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    カーボンナノチューブ集合体およびそれを用いた粘弾性体
    1.
    发明申请
    カーボンナノチューブ集合体およびそれを用いた粘弾性体 审中-公开
    碳纳米管组件和使用相同的粘弹体

    公开(公告)号：WO2013084580A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/JP2012/075980

    申请日：2012-10-05

    Applicant: 日東電工株式会社

    Inventor： 前野　洋平

    IPC: C01B31/02 ,  B01J23/745

    CPC classification number: B07B13/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/962 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/2918

    Abstract: 　タックが小さくて取り扱い性に優れ、特定の粒径の粒子を選択的に採取することが可能な粘弾性体の材料を提供する。また、そのような材料を用いた粘弾性体を提供する。　本発明のカーボンナノチューブ集合体は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下であり、該カーボンナノチューブの長さが１０μｍより大きい。また、本発明のカーボンナノチューブ集合体は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上であり、該カーボンナノチューブの長さが１０μｍより大きい。

    Abstract translation: 本发明提供一种具有很小的粘性和优异处理性的粘弹性体的材料，其能够选择性地选择具有规定粒径的颗粒。 还提供了使用这种材料的粘弹体。 该碳纳米管组件包括多个碳纳米管; 碳纳米管具有多个层; 碳纳米管层数分布的分布宽度至少为10层; 层数分布模式的相对频率不超过25％; 并且碳纳米管的长度大于10μm。 此外，该碳纳米管组件包括多个碳纳米管; 碳纳米管具有多个层; 碳纳米管层数分布的模式不超过10层; 所述模式的相对频率至少为30％; 并且碳纳米管的长度大于10μm。

    NANOTUBE TRANSISTOR AND RECTIFYING DEVICES
    3.
    发明申请
    NANOTUBE TRANSISTOR AND RECTIFYING DEVICES 审中-公开
    纳米晶体管和整流器件

    公开(公告)号：WO2006031981A2

    公开(公告)日：2006-03-23

    申请号：PCT/US2005032976

    申请日：2005-09-15

    Applicant: ATOMATE CORP ,  TOMBLER THOMAS W ,  LIM BRIAN Y

    Inventor： TOMBLER THOMAS W ,  LIM BRIAN Y

    IPC: H01L29/06

    CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/057 ,  Y10S257/90 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/962

    Abstract: Single-walled carbon nanotube transistor and rectifying devices, and associated methods of making such devices include a porous structure for the single-walled carbon nanotubes. The porous structure (1120) may be anodized aluminum oxide or another material. Electrodes for source (1140) and drain (1150) of a transistor are provided at opposite ends of the single-walled carbon nanotube devices. A gate region (1110) may be provided one end or both ends of the porous structure. The gate electrode may be formed into the porous structure. A transistor of the invention may be especially suited for power transistor or power amplifier applications.

    Abstract translation: 单壁碳纳米管晶体管和整流装置以及制造这种器件的相关方法包括用于单壁碳纳米管的多孔结构。 多孔结构（1120）可以是阳极化氧化铝或另一种材料。 晶体管的源极（1140）和漏极（1150）的电极设置在单壁碳纳米管器件的相对端。 可以在多孔结构的一端或两端设置浇口区域（1110）。 栅电极可以形成为多孔结构。 本发明的晶体管可以特别适用于功率晶体管或功率放大器应用。

    粒子吸着マイクロプローブ
    4.
    发明申请
    粒子吸着マイクロプローブ 审中-公开
    颗粒吸附微阵列

    公开(公告)号：WO2013191048A1

    公开(公告)日：2013-12-27

    申请号：PCT/JP2013/066184

    申请日：2013-06-12

    Applicant: 日東電工株式会社

    Inventor： 前野　洋平

    IPC: G01N1/00 ,  B82Y35/00 ,  C01B31/02

    CPC classification number: G01N1/04 ,  B82Y15/00 ,  G01N1/2214 ,  G01N1/405 ,  G01N15/10 ,  Y10S977/962

    Abstract: 　非常に微細な粒子を吸着してピックアップする粒子吸着マイクロプローブであって、粒子をピックアップする際に物理的応力を加える必要がなく、粒子のピックアップにあたって異物表面を汚染することなく、非常に微細な粒子を１個のみ選択的にピックアップでき、粒子のピックアップ後にそのまま分析装置内で分析評価を行うことができる、新規な粒子吸着マイクロプローブを提供する。　本発明の粒子吸着プローブは、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体を有し、直径が１０μｍ以下の粒子を１個のみ吸着する。

    Abstract translation: 提供了一种吸附和吸收极细颗粒的新型颗粒吸附微探针，能够：选择性地拾取单独的极细颗粒，而不需要在拾取颗粒时施加物理应力，并且在颗粒拾取过程中不污染异物表面; 并且在分析装置中分析和评估拾取后的颗粒。 该颗粒吸附探针具有包含多个碳纳米管的碳纳米管集合体，仅吸附一个直径不大于10μm的颗粒。

    NANOPELLETS AND METHOD OF MAKING NANOPELLETS
    8.
    发明申请
    NANOPELLETS AND METHOD OF MAKING NANOPELLETS 审中-公开
    纳米球和制备纳米球的方法

    公开(公告)号：WO2004033370A1

    公开(公告)日：2004-04-22

    申请号：PCT/US2003/032109

    申请日：2003-10-09

    Applicant: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

    Inventor： KIM, Sang-Gook ,  EL AGUIZY, Tarek, A. ,  JEONG, Jeung-hyun ,  JEON, Yongbae

    IPC: C01B31/02

    CPC classification number: C30B29/605 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/962 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2938 ,  Y10T428/2964

    Abstract: A method for making packets of nanostructures is presented. The method includes etching trenches in a silicon substrate. Nanostructures are grown in the trenches. The trenches are then filled with a filler material. Any filler and/or nanostructures material extending beyond the trench is removed. The silicon substrate is etched away, resulting in a nanopellet surrounding the nanostructures and wherein each nanostructures has a generally uniform length and direction. Nanostructures can comprise nanotubes, nanowires and nanofibers. The method eases the manipulation of nanostructures while providing geometrical uniformity.

    Abstract translation: 提出了一种制造纳米结构分组的方法。 该方法包括蚀刻硅衬底中的沟槽。 纳米结构生长在沟槽中。 然后用填充材料填充沟槽。 去除延伸超过沟槽的任何填料和/或纳米结构材料。 硅衬底被蚀刻掉，导致围绕纳米结构的纳米线，并且其中每个纳米结构具有大致均匀的长度和方向。 纳米结构可以包括纳米管，纳米线和纳米纤维。 该方法简化了纳米结构的操作，同时提供几何均匀性。

    ナノピンセットおよびこれを備える走査型プローブ顕微鏡
    10.
    发明申请
    ナノピンセットおよびこれを備える走査型プローブ顕微鏡 审中-公开
    纳米扫描仪和扫描探针显微镜

    公开(公告)号：WO2006054771A1

    公开(公告)日：2006-05-26

    申请号：PCT/JP2005/021456

    申请日：2005-11-22

    Applicant: 国立大学法人 香川大学 ,  アオイ電子株式会社 ,  橋口 原 ,  細木 真保 ,  今野 隆

    Inventor： 橋口 原 ,  細木 真保 ,  今野 隆

    IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B81B3/00 ,  G01B21/30 ,  G01N13/16

    CPC classification number: B81C99/002 ,  G01Q60/38 ,  G01Q80/00 ,  Y10S977/902 ,  Y10S977/962

    Abstract: Nano tweezers (1), comprising a support body (25), an observation probe (10) projected from the support body (25) for observing the surface of a specimen, a movable arm (20) disposed parallel with the observation probe (10) projected from the support body (25) and opening and closing to hold and release the specimen on and from the observation probe (10), and a drive mechanism drivingly opening and closing the movable arm (20) from and to the observation probe (10). Each of the support body (25), the observation probe (10), and the movable arm (20) is manufactured by working a semiconductor wafer (30) by photolithography process. Thus, since the dimensional accuracy of the nano tweezers can be increased, the specimen can be accurately observed and securely held.

    Abstract translation: 纳米镊子（1），包括支撑体（25），从支撑体（25）突出的用于观察样本表面的观察探针（10），与观察探针（10）平行设置的可动臂（20） ），从所述支撑体（25）突出并且打开和关闭以在所述观察探针（10）上和所述观察探针（10）上保持和释放所述样本;以及驱动机构，从所述观察探针（...）驱动地将所述可动臂（20） 10）。 通过利用光刻工序对半导体晶片（30）进行加工来制造支撑体（25），观察探针（10）和可动臂（20）。 因此，由于可以提高纳米镊子的尺寸精度，因此能够准确地观察并牢固地保持试样。

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