有机TFT,其制造方法以及平板显示器件

    公开(公告)号:CN1870235B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200610099617.9

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: H01L51/105 H01L27/3274 H01L51/0021 H01L51/0541

    Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT),一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中,由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极,而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异,所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜,通过蚀刻缓冲膜,在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元,在缓冲膜上形成电极层,使用光刻工艺,通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极,在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层,在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。

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