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公开(公告)号：CN117637730A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311580886.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 湖北江城实验室 , 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的第一芯片组，第一芯片组包括至少一个第一芯片；位于第一芯片组上的第二芯片以及位于第二芯片上的第三芯片组，第三芯片组包括至少一个第三芯片；其中，第二芯片包括沿第一方向排布的第一端部和第二端部，第二端部沿第一方向相对于第一芯片组和第三芯片组的侧壁向外突出，第一方向平行于衬底平面；位于衬底上的支撑结构，支撑结构从衬底的表面延伸至第二端部的下方，第二端部覆盖支撑结构。
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公开(公告)号：CN119252743A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411786762.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底的第一表面上依次形成掩埋式电源轨及器件结构。在衬底的第二表面上形成第一介质层，并至少对第一介质层执行刻蚀工艺以形成通孔结构和开口结构，开口结构位于通孔结构的周围，通孔结构暴露出掩埋式电源轨，其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表面。执行填充工艺，以在开口结构中形成应力吸收结构，并在通孔结构中形成导电结构。
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公开(公告)号：CN116199264B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310055494.2
申请日：2023-01-17
Abstract: 本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。
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公开(公告)号：CN117446871B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN114970840B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114186667B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111487036.3
申请日：2021-12-07
IPC: G06N3/0442 , G06N3/06 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种循环神经网络权重矩阵向忆阻阵列的映射方法，包括：获取目标循环神经网络隐藏层中的所有权重矩阵；将各权重矩阵按行排列成一个3行矩阵阵列，且矩阵阵列中的每一列元素矩阵位于同一门控单元；根据网络隐藏层的前向传播函数对矩阵阵列中的元素矩阵进行裁切，被裁切的元素矩阵不影响其他元素矩阵的反向传播，且被裁切的元素矩阵使网络中各门控单元系数能够得到运算结果；将裁切并训练后的矩阵阵列中各元素矩阵编码为忆阻阵列中对应器件的电导。本发明是在利用传统忆阻循环神经网络加速器进行矩阵向量乘法时，在保证网络结构不变的前提下，只向忆阻阵列映射一部分矩阵，可有效降低权重矩阵映射时对忆阻阵列面积的要求。
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公开(公告)号：CN115062583B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202210675728.9
申请日：2022-06-15
IPC: G06F30/398 , G06N3/006 , G06N7/08
Abstract: 本发明公开了一种求解优化问题的Hopfield网络硬件电路及操作方法，该电路包括突触模块、退火模块、神经元模块和激活函数模块；突触模块包括偏置单元和电子突触器件阵列的权重单元，偏置单元输出固定偏置电流信号，阵列以电导的形式编码为权重信息，在来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流输出至神经元模块；退火模块在暂态退火信号和来自激活函数模块输出的电压信号的作用下产生输出电流，输出到神经元模块；神经元模块包括电阻、电容和运算放大器，接收来自突触模块和退火模块的电流，并产生输出电压，输出到激活函数模块进行非线性激活函数运算。本发明可有效减小外围电路，同时还可提升求解组合优化问题的运行速度和收敛效果。
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公开(公告)号：CN114242886B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
Abstract: 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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公开(公告)号：CN117457528A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311287601.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸液组件，吸液组件位于喷液装置和待处理晶圆的一侧，且与待处理晶圆之间具有预设距离，吸液装置用于吸收多余的处理液。
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公开(公告)号：CN115000429B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210365231.7
申请日：2022-04-07
Abstract: 本发明公开了一种LNCAF电极材料、燃料电池及其制备方法，所述制备方法包括：将满足摩尔比为Li:Ni:Co:Al:F＝1:0.8:0.15:0.05:0.2或1:0.8:0.15:0.05:0.1的原料Co3O4、Al2O3、LiOH·H2O、Ni(OH)2、NiF2进行研磨，得到混合粉体；将混合粉体在500～600℃进行4～6小时第一次煅烧，煅烧后再次研磨为粉体；将煅烧后研磨得到的粉体在800～900℃进行4～6小时第二次煅烧，得到所述LNCAF电极材料，该电极材料在中低温下具有良好催化活性，所得燃料电池的操作温度可降低至550℃，同时该电极材料与燃料电池各组件间的化学相容性好。
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