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公开(公告)号：CN112117276B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010512067.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位线结构、第一盖图案、第二盖图案、第一接触插塞结构、第二接触插塞结构和电容器。位线结构在单元区域和虚设区域上延伸。第一盖图案在单元区域上与位线结构相邻。第二盖图案在虚设区域上与位线结构相邻。第一接触插塞结构在单元区域上与位线结构和第一盖图案相邻，并且包括顺序地堆叠的下接触插塞和第一上接触插塞。第二接触插塞结构在虚设区域上与位线结构和第二盖图案相邻，并且包括顺序地堆叠的虚设下接触插塞和第二上接触插塞。电容器在单元区域上与第一接触插塞结构的上表面接触。
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公开(公告)号：CN110462974B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201880021070.1
申请日：2018-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于无线地接收电力的电子设备和方法。所述电子设备包括：第一芯，所述第一芯包括沿第一方向延伸的第一部分和沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二部分；第一线圈，所述第一线圈缠绕在所述第一部分上并沿所述第一方向延伸；第二线圈，所述第二线圈缠绕在第二部分上并沿所述第二方向延伸；以及电力处理电路，所述电力处理电路被配置为对通过所述第一线圈或所述第二个线圈中的至少一个从无线电力发送器无线地接收到的电力进行处理。
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公开(公告)号：CN117998843A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311386644.4
申请日：2023-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置可以包括：基底，包括由器件隔离层限定的多个有源区域；多条位线，在基底上沿第一水平方向延伸；多个绝缘栅栏，在基底上在位于所述多条位线之中的相邻两条位线之间的空间中在第一水平方向上彼此间隔开；多个掩埋接触件，在基底上位于所述多条位线之中的所述相邻两条位线之间并沿着第一水平方向与所述多个绝缘栅栏交替地布置，所述多个掩埋接触件分别连接到所述多个有源区域；以及多个绝缘层，所述多个绝缘层中的每个绝缘层位于所述多个绝缘栅栏中的相应绝缘栅栏与所述多个掩埋接触件中的相应掩埋接触件之间。
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公开(公告)号：CN112310080A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010434497.3
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成在第一水平方向上延伸的位线结构以及覆盖每个位线结构的相反侧壁的绝缘间隔物结构；形成初始掩埋接触材料层和模制层以分别填充在一对绝缘间隔物结构之间的空间的下部和上部；将模制层和初始掩埋接触材料层图案化为在第一水平方向上彼此间隔开的模制图案和在第一水平方向上彼此间隔开的掩埋接触；在彼此分隔的模制图案之间以及在彼此分隔的掩埋接触之间形成绝缘围栏；去除模制图案以暴露掩埋接触；以及在暴露的掩埋接触上形成落着焊盘，每个落着焊盘连接到暴露的掩埋接触中的对应一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462972B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880021347.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于无线地接收电力的电子设备和方法，所述电子设备包括：有线电力接口；电力接收电路；以及控制电路，所述控制电路被配置为：控制所述电力接收电路从无线电力发送设备无线地接收电力，以及通过所述有线电力接口将所接收的电力提供给外部电子设备。
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公开(公告)号：CN110998764B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201880050837.3
申请日：2018-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种无线电力收发器，包括：磁体，被形成为棒状，其中部具有凹槽；螺线管线圈，围绕其中形成有凹槽的磁体的中部缠绕；以及双线圈，被设置为实质上垂直于螺线管线圈，并且围绕磁体的凹槽的两侧的部分缠绕，双线圈沿彼此相反的方向缠绕。
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公开(公告)号：CN112713147A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010672660.X
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和边界区域；第一凹陷区域，在基底的位于单元阵列区域中的上部处；第一位线，延伸到边界区域上并且与第一凹陷区域交叉；位线接触件，在第一凹陷区域中并且接触第一位线；第二位线，与第一凹陷区域间隔开并且与第一位线相邻，第二位线与单元阵列区域和边界区域交叉；单元掩埋绝缘图案，在第一位线接触件的侧表面与第一凹陷区域的内壁之间；以及边界掩埋绝缘图案，覆盖边界区域中的第一位线和第二位线的侧壁并且包括与单元掩埋绝缘图案的材料相同的材料。
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公开(公告)号：CN110998764A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050837.3
申请日：2018-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种无线电力收发器，包括：磁体，被形成为棒状，其中部具有凹槽；螺线管线圈，围绕其中形成有凹槽的磁体的中部缠绕；以及双线圈，被设置为实质上垂直于螺线管线圈，并且围绕磁体的凹槽的两侧的部分缠绕，双线圈沿彼此相反的方向缠绕。
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公开(公告)号：CN112117276A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010512067.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位线结构、第一盖图案、第二盖图案、第一接触插塞结构、第二接触插塞结构和电容器。位线结构在单元区域和虚设区域上延伸。第一盖图案在单元区域上与位线结构相邻。第二盖图案在虚设区域上与位线结构相邻。第一接触插塞结构在单元区域上与位线结构和第一盖图案相邻，并且包括顺序地堆叠的下接触插塞和第一上接触插塞。第二接触插塞结构在虚设区域上与位线结构和第二盖图案相邻，并且包括顺序地堆叠的虚设下接触插塞和第二上接触插塞。电容器在单元区域上与第一接触插塞结构的上表面接触。
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