公开(公告)号：WO2021202199A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/US2021/023916

申请日：2021-03-24

Applicant: CREE, INC.

Inventor： WATTS, Michael E. ,  BOKATIUS, Mario ,  KIM, Jangheon ,  NOORI, Basim ,  MU, Qianli ,  LIM, Kwangmo Chris ,  MARBELL, Marvin

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/047 ,  H01L23/057 ,  H01L23/367 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3315 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/49107 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/49531 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/30111

Abstract: RF amplifiers are provided that include an interconnection structure (270) and a Group III nitride-based RF amplifier die (210) that is mounted on top of the interconnection structure. The Group III nitride- based RF amplifier die includes a semiconductor layer structure (230) A plurality of unit cell transistors are provided in an upper portion of the semiconductor layer structure, and a gate terminal (222), a drain terminal (224) and a source terminal (226) are provided on a lower surface of the semiconductor layer structure that is adjacent the interconnection structure.

公开(公告)号：WO2021074050A2

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：PCT/EP2020/078542

申请日：2020-10-12

Applicant: SCHOTT AG

Inventor： DRÖGEMÜLLER, Karsten ,  AOWUDOMSUK, Artit

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02345 ,  H01L23/00 ,  H01L23/045 ,  H01S5/024 ,  H01S5/12 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48159 ,  H01L2224/48165 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L23/38 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0231 ,  H01S5/02325 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/06226

Abstract: Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sockel mit einer verbesserten Kühlung für elektronische Bauelemente zur Hochfrequenz-Signalübertragung bereitzustellen. Dazu ist ein Sockel (1) für ein elektronisches Bauelement (10) zur Hochfrequenz-Datenübertragung vorgesehen, wobei - der Sockel einen metallischen Grundkörper (5) mit mehreren elektrischen Durchführungen (7) umfasst, und wobei der Sockel (1) - ein thermoelektrisches Kühlelement (9) umfasst, welches eine auf dem Grundkörper aufliegende Seite (11) und eine gegenüberliegende Seite (13) zur Anbringung der elektronischen Komponente (3) aufweist, wobei - auf der Seite (13) zur Anbringung der elektronischen Komponente (3) eine Hochfrequenz-Leitung (12) zur elektronischen Komponente (3) mit einem Erdleiter vorgesehen ist, der mit dem metallischen Grundkörper (5) elektrisch verbunden ist, und wobei die elektrische Verbindung zum metallischen Grundkörper (5) ein Tellurid- Element umfasst.

公开(公告)号：WO2022271417A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：PCT/US2022/031542

申请日：2022-05-31

Applicant: WOLFSPEED, INC.

Inventor： MCNUTT, Ty Richard

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367 ,  H01L23/36 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811

Abstract: A power semiconductor die includes a substrate and a drift layer on the substrate. The drift layer includes an active area, an edge termination area surrounding the active area, and a thermal dissipation area surrounding the edge termination area. The thermal dissipation area is configured to reduce a thermal resistance of the power semiconductor die. By providing the thermal dissipation area, the operating voltage and/or current of the power semiconductor die can be increased without an increase in the active area. Further, the manufacturing yield of the power semiconductor die can be improved.

公开(公告)号：WO2021130110A1

公开(公告)日：2021-07-01

申请号：PCT/EP2020/086965

申请日：2020-12-18

Applicant: DANFOSS SILICON POWER GMBH

Inventor： BERGMANN, Jörg ,  STRÖBEL-MAIER, Henning

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H02M7/003

Abstract: A power module (1) comprising a group of at least three rectangular electrical power components (11, 12, 13, 14, 23, 24, 25, 26) arranged on a substrate (2), wherein in that at least one side (31) of at least one of the rectangular electrical power components (11, 14) is not orthogonal or parallel to a line (3) that passes through the geometric centres of the remaining rectangular electrical power components (12, 13) of the group.

公开(公告)号：WO2021254922A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/065875

申请日：2021-06-14

Applicant: HERAEUS NEXENSOS GMBH

Inventor： MUZIOL, Matthias ,  BLEIFUSS, Martin

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02 ,  H01L2224/45026 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/78252 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/8584 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01R4/023 ,  H01R43/0207

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Elektroelement aufweisend mindestens einen Funktionsbereich und eine Kontaktfläche (120), wobei auf der Kontaktfläche (120) ein Verbindungselement angeordnet ist, wobei das Verbindungselement eine mit Sintermaterial beschichtete Litze (180) umfasst, wobei die Litze durch ein Sintermaterial mit der Kontaktfläche verbunden, insbesondere versintert, ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Elektroelements, mittels eines beheizten Stempels (130), der eine Vertiefung mit einer Öffnung aufweist wobei die Vertiefung im Stempel (130) die beschichtete Litze (180) beim Verbinden partiell aufnimmt und wobei die Öffnung der Vertiefung größer ist als der Durchmesser der beschichteten Litze (180), sodass die beschichtete Litze (180) beim Drucksintern in die Vertiefung im Stempel auf die Kontaktfläche (120) gepresst wird.

公开(公告)号：WO2021130290A1

公开(公告)日：2021-07-01

申请号：PCT/EP2020/087734

申请日：2020-12-23

Applicant: DANFOSS SILICON POWER GMBH

Inventor： STRÖBEL-MAIER, Henning ,  BERGMANN, Jörg

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/64 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/38 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H02M7/003

Abstract: A power semiconductor module (1) comprising; two or more semiconductor switching components (11-14, 64-70, 74-77, 501-504) which are electrically connected in parallel, wherein the first power contacts of each switching component (11-14, 64-70, 74-77, 501-504) are electrically connected to a first track (41, 61, 71), wherein the second power contacts of each switching component (11-14, 64-70, 74- 77, 501-504) are electrically connected to a second track (42, 62, 72) by a connecting means (37, 43, 48, 49, 63), and wherein the ratio R of the maximum linear extent (LI) of the landing area (45) of the connecting means (37, 43, 48, 49, 63) on the second track (42, 62, 72) to the length (L2) of the shortest distance connecting all of the geometric centres of the second power contacts is less and or equal to 70%.