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公开(公告)号:CN102751311A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201210245905.6
申请日:2004-08-25
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光显示装置,通过利用低阻值金属同时形成反射膜和电源布线而防止电压降和电源布线之间的短路。本发明提供了一种有机电致发光显示装置,包括:形成在绝缘衬底上的栅极线、数据线和电源布线,由栅极线、数据线和电源布线限定的象素区,以及设置在象素区上并包括反射膜和象素电极的象素,其中反射膜与电源布线形成在同一层上。
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公开(公告)号:CN1779990B
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN200510108400.5
申请日:2005-10-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0516
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)和有机场致发光(EL)显示装置。该OTFT包括作为有机发射元件的像素电极(阳极电极)的漏电极,使得有机EL显示装置的制造工艺被简化。在一个实施例中,有机EL显示装置包括:i)基板,包括发射区域和非发射区域;ii)有机薄膜晶体管,其包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层,并且位于非发射区域内,源电极和漏电极分别与栅电极的两侧部交迭;iii)有机光发射元件,包括下电极、有机层和上电极。在一个实施例中,OTFT的源电极和漏电极中的一个延伸到发射区域,半导体层具有暴露部分延伸的电极的开口,延伸的电极的暴露的部分充当有机光发射元件的下电极(像素电极或阳极电极)。
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公开(公告)号:CN1855484B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200610073779.5
申请日:2006-03-30
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2201/50 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L51/0004 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 平板显示器及其制造方法公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器,以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中,平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例,导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化,因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。
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公开(公告)号:CN100492705C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200510054183.6
申请日:2005-02-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/50 , G09G2300/0426 , G09G2320/0233 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L51/5253
Abstract: 一种OLED包括具有电路区域和像素区域的基板。至少一个电路薄膜晶体管(TFT)和至少一个像素TFT分别排列在电路区域和像素区域上。每个TFT具有半导体层、栅电极、源电极和漏电极。像素电极电连接到像素TFT的源和漏电极中的一个。至少一个氮化硅层布置在源和漏电极与基板之间,且在整个像素区域中开口。
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公开(公告)号:CN101350313B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200810133317.7
申请日:2008-07-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法,其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子,和由第二靶沉积包括In的离子,所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子%调节为约45原子%~约80原子%。
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公开(公告)号:CN1979912B
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200610159524.0
申请日:2006-09-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 源极和漏极具有双层结构以支持使用激光束来形成有机半导体层的图案的一种有机薄膜晶体管,以及具有该有机薄膜晶体管的一种平板显示设备。该有机薄膜晶体管包括:栅极;与栅极绝缘的源极和漏极;与栅极绝缘并形成有电连接至源极和漏极的图案部分的有机半导体层;以及形成在源极和漏极上的保护层。
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公开(公告)号:CN1870235B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200610099617.9
申请日:2006-05-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3274 , H01L51/0021 , H01L51/0541
Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT),一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中,由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极,而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异,所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜,通过蚀刻缓冲膜,在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元,在缓冲膜上形成电极层,使用光刻工艺,通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极,在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层,在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。
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公开(公告)号:CN1773717B
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200510116879.7
申请日:2005-10-27
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/10 , H01L21/31604 , H01L21/31637 , H01L21/31691 , H01L28/40 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种具有有机薄膜晶体管(OTFT)的有机场致发光显示装置和构造该装置的方法。通过将有机绝缘层用作栅极绝缘层并且将无机绝缘层用作电容器介质,显示装置可保持TFT的绝缘性质同时确保足够的电容。在一个实施例中,有机场致发光显示装置包括:衬底,具有电容器区域和晶体管区域;TFT,形成在衬底的晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极;电容器,形成在衬底的电容器区域内并具有下电极和上电极;显示元件,连接到TFT源/漏极的一个。在一个实施例中,形成在TFT的栅极下面或形成在栅极上的栅极绝缘层至少包括有机绝缘层,电容器的上电极和下电极之间的电容器介质包括无机绝缘层。
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公开(公告)号:CN100502608C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200410092128.1
申请日:2004-08-09
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 本发明的发光显示器件包括具有其上形成薄膜晶体管的绝缘衬底。该薄膜晶体管包括源电极和/或漏电极。在薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上形成钝化层,并且该钝化层具有形成于其中的导通孔,该导通孔电接触源电极或者漏电极。在导通孔中形成像素电极。在除了对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成阻光层。在除了对应于像素电极的区域之外的阻光层的上表面上形成平坦化层。
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