中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

37 records (took 0.011 seconds)

    연속식 관형반응기를 이용한 클로로실란가스 제조방법
    1.
    发明申请
    연속식 관형반응기를 이용한 클로로실란가스 제조방법 审中-公开
    使用连续管反应器制备氯硅烷的方法

    公开(公告)号：WO2015174734A1

    公开(公告)日：2015-11-19

    申请号：PCT/KR2015/004798

    申请日：2015-05-13

    Applicant: 주식회사 엘지화학

    Inventor： 김유석 ,  김정규 ,  유진형 ,  이정우 ,  장은수

    IPC: C01B33/08 ,  C01B33/107 ,  B01J19/24

    CPC classification number: C01B33/10763 ,  B01J10/00 ,  B01J19/24 ,  B01J19/2415 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10736

    Abstract: 본 발명은 테트라클로로실란으로부터 트리클로로실란을 효율적으로 제조할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 장치는, 액상의 테트라클로로실란에 분산된 금속실리콘 분말을 포함하는 반응원료 유입구; 기상의 반응원료 공급구; 트리클로로실란을 포함하는 반응생성물 유출구; 상기 유입구로 유입된 반응원료가 이송되면서 반응하는 관형 반응기; 및 상기 관형반응기는 반응원료들이 이송되는 과정에서 유체 충돌을 야기하기 위한 유체흐름방해 수단을 구비한다.

    Abstract translation: 本发明涉及能够从四氯硅烷有效制备三氯硅烷的装置。 根据本发明的装置包括：含有分散在液体四氯硅烷中的金属硅粉末的反应材料的入口; 气相反应材料供应孔; 含有三氯硅烷的反应产物的出口; 以及管状反应器，其中已经流过入口的反应材料在被转移的同时反应，其中管式反应器包括用于在转移反应材料期间引起流体碰撞的流体流动干扰装置。

    METHOD OF PRODUCING CYCLOHEXASILANE COMPOUNDS
    2.
    发明申请
    METHOD OF PRODUCING CYCLOHEXASILANE COMPOUNDS 审中-公开
    生产环己烷化合物的方法

    公开(公告)号：WO2011094191A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：PCT/US2011/022360

    申请日：2011-01-25

    Applicant: NDSU RESEARCH FOUNDATION ,  ELANGOVAN, Arumugasamy ,  ANDERSON, Kenneth ,  BOUDJOUK, Philip, R. ,  SCHULZ, Douglas, L.

    Inventor： ELANGOVAN, Arumugasamy ,  ANDERSON, Kenneth ,  BOUDJOUK, Philip, R. ,  SCHULZ, Douglas, L.

    IPC: C01B33/00 ,  C01B33/08

    CPC classification number: C01B33/04 ,  C07F7/025 ,  C07F9/5442

    Abstract: A method of preparing a cyclohexasilane compound from trichlorosilane is provided. The method includes contacting trichlorosilane with a reagent composition to produce a compound containing a tetradecahalocyclohexasilane dianion, such as a tetradecachlorocyclohexasilane dianion. The reagent composition typically includes (a) tertiary polyamine ligand; and (b) a deprotonating reagent, such as a tertiary amine having a pKa of at least about 10.5. Methods of converting the tetradecahalocyclohexasilane dianion-containing compound to cyclohexasilane or a dodecaorganocyclohexasilane are also provided.

    Abstract translation: 提供了由三氯硅烷制备环己硅烷化合物的方法。 该方法包括使三氯硅烷与试剂组合物接触以产生含有十四氢环己烷硅烷二阴离子的化合物，例如十四氯环己烷硅烷二阴离子。 试剂组合物通常包括（a）叔胺配体; 和（b）去质子化试剂，例如pKa为至少约10.5的叔胺。 还提供了将十四氢环己烷硅烷二价阴离子化合物转化成环己硅烷或十二碳烯环己硅烷的方法。

    METHOD FOR PRODUCING SILICON TETRAFLUORIDE FROM URANIUM OXYFLUORIDE
    3.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING SILICON TETRAFLUORIDE FROM URANIUM OXYFLUORIDE 审中-公开
    从氧化铀生产硅四氯化物的方法

    公开(公告)号：WO00058212A1

    公开(公告)日：2000-10-05

    申请号：PCT/US2000/003082

    申请日：2000-02-07

    IPC: C01B33/107 ,  C01G43/01 ,  C01B33/08

    CPC classification number: C01B33/10705 ,  C01G43/01 ,  C01P2002/72

    Abstract: A method for producing silicon tetrafluoride includes combining uranium oxyfluoride and silicon dioxide; heating the combination below the melting point of the uranium oxyfluoride (14) to sufficiently react the uranium oxyfluoride and the silicon dioxide to produce non-radioactive silicon tetrafluoride and an oxide of uranium (16); and removing the silicon tetrafluoride (18).

    Abstract translation: 四氟化硅的制造方法包括将铀氧氟化物与二氧化硅结合， 将低于氟氧化铀（14）的熔点的组合加热以使氟化铀与二氧化硅充分反应以产生非放射性四氟化硅和铀氧化物（16）; 并除去四氟化硅（18）。

    VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER VERUNREINIGUNG AUS EINEM CHLORSILANGEMISCH
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER VERUNREINIGUNG AUS EINEM CHLORSILANGEMISCH 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021104618A1

    公开(公告)日：2021-06-03

    申请号：PCT/EP2019/082727

    申请日：2019-11-27

    Applicant: WACKER CHEMIE AG

    Inventor： KNOTH, Jens Felix ,  BOCHMANN, Sebastian ,  PÄTZOLD, Uwe ,  PROST, Sebastian

    IPC: C01B33/08 ,  C01B33/107

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur zumindest teilweisen Entfernung einer Verunreinigung aus einem Gemisch, enthaltend zumindest ein Chlorsilan und/oder Organochlorsilan und zumindest eine Verunreinigung aus der Gruppe mit Borverbindung, Phosphorverbindung, Arsenverbindung und Antimonverbindung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: a) Inkontaktbringen des flüssigen Gemischs mit einem Trägermaterial, das mit einem Amidoxim der allgemeinen Strukturformel (I) funktionalisiert ist, mit CAR = Trägermaterial und R1, R2 = unabhängig voneinander H, Alkyl, Alkenyl, Aryl, Alkylaryl; b) gegebenenfalls Abtrennen des funktionalisierten Trägermaterials.

    CORROSION AND FOULING REDUCTION IN HYDROCHLOROSILANE PRODUCTION
    5.
    发明申请
    CORROSION AND FOULING REDUCTION IN HYDROCHLOROSILANE PRODUCTION 审中-公开
    腐蚀和降解在水解生产中的应用

    公开(公告)号：WO2014172102A1

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：PCT/US2014/032714

    申请日：2014-04-02

    Applicant: REC SILICON INC

    Inventor： JULSRUD, Stein ,  SJASTAD, Anja, O.

    IPC: C01B33/08 ,  C01B33/107

    CPC classification number: C01B33/1071 ,  Y02E60/324

    Abstract: Methods for reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling and/or corrosion in a hydrochlorosilane production plant are disclosed. Sufficient hydrogen is added to a silicon tetrachloride process stream to inhibit iron (II) chloride formation and reduce iron silicide and/or iron phosphide fouling, superheater corrosion, or a combination thereof. Trichlorosilane also may be added to the silicon tetrachloride process stream.

    Abstract translation: 公开了在氢氯硅烷生产设备中还原铁硅化物和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。 向四氯化硅工艺流中加入足够的氢以抑制氯化铁（II）的形成并减少铁硅化物和/或磷化铁结垢，过热器腐蚀或其组合。 也可以在四氯化硅工艺流中加入三氯硅烷。

    FLUORSPAR/IODIDE PROCESS FOR SILICON PURIFICATION
    6.
    发明申请
    FLUORSPAR/IODIDE PROCESS FOR SILICON PURIFICATION 审中-公开
    氟树脂/碘化物工艺用于硅氧化

    公开(公告)号：WO2012044349A2

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：PCT/US2011/001687

    申请日：2011-09-30

    Applicant: CHANNON, Matthew, James

    Inventor： CHANNON, Matthew, James

    IPC: C01B33/023 ,  C01B33/08

    CPC classification number: C01B33/10768 ,  C01B7/14 ,  C01B33/031 ,  C01B33/10705

    Abstract: Method and apparatus for producing molten purified crystalline silicon from low- grade siliceous fluorspar ore, sulfur trioxide gas, and a metallic iodide salt. Method involves: (1) initially reacting silicon dioxide-bearing fluorspar ore and sulfur trioxide gas in sulfuric acid to create silicon tetrafluoride gas and fluorogypsum; (2) reacting the product gas with a heated iodide salt to form a fluoride salt and silicon tetraiodide; (3) isolating silicon tetraiodide from impurities and purifying it by washing steps and distillation in a series of distillation columns; (4) heating the silicon tetraiodide to its decomposition temperature in a silicon crystal casting machine, producing pure molten silicon metal ready for crystallization; and pure iodine gas, extracted as liquid in a cold-wall chamber. The system is batch process-based, with continuous elements. The system operates largely at atmospheric pressure, requiring limited inert gas purges during batch changes.

    Abstract translation: 从低级硅质萤石，三氧化硫气体和金属碘化物盐生产熔融纯化晶体硅的方法和设备。 方法包括：（1）首先使含二氧化硅的萤石和三氧化硫气体在硫酸中反应生成四氟化硅气体和氟石膏; （2）使产物气体与加热的碘化物盐反应形成氟化物盐和四碘化硅; （3）将四碘化硅与杂质分离，并通过洗涤步骤进行纯化并在一系列蒸馏塔中进行蒸馏; （4）在硅晶体铸造机中加热四碘化硅至其分解温度，制备准备结晶的纯熔融硅金属; 和纯碘气体，在冷壁室中作为液体提取。 系统是基于批处理的，具有连续的元素。 该系统主要在大气压下运行，在批量更换期间需要有限的惰性气体清洗。

    METHOD AND FLUIDIZED GAS PHASES REACTOR FOR PRODUCING STABLE TRICHLOROSILANE RICH CHLOROSILANE
    7.
    发明申请
    METHOD AND FLUIDIZED GAS PHASES REACTOR FOR PRODUCING STABLE TRICHLOROSILANE RICH CHLOROSILANE 审中-公开
    用于生产稳定的三氯硅烷基氯化硅的方法和流化气相反应器

    公开(公告)号：WO2011153295A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：PCT/US2011/038833

    申请日：2011-06-02

    Applicant: POLY PLANT PROJECT, INC. ,  CHEE, Yong, Chae ,  KUNIMUNE, Tetsunori

    Inventor： CHEE, Yong, Chae ,  KUNIMUNE, Tetsunori

    IPC: C01B33/08

    CPC classification number: B01J8/0055 ,  B01J8/1836 ,  B01J8/1872 ,  B01J8/32 ,  B01J8/44 ,  B01J2208/00168 ,  B01J2208/00725 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10731 ,  C01B33/10736 ,  C01B33/10742 ,  C01B33/10773

    Abstract: A fluidized bed reactor (FBR) for producing chlorosilane mixture, which has high contents of tri- chlorosilane (TCS), by hydro chlorination of metallurgical silicon (MGSI) and a method of producing high contents of TCS stably with the FBR is disclosed. A cooling jacket, which surrounds the lower reactor section, combined with inert initial charging material, which does not react with HC1 during the reaction at a temperature of above 300. degree. C. and pressure of above 5 bar, controls the extreme exothermal heat of the reaction. In addition to this, combination of an optimized gas distributor and a feeder that can feed the metallurgical silicon with accuracy of.+-.5% enabled to realize uniform temperature profile within the reaction zone within.+-.1 degree.degree. C. deviation at 350.degree. C. of average reaction temperature and at 5 bar of reaction pressure.

    Abstract translation: 公开了一种通过冶金硅氢化（MGSI）制备三氯硅烷（TCS）含量高的氯硅烷混合物的流化床反应器（FBR），以及用FBR稳定地生产高含量TCS的方法。 围绕下部反应器部分的冷却套与在300℃以上的温度下在反应期间不与HC1反应的惰性初始充电材料组合。 C.和5巴以上的压力控制反应的极端放热。 除此之外，优化的气体分配器和可以馈送±0.5％的精度的冶金硅的进料器的组合使得能够在±1度范围内的反应区域内实现均匀的温度分布。 偏差在350度。 反应温度为5巴，反应压力为5巴。

Patent Agency Ranking