/066266

申请日：2015-12-17

Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

Inventor： HOLLARS, Dennis R. ,  PAULSON, Puthur ,  PERSON, Donald ,  WALL, Arthur C.

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C22C29/00 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L21/02568 ,  C22C29/00 ,  C22C32/0089 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/188 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  Y02E10/541

Abstract: The present invention provides methods to sputter deposit films comprising alkali metal compounds. At least one target comprising one or more alkali metal compounds and at least one metallic component is sputtered to form one or more corresponding sputtered films. The at least one target has an atomic ratio of the alkali metal compound to the at least one metallic component in the range from 15:85 to 85:15. The sputtered film(s) incorporating such alkali metal compounds are incorporated into a precursor structure also comprising one or more chalcogenide precursor films. The precursor structure is heated in the presence of at least one chalcogen to form a chalcogenide semiconductor. The resultant chalcogenide semiconductor comprises up to 2 atomic percent of alkali metal content, wherein at least a major portion of the alkali metal content of the resultant chalcogenide semiconductor is derived from the sputtered film(s) incorporating the alkali metal compound(s). The chalcogenide semiconductors are useful in microelectronic devices, including solar cells.

Abstract translation: 本发明提供溅射包含碱金属化合物的沉积膜的方法。 包含一种或多种碱金属化合物和至少一种金属成分的至少一种靶被溅射以形成一个或多个相应的溅射膜。 所述至少一种靶材的碱金属化合物与所述至少一种金属成分的原子比在15:85至85:15的范围内。 掺入这种碱金属化合物的溅射膜被并入还包含一种或多种硫族化物前体膜的前体结构中。 前体结构在至少一种硫属元素存在下被加热以形成硫族化物半导体。 所得到的硫属元素化物半导体含有至多2原子％的碱金属含量，其中所得硫族化物半导体的碱金属含量的至少大部分源自掺入碱金属化合物的溅射膜。 硫族化物半导体可用于微电子器件，包括太阳能电池。

公开(公告)号：WO2016032680A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/US2015/042913

申请日：2015-07-30

Applicant: KONICA MINOLTA LABORATORY U.S.A., INC.

Inventor： AMANO, Jun

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/18 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26

Abstract: A quantum well device includes a first layer of a first two-dimensional material, a second layer of a second two-dimensional material, and a third layer of a third two-dimensional material disposed between the first layer and second layer. The first layer, the second layer, and the third layer are adhered predominantly by van der Waals force.

Abstract translation: 量子阱器件包括第一二维材料的第一层，第二二维材料的第二层和设置在第一层和第二层之间的第三二维材料的第三层。 第一层，第二层和第三层主要由范德华力粘附。

公开(公告)号：WO2014028542A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/US2013/054806

申请日：2013-08-13

Applicant: HELIOVOLT CORPORATION

Inventor： SANG, Boasheng ,  LU, Dingyuan ,  MILLER, Roy Mark ,  MARTINEZ, Casiano R. ,  KIM, Minsik ,  MOON, Shang-Sup ,  STANBERY, Billy J.

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/1872

Abstract: A technique includes fabricating a layered precursor including: depositing a first film including a first indium gallium selenide compound on a substrate; then depositing a second film including a CuSe compound; then heating the substrate, the first film and the second film to convert the CuSe compound in the second film to a Cu 2-x Se (0.2=

Abstract translation: 一种技术包括制造层状前体，其包括：在基底上沉积包括第一铟镓硒化合物的第一膜; 然后沉积包含CuSe化合物的第二膜; 然后加热衬底，第一膜和第二膜，以将第二膜中的CuSe化合物转化为Cu2-xSe（0.2 =

公开(公告)号：WO2013160369A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/EP2013/058534

申请日：2013-04-24

Applicant: UNIVERSITÉ DU LUXEMBOURG ,  TDK CORPORATION ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： MOUSEL, Marina ,  REDINGER, Alex ,  SIEBENTRITT, Susanne

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing semiconductor thin films. In particular, it relates to the manufacturing of (Ag x Cu 1-x ) 2 ZnZ (S y Se 1-y ) 4 thin films, wherein x and y can be selected between 0 and 1 and wherein Z can be selected from Sn, Ge, Si, Pb. The method avoids the loss of Z during annealing, resulting in semiconductor material of a high quality.

Abstract translation: 本发明涉及半导体薄膜的制造方法。 特别涉及（AgxCu1-x）2ZnZ（SySe1-y）4薄膜的制造，其中x和y可以在0和1之间选择，其中Z可以选自Sn，Ge，Si，Pb。 该方法避免退火时Z的损失，导致半导体材料质量高。