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公开(公告)号：CN101609843A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910005698.5
申请日：2009-02-19
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45
Abstract: 一种薄膜晶体管、其制造方法及具有薄膜晶体管的平板显示设备，其中该薄膜晶体管包括：形成在基板上并且具有沟道区、源区和漏区的半导体氧化物层；通过栅极绝缘层与半导体氧化物层绝缘的栅极；形成在半导体氧化物层的源区和漏区上的欧姆接触层；和通过欧姆接触层电连接至源区的源极和通过欧姆接触层电连接至漏区的漏极，欧姆接触层由功函数比源极和漏极的功函数低的金属形成。
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公开(公告)号：CN101621076B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN101626036A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910133952.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L23/52 , H01L29/227 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN101794809A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010002358.X
申请日：2010-01-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/38
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。
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公开(公告)号：CN101621075A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910137879.3
申请日：2009-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , H01L27/32 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350313B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810133317.7
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
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公开(公告)号：CN1980519B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610165942.0
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: G02F1/1333 , H05F3/02 , H05K1/02 , G09F9/00 , H05K3/00
CPC classification number: H01L27/0248 , G02F1/136204 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种用于电子装置的防静电组件，可包括：基板；所述基板上的缓冲层，所述缓冲层包括暴露所述基板的各区域的多个接触孔；所述缓冲层上的短路条；所述缓冲层上的焊盘电极；所述缓冲层上的金属布线，其中所述金属布线的每条的第一部分通过所述接触孔可电连接到所述基板，所述金属布线的每条的第二部分可连接到各个所述焊盘电极，并且所述金属布线的每条的第三部分可连接到所述短路条，其中所述第一部分可在所述第二部分与所述第三部分之间。
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公开(公告)号：CN1874001B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610099874.2
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 一种平板显示器，可以防止驱动功率的电压下降，同时，还可以将位于电路区域的电子器件的性能下降最小化，在该区域中设置各种电子器件，该平板显示器包括：基板；设置在基板上的绝缘膜；包括至少一个发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域；及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中并与发光二极管的电极电连接的导电膜。
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公开(公告)号：CN100470314C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610094368.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器及其驱动和控制方法。所述平板显示器，包括：导电基板，形成具有至少一个薄膜晶体管的图像显示单元和包括多个端子的焊垫单元，其中导电基板与多层绝缘层层叠来形成图像显示单元和焊垫单元；基板暴露部分，用于暴露导电基板，其中基板暴露部分通过去除形成于焊垫单元上的绝缘层的至少一个区域来形成；系统控制板，用于通过基板暴露部分供给反向偏压，其中系统控制板与焊垫单元电连接；和金属构件，用于将反向偏压传输到导电基板，其中金属构件形成于基板暴露部分和系统控制板之间。
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公开(公告)号：CN102064188A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010250566.1
申请日：2010-08-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置，该薄膜晶体管通过将像Hf一样电负性与氧的电负性有巨大差值并且原子半径与Zn或Sn的原子半径相似的材料添加到由ZnSnO形成的氧化物半导体来形成有源层，以调整载流子浓度并提高氧化物半导体的可靠性。
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