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    単結晶製造装置、及び単結晶製造方法
    1.
    发明申请
    単結晶製造装置、及び単結晶製造方法 审中-公开
    制造单晶的装置和制造单晶的方法

    公开(公告)号：WO2011125891A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/JP2011/058320

    申请日：2011-03-31

    Applicant: 東京電波株式会社 ,  岡戸 貞男 ,  鈴木 崇雄 ,  堀川 晃司

    Inventor： 岡戸　貞男 ,  鈴木　崇雄 ,  堀川　晃司

    IPC: C30B7/10 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  C30B29/20

    CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  C30B29/20

    Abstract: 　コストが安価で、金属不純分含有量の少ない高品質な各種デバイス用の単結晶を、水熱合成法で製造できるようにする。　オートクレーブ内に単結晶の育成用容器を設置し、この容器内に種結晶を設置して水熱合成法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、前記育成用容器は、純チタン、純タンタル及び純ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属により製作されたものであることを特徴とする。

    Abstract translation: 公开了一种水热法可以以降低成本制造用于各种类型的器件的低含量金属杂质的高质量单晶的装置。 用于制造单晶的装置在高压釜中设置有用于生长单晶的高压釜和容器，从而将晶种放置在容器中，然后进行水热法制造单晶。 用于生长单晶的容器的特征在于由选自纯钛，纯钽和纯锆的至少一种金属制成。

    SILICON AND SILICA NANOSTRUCTURES AND METHOD OF MAKING THEM
    3.
    发明申请
    SILICON AND SILICA NANOSTRUCTURES AND METHOD OF MAKING THEM 审中-公开
    硅和二氧化硅纳米结构及其制备方法

    公开(公告)号：WO2016004040A1

    公开(公告)日：2016-01-07

    申请号：PCT/US2015/038556

    申请日：2015-06-30

    Applicant: CORNING INCORPORATED

    Inventor： CARRILERO, Albert ,  MAZUMDER, Prantik ,  PRUNERI, Valerio

    IPC: C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/18 ,  C30B29/60

    CPC classification number: C03C15/00 ,  C01B33/12 ,  C01P2004/13 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/18 ,  C30B29/60 ,  C30B29/602

    Abstract: Provided herein are methods for forming one or more silicon nanostructures, such as silicon nanotubes, and a silica-containing glass substrate. As a result of the process used to prepare the silicon nanostructures, the silica-containing glass substrate comprises one or more nanopillars and the one or more silicon nanostructures extend from the nanopillars of the silica-containing glass substrate. The silicon nanostructures include nanotubes and optionally nanowires. A further aspect is a method for preparing silicon nanostructures on a silica-containing glass substrate. The method includes providing one or more metal nanoparticles on a silica-containing glass substrate and then performing reactive ion etching of the silica-containing glass substrate under conditions that are suitable for the formation of one or more silicon nanostructures.

    Abstract translation: 本文提供了形成一个或多个硅纳米结构的方法，例如硅纳米管和含二氧化硅的玻璃基板。 作为用于制备硅纳米结构的方法的结果，含二氧化硅的玻璃基底包括一个或多个纳米柱，并且一个或多个硅纳米结构从含二氧化硅玻璃基底的纳米柱延伸。 硅纳米结构包括纳米管和任选的纳米线。 另一方面是在含二氧化硅的玻璃基板上制备硅纳米结构的方法。 该方法包括在含二氧化硅的玻璃衬底上提供一种或多种金属纳米颗粒，然后在适合于形成一种或多种硅纳米结构的条件下进行含二氧化硅的玻璃衬底的反应离子蚀刻。

    超臨界溶媒を用いた結晶製造方法、結晶成長装置、結晶およびデバイス
    4.
    发明申请
    超臨界溶媒を用いた結晶製造方法、結晶成長装置、結晶およびデバイス 审中-公开
    用超级溶剂生产水晶的方法，晶体生长装置，晶体和装置

    公开(公告)号：WO2007004495A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：PCT/JP2006/312956

    申请日：2006-06-29

    Applicant: 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  川端 紳一郎 ,  吉川 彰 ,  鏡谷 勇二 ,  福田 承生

    Inventor： 川端 紳一郎 ,  吉川 彰 ,  鏡谷 勇二 ,  福田 承生

    IPC: C30B7/10 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  C30B29/38

    CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B29/18 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1004

    Abstract: A crystal is grown by the solvothermal method while causing a solvent and a given amount of a substance different in critical density from the solvent to be present in the reactor. Thus, the position in which a crystal precipitates is regulated and the yield of the crystal is improved. Furthermore, impurities are prevented from coming into the crystal to enable the crystal to have a heightened purity. The process for crystal production comprises using a solvent in a supercritical and/or subcritical state and a raw material to grow a crystal in a reactor, and is characterized in that a substance (X) which satisfies the following relationship (1) and differs in critical density from the solvent by at least 25% is caused to be present in the reactor and the amount of the substance (X) is regulated to thereby regulate the position in which crystal precipitation occurs. (solubility of raw material in substance (X))/(solubility of raw material in solvent) × 100 = 20 (1)

    Abstract translation: 通过溶剂热法生长晶体，同时引起溶剂和给定量的与溶剂不同的临界密度的物质存在于反应器中。 因此，调节结晶析出的位置，提高晶体的产率。 此外，防止杂质进入晶体以使晶体具有更高的纯度。 晶体生产方法包括使用超临界和/或亚临界状态的溶剂和原料在反应器中生长晶体，其特征在于满足以下关系式（1）的物质（X）不同， 使来自溶剂的至少25％的临界密度存在于反应器中，调节物质（X）的量，由此调节发生结晶析出的位置。 （原料在物质（X）中的溶解度）/（原料在溶剂中的溶解度）×100 = 20（1）

    ETCHING METHOD AND ARTICLE PROCESSED BY THE METHOD
    5.
    发明申请
    ETCHING METHOD AND ARTICLE PROCESSED BY THE METHOD 审中-公开
    蚀刻方法和方法进行处理

    公开(公告)号：WO00070130A1

    公开(公告)日：2000-11-23

    申请号：PCT/JP2000/003146

    申请日：2000-05-17

    IPC: C30B33/00 ,  C30B33/08 ,  C30B33/10 ,  H03H3/02 ,  C30B29/18 ,  H01L21/306

    CPC classification number: C30B33/10 ,  C30B29/10 ,  C30B29/14 ,  C30B29/18 ,  C30B33/00 ,  C30B33/08 ,  H03H3/02

    Abstract: A method for etching an article containing a crystal while immersing it in an acid liquid at an etching rate higher than the crystal growth rate of the article. An article processed by the etching method is also disclosed. The etching rate is calculated by performing a preliminary etching step where the article is immersed in an acid liquid, and the etching time for which the etching is conducted is determined from the calculated etching rate. The article is immersed in the acid liquid for the determined time to perform the etching step. The etching rate is higher than the crystal growth rate of the article.

    Abstract translation: 一种用于在以高于制品的晶体生长速率的蚀刻速率将其浸入酸性液体中的情况下蚀刻含有晶体的物品的方法。 还公开了通过蚀刻方法处理的制品。 通过进行将制品浸渍在酸性液体中的预蚀刻步骤来计算蚀刻速率，并根据计算出的蚀刻速率确定进行蚀刻的蚀刻时间。 将物品浸入酸性液体中确定时间以进行蚀刻步骤。 蚀刻速率高于制品的晶体生长速率。

    PRECISION CUT HIGH ENERGY CRYSTALS
    6.
    发明申请
    PRECISION CUT HIGH ENERGY CRYSTALS 审中-公开
    精密切割高能水晶

    公开(公告)号：WO2016048408A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：PCT/US2015/019100

    申请日：2015-03-06

    Applicant: HARAMEIN, Nassim

    Inventor： HARAMEIN, Nassim

    IPC: C30B29/18

    CPC classification number: C30B29/18 ,  C01B33/113 ,  C03B20/00

    Abstract: Crystals having a modified regular tetrahedron shape are provided. Crystals preferably have four substantially identical triangular faces that define four truncated vertices and six chamfered edges. The six chamfered edges can have an average length of l , and an average width of w , and 8 l/ w 9.5.

    Abstract translation: 提供具有改进的正四面体形状的晶体。 晶体优选具有四个基本相同的三角形面，其限定四个截顶和六个倒角边。 六个倒角边缘的平均长度可以为l，平均宽度为w和8.5u / l 9.5。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HYDROTHERMALEN HERSTELLUNG VON QUARZKRISTALLEN
    7.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HYDROTHERMALEN HERSTELLUNG VON QUARZKRISTALLEN 审中-公开
    DEVICE AND METHOD FOR石英晶体生产热液

    公开(公告)号：WO2014147125A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：PCT/EP2014/055507

    申请日：2014-03-19

    Applicant: QSIL GMBH QUARZSCHMELZE ILMENAU

    Inventor： LUDWIG, Frank-Peter

    IPC: C30B7/10 ,  C30B29/18

    CPC classification number: C30B7/10 ,  C03C1/022 ,  C30B29/18

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (2) zur hydrothermalen Herstellung von Quarzkristallen (3), umfassend einen Autoklav (2.1), welcher einen Innenraum (I) zur Aufnahme einer alkalischen Lösung (L), einen in einem unteren Bereich in dem Innenraum (I) angeordneten Aufnahmebereich (AB) zur Aufnahme von Quarzrohmaterial (QRM) und einen oberhalb des Aufnahmebereichs (AB) angeordneten Keimbereich (KB) aufweist, wobei innerhalb des Keimbereichs (KB) zumindest ein als Keimplatte ausgebildetes Keimelement (2.2 bis 2.13) zur Anlagerung von Quarz mittels mehrerer Halteelemente (2.14) angeordnet ist. Erfindungsgemäß sind jeweils zwei aus jeweils einem Profilelement gebildete Halteelemente (2.14) zur Halterung einer Keimplatte vorgesehen, wobei die Profilelemente an sich gegenüberliegenden Längsseiten der Keimplatte angeordnet sind und jedes Profilelement eine Nut (2.14.1) zur vollständigen Aufnahme eines seitlichen Randbereichs der jeweiligen Längsseite der Keimplatte aufweist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur hydrothermalen Herstellung von Quarzkristallen (3), ein Verfahren zur Herstellung von Quarzsand und ein Verfahren zur Herstellung von Quarzglas.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于水热生产的石英晶体（3）的装置（2），其包括具有内部（I）的高压釜（2.1），用于在所述内部空间中的下部区域中接收的碱性溶液（L），一（I） 具有设置接收区域（AB），用于接收石英材料（QRM）和接收区（AB）上方布置种子区域（KB），其中，所述成核区（KB）内，至少一个构造为用于石英手段​​附着种子板种子元件（2.2至2.13） 多个保持元件（2.14）的布置。 根据本发明，两个保持元件（2.14）是从被提供用于保持种子板，其中所述简档元件被布置在所述籽晶板的相对的纵向侧边和每个成型元件具有凹槽（2.14.1），用于完全容纳的相应的纵向侧的侧向边缘区域中的一个轮廓元件每种情况下形成 具有种子板。 本发明还涉及一种用于水热生产的石英晶体（3），用于产生石英砂的方法和用于生产的石英玻璃的制造方法的过程。

    MULTI-CRYSTAL DIAMOND BODY
    8.
    发明申请
    MULTI-CRYSTAL DIAMOND BODY 审中-公开
    多晶金刚石体

    公开(公告)号：WO2014105085A1

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：PCT/US2012/072319

    申请日：2012-12-31

    Applicant: DIAMOND INNOVATIONS, INC.

    Inventor： KONOVALOV, Valeriy, V. ,  LUCEK, John

    IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02

    CPC classification number: C30B28/14 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B25/22 ,  C30B29/04 ,  C30B29/18 ,  C30B29/68 ,  C30B30/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/30

    Abstract: A synthetic diamond body and method of making the synthetic diamond body are provided. The synthetic diamond body having a low stress and free of cracks may comprise a first single crystal partial volume having the first crystallographic orientation and a one or more of other single crystal partial volumes, wherein the first partial volume occupies less than about 100% of the total volume of synthetic diamond wafer, and each other single crystal partial volume has its own crystallographic orientation; and each other single crystal partial volume comprises a plurality of single crystal volumes all having about the same crystallographic orientation, wherein the crystallographic orientation of each partial volume is fixed against the first crystallographic orientation by a geometrical operation.

    Abstract translation: 提供合成金刚石体和制造合成金刚石体的方法。 具有低应力且没有裂缝的合成金刚石体可以包括具有第一晶体取向的第一单晶部分体积和一个或多个其它单晶部分体积，其中第一部分体积占小于约100％ 合成金刚石晶片的总体积，以及彼此的单晶部分体积具有其自身的晶体取向; 并且彼此的单晶部分体积包括具有大致相同晶体取向的多个单晶体体积，其中每个部分体积的晶体取向通过几何操作固定成抵抗第一结晶取向。

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