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    METHODS OF FORMING PEROVSKITE FILMS
    1.
    发明申请
    METHODS OF FORMING PEROVSKITE FILMS 审中-公开
    形成PEROVSKITE膜的方法

    公开(公告)号：WO2014172131A2

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：PCT/US2014/033157

    申请日：2014-04-07

    Applicant: DREXEL UNIVERSITY

    Inventor： SPANIER, Jonathan, E. ,  AKBASHEU, Andrei

    IPC: H01L31/0256

    CPC classification number: C30B1/023 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56 ,  C30B1/026 ,  C30B1/04 ,  C30B29/24 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32

    Abstract: This disclosure provides methods for forming a perovskite film. Exemplary methods can include the steps of forming an amorphous layer on a substrate disposed in a reaction chamber, covering at least a portion of the amorphous layer with a barrier that at least partially prevents the first metal, the second metal, oxygen atoms, or a combination thereof from being released during annealing and annealing the amorphous layer to form a perovskite film. Formation of the amorphous layer on the substrate disposed in a reaction chamber may be effected by introducing a first compound comprising a first metal; introducing an oxidizing agent; and introducing a second compound comprising a second metal.

    Abstract translation: 本公开提供了形成钙钛矿膜的方法。 示例性方法可以包括以下步骤：在设置在反应室中的基底上形成非晶层，用至少部分地防止第一金属，第二金属，氧原子或至少一部分的阻挡层覆盖非晶层的至少一部分 其组合在退火和退火期间被释放，以形成非晶层以形成钙钛矿膜。 在设置在反应室中的基板上形成非晶层可以通过引入包含第一金属的第一化合物来实现; 引入氧化剂; 并引入包含第二金属的第二化合物。

    METHODS OF FORMING PEROVSKITE FILMS
    2.
    发明申请
    METHODS OF FORMING PEROVSKITE FILMS 审中-公开
    形成PEROVSKITE膜的方法

    公开(公告)号：WO2014172131A3

    公开(公告)日：2015-12-10

    申请号：PCT/US2014033157

    申请日：2014-04-07

    Applicant: UNIV DREXEL

    Inventor： SPANIER JONATHAN E ,  AKBASHEU ANDREI

    IPC: C30B1/02 ,  C30B25/18

    CPC classification number: C30B1/023 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56 ,  C30B1/026 ,  C30B1/04 ,  C30B29/24 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32

    Abstract: This disclosure provides methods for forming a perovskite film. Exemplary methods can include the steps of forming an amorphous layer on a substrate disposed in a reaction chamber, covering at least a portion of the amorphous layer with a barrier that at least partially prevents the first metal, the second metal, oxygen atoms, or a combination thereof from being released during annealing and annealing the amorphous layer to form a perovskite film. Formation of the amorphous layer on the substrate disposed in a reaction chamber may be effected by introducing a first compound comprising a first metal; introducing an oxidizing agent; and introducing a second compound comprising a second metal.

    Abstract translation: 本公开提供了形成钙钛矿膜的方法。 示例性方法可以包括以下步骤：在设置在反应室中的基底上形成非晶层，用至少部分地防止第一金属，第二金属，氧原子或至少一部分的阻挡层覆盖非晶层的至少一部分 其组合在退火和退火期间被释放，以形成非晶层以形成钙钛矿膜。 在设置在反应室中的基板上形成非晶层可以通过引入包含第一金属的第一化合物来实现; 引入氧化剂; 并引入包含第二金属的第二化合物。

    PROCESS FOR FORMING GRAPHENE LAYERS ON SILICON CARBIDE
    3.
    发明申请
    PROCESS FOR FORMING GRAPHENE LAYERS ON SILICON CARBIDE 审中-公开
    在碳化硅上形成石墨层的方法

    公开(公告)号：WO2015035465A1

    公开(公告)日：2015-03-19

    申请号：PCT/AU2014/050218

    申请日：2014-09-08

    Applicant: GRIFFITH UNIVERSITY

    Inventor： IACOPI, Francesca ,  AHMED, Mohsin ,  CUNNING, Benjamin, Vaughan

    IPC: C01B31/00 ,  C01B31/04 ,  C30B1/00 ,  C30B1/02 ,  B32B9/00

    CPC classification number: C30B1/026 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0197 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B1/10 ,  C30B29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02614

    Abstract: A process for forming graphene, including : depositing at least two metals onto a surface of silicon carbide (SiC), the at least two metals including at least one first metal and at least one second metal; and heating the SiC and the first and second metals under conditions that cause the at least one first metal to react with silicon of the silicon carbide to form carbon and at least one stable silicide, and the corresponding solubilities of the carbon in the at least one stable silicide and in the at least one second metal are sufficiently low that the carbon produced by the silicide reaction forms a graphene layer on the SiC.

    Abstract translation: 一种用于形成石墨烯的方法，包括：将至少两种金属沉积到碳化硅（SiC）的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属; 以及在导致所述至少一种第一金属与所述碳化硅的硅反应以形成碳和至少一种稳定的硅化物的条件下加热所述SiC和所述第一和第二金属，以及所述碳在所述至少一种中的相应溶解度 稳定的硅化物和至少一个第二金属足够低，使得由硅化物反应产生的碳在SiC上形成石墨烯层。

    板状アルミナ粉末の製法
    5.
    发明申请
    板状アルミナ粉末の製法 审中-公开
    板状氧化铝粉生产方法

    公开(公告)号：WO2017057322A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：PCT/JP2016/078382

    申请日：2016-09-27

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 福井　宏史 ,  佐藤　圭 ,  渡邊　守道 ,  七瀧　努

    IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

    CPC classification number: C01F7/021 ,  C01F7/30 ,  C01F7/441 ,  C01F7/442 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/787 ,  C30B1/026 ,  C30B1/10 ,  C30B29/20 ,  C30B33/00

    Abstract: 本発明の板状アルミナ粉末の製法は、遷移アルミナとフッ化物とを、互いに接触しないように容器に入れ、熱処理することにより板状のα－アルミナ粉末を得るものである。遷移アルミナは、ギブサイト、ベーマイト及びγ－アルミナからなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。フッ化物の使用量は、遷移アルミナに対するフッ化物中のＦの割合が０．１７質量％以上となるように設定するのが好ましい。容器は、フッ化物中のＦの質量を容器の容積で除した値が６．５×１０ -5 ｇ／ｃｍ 3 以上になるものが好ましい。熱処理は、７５０～１６５０℃で行うことが好ましい。熱処理は、容器の内外が通じるように容器を閉じたあと又は容器を密閉したあとに行うことが好ましい。

    Abstract translation: 该板状氧化铝粉末的制造方法，通过将过渡型氧化铝和氟化物配置在容器内，不会彼此相互接触并进行热处理而获得板状的α-氧化铝粉末。 过渡型氧化铝优选为选自三水铝矿，勃姆石，γ-氧化铝中的至少一种。 氟化物的使用量优选为使氟化物中的F相对于过渡型氧化铝的比例为0.17质量％以上。 容器优选为使得氟化物中的F的质量除以容器的体积所获得的值为6.5×10 -5 g / cm 3以上。 热处理优选在750-1650℃进行。 优选在关闭容器之后进行热处理，使得容器的内部和外部可以彼此连通或在密封容器之后进行。

    METHOD, SYSTEM, AND APPARATUS FOR DOPING AND FOR MULTI-CHAMBER HIGH-THROUGHPUT SOLID-PHASE EPITAXY DEPOSITION PROCESS
    6.
    发明申请
    METHOD, SYSTEM, AND APPARATUS FOR DOPING AND FOR MULTI-CHAMBER HIGH-THROUGHPUT SOLID-PHASE EPITAXY DEPOSITION PROCESS 审中-公开
    用于多层高强度固相外延沉积工艺的方法，系统和装置

    公开(公告)号：WO2008134459A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/US2008/061477

    申请日：2008-04-25

    Applicant: SEPEHRY-FARD, Fareed

    Inventor： SEPEHRY-FARD, Fareed

    IPC: C30B23/00

    CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B1/026 ,  C30B29/42 ,  H01L31/18 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

    Abstract: The current application deals with the doping and multi-chamber method and apparatus for the growth of material, directed toward Solid Phase Epitaxy (SPE) process. We will examine different variations and features of this method and process. The advantages of this method are the high throughput and the reduced operational cost of the production for semiconductor material and devices, such as III-V material (e.g. GaAs) and solar cell devices. It can be applied to many systems and devices/ material.

    Abstract translation: 目前的应用涉及针对固相外延（SPE）工艺的材料生长的掺杂和多室法和装置。 我们将研究这种方法和过程的不同变化和特征。 该方法的优点是半导体材料和诸如III-V材料（例如GaAs）和太阳能电池器件的器件的生产的高通量和降低的操作成本。 它可以应用于许多系统和设备/材料。

    GROWTH OF STRUCTURES BASED ON GROUP IV SEMICONDUCTOR MATERIALS
    7.
    发明申请
    GROWTH OF STRUCTURES BASED ON GROUP IV SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
    基于IV族半导体材料的结构生长

    公开(公告)号：WO1982002726A1

    公开(公告)日：1982-08-19

    申请号：PCT/US1982000073

    申请日：1982-01-21

    Applicant: WESTERN ELECTRIC CO

    Inventor： WESTERN ELECTRIC CO ,  LEAMY HARRY JOHN

    IPC: C30B13/02

    CPC classification number: C30B13/34 ,  C30B1/026 ,  C30B13/00 ,  C30B29/60

    Abstract: Single crystal layers of Group IV semiconductor materials, such as silicon, are grown on insulating substrates. The fabrication of this structure is achieved by forming on a single crystal substrate a layer of an insulating material (e.g. 41), such as a silicon oxide. A small via hole is produced in the insulating layer to leave a portion of the underlying substrate uncovered. A precursor material (e.g. 52, 62, 72) is deposited on the insulating layer so that it covers at least a portion of the insulating layer and also contacts the substrate at the via hole. The precursor layer is then formed into a single crystal (e.g. 74) by inducing growth on the substrate at the via hole and propagating this growth through the precursor layer.

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