エッチングガス
    5.
    发明申请
    エッチングガス 审中-公开
    蚀刻气体

    公开(公告)号:WO2011068039A1

    公开(公告)日:2011-06-09

    申请号:PCT/JP2010/070656

    申请日:2010-11-19

    Abstract: 開示されているのは、CHF 2 COFを含んでなるエッチングガスである。このエッチングガスは、O 2 、O 3 、CO、CO 2 、F 2 、NF 3 、Cl 2 、Br 2 、I 2 、XF n (式中、XはCl、IまたはBrを表し、nは1≦n≦7の整数を表す。)、CH 4 、CH 3 F、CH 2 F 2 、CHF 3 、N 2 、He、Ar、Ne、Krなど、または、CH 4 、C 2 H 2 ,C 2 H 4 ,C 2 H 6 、C 3 H 4 、C 3 H 6 、C 3 H 8 、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH 3 、H 2 など、または、CH 4 、CH 3 F、CH 2 F 2 、CHF 3 の中から選ばれた少なくとも1種のガスを添加物として含んでもよい。このエッチングガスは、対レジスト選択比や加工形状のエッチング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるCF 4 を実質的に副生しない。

    Abstract translation: 公开了含有CHF 2 COF的蚀刻气体。 蚀刻气体可以含有选自O 2,O 3,CO,CO 2,F 2,NF 3,Cl 2,Br 2,I 2,X F n中的至少一种气体作为添加剂(其中X为Cl,I或Br; n为 CH 4,C 2 H 2,C 2 H 4,C 2 H 6,C 3 H 4,C 3 H 6,C 3 H 8,C 4 H 4,C 4 H 6,C 3 H 8, HI,HBr,HCl,CO,NO,NH 3,H 2等,或从CH 4,CH 3 F,CH 2 F 2和CHF 3中。 作为副产物,蚀刻气体容易获得蚀刻选择性(基板与抗蚀剂的蚀刻速率比)和蚀刻轮廓等优异的蚀刻性能,并且基本上不产生CF4(这是环境负荷的原因)。

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