光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法

    公开(公告)号:CN107949808B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201680050394.9

    申请日:2016-08-25

    摘要: 本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料,其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中,R1为碳数1~60的2n价基团或单键,R2各自独立地为卤素原子、碳数1~10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同,此处,至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,n为1~4的整数,n为2以上的整数时,n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同,X表示氧原子、硫原子或未桥接,m2各自独立地为0~7的整数,其中,至少1个m2为1~7的整数,q各自独立地为0或1。