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公开(公告)号：CN115605458A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180034592.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 学校法人关西大学(JP) , 三菱瓦斯化学株式会社(JP)
IPC: C07C381/12 , C07C309/06 , C09K3/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 提供一种高灵敏度且分辨率高、具有高平坦性的化合物。下述式(P‑0)所示的化合物。(式(P‑0)中，Ar为碳原子数6～60的具有芳基的基团，ORTS各自独立地为羟基或具有特定离子部位的基团。n1为1～20的整数。其中，ORTS中的至少一个为具有特定离子部位的基团。)
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公开(公告)号：CN107949808B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680050394.9
申请日：2016-08-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07D311/78 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，此处，至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，n为1～4的整数，n为2以上的整数时，n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同，X表示氧原子、硫原子或未桥接，m2各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1。
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公开(公告)号：CN112005168A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027296.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式((11))中所，示L的为除化合OR物1以和外含的硅配化体合，物R1。为[氢Lx原Te子(O、取R1代)y或](未1)取(上代述的式碳数1～20的直链状或碳数3～20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6～20的芳基、和取代或未取代的碳数2～20的烯基中的任意者，x为0～6的整数，y为0～6的整数，x与y的总计为1～6，x为2以上的情况下，多个L任选相同或不同，y为2以上的情况下，多个R1任选相同或不同。)。
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公开(公告)号：CN108473639A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076151.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C08G8/02 , G03F7/26 , C07C39/14 , C07C39/15 , G02B1/04 , G03F7/023 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: C07C39/14 , C07C39/15 , C08G8/02 , G02B1/04 , G03F7/023 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26
Abstract: 使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中，RY为碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基或碳数6～30的芳基，RZ为碳数1～60的N价的基团或单键，RT各自独立地为任选具有取代基的碳原子数1～30的烷基、任选具有取代基的碳原子数6～40的芳基、任选具有取代基的碳原子数2～30的烯基、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、氰基、巯基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团，此处，前述烷基、前述烯基和前述芳基任选包含醚键、酮键或酯键，此处，RT中的至少1个为羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团所取代的基团，X表示氧原子、硫原子或为无桥接，m各自独立地为0～9的整数，此处，m中的至少1个为1～9的整数，N为1～4的整数，此处，N为2以上的整数的情况下，N个[]内的结构式任选相同或不同，r各自独立地为0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN107924123A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049043.6
申请日：2016-08-23
Applicant: 学校法人关西大学 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/004 , C07C395/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C395/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种包含含有碲的化合物或含有碲的树脂的光刻用材料以及其的制造方法、光刻用组合物、图案形成方法、以及、化合物、树脂、以及它们的纯化方法。
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公开(公告)号：CN107430337A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019062.4
申请日：2016-03-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/022
Abstract: 一种辐射敏感组合物，其含有(A)抗蚀剂基材、(B)重氮萘醌光活性化合物以及(C)溶剂，前述辐射敏感组合物中的固体成分的含量为1～80质量％，溶剂的含量为20～99质量％，前述(A)抗蚀剂基材为式(1)所示的化合物。
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公开(公告)号：CN107250089A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680009964.X
申请日：2016-02-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07C43/235 , C07C41/38 , C07C43/205 , C07C43/275 , C08G8/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26
CPC classification number: C07C43/275 , C07C41/38 , C07C43/205 , C07C43/235 , C08G8/00 , C08G8/10 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30
Abstract: 一种下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，R1为碳数1～30的2n价基团，R2～R5分别独立地为碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、巯基或羟基，其中，R4中的至少1个和/或R5中的至少1个为碳数1～30的烷氧基，m2和m3分别独立地为0～8的整数，m4和m5分别独立地为0～9的整数，其中，m4和m5不同时成为0，n为1～4的整数，p2～p5分别独立地为0～2的整数。
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公开(公告)号：CN107108549A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070416.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07D311/78 , C08G8/04 , C08G18/30 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC classification number: C07D311/78 , C08G8/04 , C08G8/08 , C08G18/30 , C09D161/06 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
Abstract: 一种下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，X分别独立地表示氧原子或者硫原子、或为无交联，R1为单键或碳数1～30的2n价基团，该基团任选具有脂环式烃基、双键、杂原子或碳数6～30的芳基，R2分别独立地为碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、碳数6～30的芳氧基或羟基，此处，R2中的至少1个为碳数1～30的烷氧基或碳数6～30的芳氧基，m分别独立地为1～6的整数，p分别独立地为0或1，n为1～4的整数。)
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